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레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2022005044
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 레지스트 화합물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 레지스트 조성물은 화학식 1로 표시될 수 있다. [화학식 1]
Int. CL G03F 7/004 (2006.01.01) G03F 7/038 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) G03F 7/32 (2006.01.01)
CPC G03F 7/004(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0384(2013.01) G03F 7/20(2013.01) G03F 7/32(2013.01)
출원번호/일자 1020200144301 (2020.11.02)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0059100 (2022.05.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.02)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진균 인천광역시 연수구
2 구예진 인천광역시 연수구
3 오현택 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-1165143-07
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번호 청구항
1 1
화학식 1로 표시되는 공중합체를 포함하는 조성물
2 2
제 1항에 있어서, 광산 발생제를 더 포함하는 조성물
3 3
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R20은 탄소수 2 내지 11의 퍼플루오르화 알킬 또는 탄소수 2 내지 11의 퍼플루오르 알킬 에테르 퍼플루오르 알킬인 조성물
4 4
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 화학식 2로 표시되는 물질을 포함하는 조성물
5 5
제 4항에 있어서,상기 화학식 2에서, X 및 Y는 F인 조성물
6 6
제 1항에 있어서,상기 화학식 1에서 A는 화학식 A로 표시되는 조성물
7 7
제 1항에 있어서,상기 공중합체는 110℃ 내지 150℃의 유리 전이 온도를 갖고, 상기 공중합체는 1 내지 1
8 8
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 화학식 3A로 표시되는 물질을 포함하는 조성물
9 9
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 화학식 3B로 표시되는 물질을 포함하는 조성물
10 10
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 화학식 3C로 표시되는 물질을 포함하는 조성물
11 11
기판 상에 아래의 화학식 1로 표시되는 화합물을 도포하여, 레지스트막을 형성하는 것; 및상기 레지스트막을 패터닝하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 레지스트막을 패터닝하는 것은: 상기 레지스트막 상에 빛을 조사하여, 노광된 부분 및 비노광된 부분을 형성하는 것; 및현상액을 사용한 현상 공정을 상기 레지스트막 상에 수행하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 현상액은 극성 현상액을 포함하고, 상기 현상 공정을 수행하는 것은 상기 레지스트막의 상기 노광된 부분을 제거하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법
14 14
제 12항에 있어서, 상기 현상액은 비극성 현상액을 포함하고, 상기 현상 공정을 수행하는 것은 상기 레지스트막의 상기 비노광된 부분을 제거하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.