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고분자 수지;광산발생제; 소광제;유기 용매; 및식각 내성 강화제를 포함하되,상기 식각 내성 강화제는 하기 화학식1로 표기되고[화학식 1],상기 화학식1에서 상기 R은 니트로 (nitro) 기, 니트릴 (nitrile) 기, 트리플루오로메틸 (trifluoromethyl) 기, 아세테이트 (acetate) 기, 및 트리이소프로필실릴 (triisopropylsilyl) 기 중에서 어느 하나인 포토레지스트 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 R은 니트로 (nitro)기이며,상기 식각 내성 강화제는 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트 조성물
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제1 항에 있어서,상기 식각 내성 강화제는 상기 포토레지스트 조성물의 전체 중량의 0
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제3 항에 있어서,상기 고분자 수지는 상기 포토레지스트 조성물의 전체 중량의 3~20 wt
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제1 항에 있어서,상기 고분자 수지는 폴리메틸메타크릴레이트 (polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리(t-부틸메타크릴레이트) (poly(t-butylmethacrylate)), 폴리(메타크릴산) (poly(methacrylic acid)), 및 폴리(노보닐메타크릴레이트) (poly(norbornylmethacrylate)) 중에 적어도 하나를 포함하는 포토레지스트 조성물
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제1 항에 있어서,상기 광산발생제는 아릴 다이아지움 (aryldiazonium), 다이아릴아이오디움 (diaryliodonium), 트리 아릴 설포늄 (triarylsulfonium), 트리아릴포스포늄 (triarylphosphonium) 염, 카르복실산 (carboxylic acids), 설폰산 (sulfonic acids), 인산 (phosphoric acids), 할로겐 수소 (hydrogen halides) 중 적어도 하나인 포토레지스트 조성물
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제1 항에 있어서,상기 소광제는 염화수소, 에틸 에스테르, 알콜, 물, 불소 화합물, 시안화물, 케톤, 브롬화물, 옥소화물, 아민류, 알데히드, 페놀, 니트로 화합물, 트리 아릴 설포늄 (triarylsulfonium) 염 중 적어도 하나인 포토레지스트 조성물
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제1 항에 있어서,상기 유기 용매는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 (propylene glycol monomethyl ether), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (propylene glycol monomethyl ether acetate), 2-하이드록시이소부티르산 메틸에스테르 (2-Hydroxyisobutyric acid methyl ester), 에틸 락테이트 (ethyl lactate), 사이클핵사논 (cyclohexanone), 헵타논 (heptanone), 락톤 (lactone) 중 적어도 하나인 포토레지스트 조성물
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기판 상에 식각 대상막을 형성하는 단계; 상기 식각 대상막 상에 포토레지스트 조성물을 코팅하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막에 대하여 노광 공정을 진행하는 단계;상기 포토레지스트막에 대하여 현상 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 식각 대상막을 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하되,상기 포토레지스트 조성물은:고분자 수지;광산발생제; 소광제;유기 용매; 및식각 내성 강화제를 포함하되,상기 식각 내성 강화제는 하기 화학식1로 표기되고,[화학식 1]상기 화학식1에서 상기 R은 니트로 (nitro) 기, 니트릴 (nitrile) 기, 트리플루오로메틸 (trifluoromethyl) 기, 아세테이트 (acetate) 기, 및 트리이소프로필실릴 (triisopropylsilyl) 기 중에서 어느 하나인 패턴 형성 방법
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(a) 1-(클로로메틸)나프탈렌 (1-(chloromethyl)naphthalene)을 제1 용매에 녹여 제1 용액을 만들고 상기 제1 용액에 트리페닐포스파인 (triphenylphosphine)을 넣고 교반하여 제1 생성물을 얻는 단계; (b) 상기 제1 생성물을 필터링하고, 제1 세정제로 세척하는 단계; (c) 상기 제1 생성물을 제2 용매에 녹여 제2 용액을 만들고 상기 제2 용액 안에 테트라부틸암모니움히드록사이드 (tetrabutylammoniumhydroxide)와 벤잘데히드 (benzaldehyde)를 넣고 교반하여 제2 생성물을 얻는 단계; (d) 컬럼 크로마토그라피를 이용하여 상기 제2 생성물을 분리정제하는 단계; (e) 상기 제2 생성물을 제3 용매에 녹여 제3 용액을 만들고, 상기 제3 용액 안에 아이오딘 (iodine)을 넣고 자외선을 조사하는 동시에 교반하는 단계; (f) 소디움 티오설페이트 (sodium thiosulfate) 수용액으로 아이오딘 (iodine)을 제거하고 물과 톨루엔을 이용하여 제1 추출과정을 진행하여 제1 유기층을 얻는 단계; (g) 상기 제1 유기층의 톨루엔을 제거하고, 제2 세정제로 세척하여 제3 생성물을 얻는 단계; (h) 상기 제3 생성물을 제4 용매에 녹여서 제4 용액을 만드는 단계; 및 (i) 상기 제4 용액에 질산 용액을 넣고 상기 제3 생성물과 상기 질산 용액을 반응시키는 단계를 포함하는 6-니트로크리센의 합성 방법
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