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화학식1로 표시되는 반복단위를 포함하는 교대 공중합체, 또는 짝음이온을 갖는 알킬화 주석산화물 나노클러스터를 포함하되, [화학식1] 상기 화학식1에서, R1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고, R2, R3, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이고, A는 아이오딘 또는 알킬기를 갖는 주석이고, n은 2 내지 10,000의 정수이고, 상기 알킬화 주석산화물 나노클러스터는 주석산화물을 포함하는 코어 구조, 및 상기 코어 구조의 주석 원소에 결합된 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 포함하고, 상기 짝음이온은 알킬 벤젠 설포네이트 음이온인 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식1에서, 상기 A는 화학식2로 표시되는 작용기인 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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3
청구항 2에 있어서, 상기 교대 공중합체는 화학식3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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청구항 3에 있어서, 상기 교대 공중합체는 화학식3-2 또는 화학식3-3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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청구항 1에 있어서, 상기 짝음이온을 갖는 알킬화 주석산화물 나노클러스터는 화학식5의 구조를 포함하는 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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6
청구항 5에 있어서, 상기 RX-는 화학식6의 구조를 갖는 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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7
청구항 6에 있어서, 상기 R9는 -CH2(CH2)10CH3의 구조의 갖는 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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청구항 7에 있어서, 상기 R은 부틸기인 포토리소그래피용 언더레이어 화합물
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하부막; 상기 하부막 상의 언더레이어; 및 상기 언더레이어 상의 포토레지스트막을 포함하되, 상기 언더레이어는 화학식1로 표시되는 반복단위를 포함하는 교대 공중합체, 또는 짝음이온을 갖는 알킬화 주석산화물 나노클러스터를 포함하고, [화학식1] 상기 화학식1에서, R1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고, R2, R3, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이고, A는 아이오딘 또는 알킬기를 갖는 주석이고, n은 2 내지 10,000의 정수이고, 상기 알킬화 주석산화물 나노클러스터는 주석산화물을 포함하는 코어 구조, 및 상기 코어 구조의 주석 원소에 결합된 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 포함하고, 상기 짝음이온은 알킬 벤젠 설포네이트 음이온인 다층 구조
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청구항 9에 있어서, 상기 화학식1에서, 상기 A는 화학식2로 표시되는 작용기인 다층 구조
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청구항 9에 있어서, 상기 짝음이온을 갖는 알킬화 주석산화물 나노클러스터는 화학식5의 구조를 포함하는 다층 구조
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12
청구항 11에 있어서, 상기 RX-는 화학식6의 구조를 갖는 다층 구조
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13
청구항 11에 있어서, 상기 언더레이어는 상기 화학식1 또는 상기 화학식5로 표시되는 물질들이 서로 가교된 구조를 포함하는 다층 구조
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청구항 13에 있어서, 상기 포토레지스트막은 불소화 알킬기를 포함하는 레지스트 화합물을 포함하고, 상기 언더레이어는 상기 화학식1 또는 상기 화학식5로 표시되는 상기 물질들이 상기 레지스트 화합물과 가교 결합된 구조를 포함하는 다층 구조
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15
하부막 상에 언더레이어를 형성하는 것; 및 상기 언더레이어 상에 포토레지스트막을 형성하는 것을 포함하되, 상기 언더레이어를 형성하는 것은, 화학식1로 표시되는 반복단위를 포함하는 교대 공중합체, 또는 짝음이온을 갖는 알킬화 주석산화물 나노클러스터를 포함하는 언더레이어 화합물을 상기 하부막 상에 도포하는 것을 포함하고, [화학식1] 상기 화학식1에서, R1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고, R2, R3, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이고, A는 아이오딘 또는 알킬기를 갖는 주석이고, n은 2 내지 10,000의 정수이고, 상기 알킬화 주석산화물 나노클러스터는 주석산화물을 포함하는 코어 구조, 및 상기 코어 구조의 주석 원소에 결합된 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 포함하고, 상기 짝음이온은 알킬 벤젠 설포네이트 음이온인 반도체 소자의 제조방법
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16
청구항 15에 있어서, 상기 짝음이온을 갖는 알킬화 주석산화물 나노클러스터는 화학식5의 구조를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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17
청구항 16에 있어서, 상기 포토레지스트막은 불소계 용제를 이용하여 불소화 알킬기를 포함하는 레지스트 화합물을 상기 언더레이어 상에 도포하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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18
청구항 17에 있어서, 상기 포토레지스트막 상에 노광 공정을 수행하는 것을 더 포함하되, 상기 노광 공정은 전자선 또는 극자외선을 이용하여 수행되는 반도체 소자의 제조방법
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19
청구항 18에 있어서, 상기 노광 공정 후, 상기 언더레이어는 상기 화학식1 또는 상기 화학식5로 표시되는 물질들이 서로 가교된 구조를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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20
청구항 18에 있어서, 상기 포토레지스트막은 상기 노광 공정에 의해 노광된 제1 부분, 및 상기 노광 공정에 의해 노광되지 않은 제2 부분을 포함하고, 현상 공정을 수행하여 상기 포토레지스트막의 상기 제2 부분을 선택적으로 제거하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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