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신규 화합물 및 이를 포함하는 극자외선용 포토레지스트 조성물

  • 기술번호 : KST2022018936
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극자외선 포토레지스트의 성능 개선을 위한 다중 요오드 화합물 및 이를 포함하는 흡광보조제에 관한 것으로, 극자외선 포토레지스트의 흡광보조제인 다중 요오드를 포함하고 있는 신규 화합물을 제공하여, 이러한 화합물을 포함하는 극자외선 포토레지스트는 극자외선 레지스트의 흡광 성능을 증가시켜 패턴 감도를 향상시킬 수 있으며, 패턴거칠기(line-edge roughness;LER) 또한 개선되어, 극자외선 레지스트의 패터닝 성능을 향상시킬 수 있다.
Int. CL C07D 407/02 (2006.01.01) C07D 317/12 (2006.01.01) G03F 7/004 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01)
CPC C07D 407/02(2013.01) C07D 317/12(2013.01) G03F 7/004(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/2004(2013.01)
출원번호/일자 1020210044591 (2021.04.06)
출원인 인하대학교 산학협력단, 주식회사 동진쎄미켐
등록번호/일자 10-2448080-0000 (2022.09.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20220927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.04.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
2 주식회사 동진쎄미켐 대한민국 인천광역시 서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진균 인천광역시 연수구
2 박한빛 대전광역시 유성구
3 구예진 인천광역시 연수구
4 김정식 경기도 화성시
5 허명현 경기도 화성시
6 김재현 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
2 주식회사 동진쎄미켐 인천광역시 서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2021-0402102-95
2 보정요구서
Request for Amendment		 2021.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0055756-76
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2021-0411054-02
4 등록결정서
Decision to grant		 2022.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0607225-80
5 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2022.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2022-0893288-84
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 내지 R3는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, 할로겐, 불소화 알킬기(perfluoroalkyl), 알킬기, 방향족 고리(aryl ring), 불소화 방향족 고리(fluorinated aryl ring), 히드록시(OH) 또는 이의 에스터기[OC(=O)R4, R4는 알킬, 불소화 알킬, 아릴 또는 불소화 아릴], 실릴이써[OSiR5, R5은 알킬, 불소화 알킬, 아릴 또는 불소화 아릴], 카르복시(COOH) 또는 이의 에스터기(COOR6, R6은 알킬, 불소화 알킬, 아릴 또는 불소화 아릴), 니트릴기(CN), 아미드기[C(=O)NR7, R7은 알킬, 불소화 알킬, 아릴 또는 불소화 아릴), 니트로기(NO2), 술폭시[S(=O)R8, R8은 알킬, 불소화 알킬, 아릴 또는 불소화 아릴], 술폰기(SO2R9, R9은 알킬, 불소화 알킬, 아릴 또는 불소화 아릴), 술폰산(SO3H), 술포닐 에스터기(SO3R10, R10은 알킬, 불소화 알킬, 아릴 또는 불소화 아릴), 술포닐 아미드기(SO2NR11, R11은 알킬, 불소화 알킬, 아릴 또는 불소화 아릴), 알킬화 주석(SnR12, R12은 알킬 또는 불소화 알킬) 및 아릴화 주석(SnR13, R13은 아릴 또는 불소화 아릴)으로 이루어진 군에서 선택됨
2 2
제 1항에 있어서,상기 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-3의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 1-1][화학식 1-2][화학식 1-3]
3 3
제 1항의 화합물을 함유하는 흡광보조제, 광산발생제, 산확산억제제 및 용제로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되어 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 포토레지스트 조성물
4 4
제 3항에 있어서,상기 광산발생제는 술포늄염계 및 요오드염계로 이루어진 군에서 선택되는 오늄염계; 다이아조메탄계; 옥심계; 나이트로벤질술포네이트계; 아미노술포네이트계; 및 디술폰계;로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 포토레지스트 조성물
5 5
제 3항에 있어서,상기 산확산억제제는 아민계 및 아미드계로 이루어진 군에서 선택되는 함질소 유기물; 및 술포늄염계 및 요오드염계로 이루어진 군에서 선택되는 오늄염계;로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 포토레지스트 조성물
6 6
제 3항에 있어서,상기 용제는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르(PGME), 에틸 락테이트(ethyl lactate), 시클로헥사논(cyclohexanone), 시클로펜탄온(cyclopentanone) 및 감마부티로락톤(γ-부티로락톤)으로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 포토레지스트 조성물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인하대학교 소재부품기술개발사업-패키지형 반도체 극자외선(EUV) 공정용 포토레지스트 국산화 기술개발