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상 변화층을 갖는 전자 소자 및 상 변화 메모리 소자

기술번호 : KST2014032326
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 상 변화 메모리 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상에 제 1 반응층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 반응층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 상기 제 1 반응층을 덮는 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 컨택 홀을 매립하는 제 2 반응층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질 간의 고상 반응을 일으킴으로써 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 사이에 상 변화층을 생성하는 단계를 포함한다. 따라서, 낮은 전력 소모를 가지며 동작 속도가 빠른 상 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다.
Int. CL	H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC	H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자	1020100102476 (2010.10.20)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1020683-0000 (2011.03.02)
공개번호/일자	10-2010-0118972 (2010.11.08) 문서열기
공고번호/일자	(20110311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020070127534 \| 2007.12.10
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자	10-2008-0084534 (2008.08.28)
관련 출원번호	1020080084534
심사청구여부/일자	Y (2010.10.20)
심사청구항수	12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이승윤	대한민국	대전 유성구
2	박영삼	대한민국	대전 서구
3	윤성민	대한민국	대전 서구
4	정순원	대한민국	충북 청원군
5	유병곤	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application	2010.10.20	수리 (Accepted)	1-1-2010-0677984-17
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.11.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0537613-02
3	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.01.11	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0022595-10
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.01.11	수리 (Accepted)	1-1-2011-0022526-81
5	등록결정서 Decision to grant	2011.02.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0115046-72
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 고상 반응에 의해 상변화 물질을 생성하는 원소로 이루어진 제 1 반응층; 상기 제1 반응층 위에 형성되며, 상기 고상 반응에 의해 상변화 물질을 생성하는 원소로 이루어진 제 2 반응층; 및상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층의 사이에 형성되며, 상기 제 1 반응층을 이루는 물질 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질의 고상 반응에 의하여 형성된 상 변화층을 포함하고,상기 제1반응층 및 상기 제2반응층은 상 변화 특성이 없는 상 변화층을 갖는 전자 소자
2	2 제1항에 있어서, 상기 상 변화층은, 인가되는 전류량에 따라 비정질 상태와 결정 상태로 가역적으로 변환되는 물질로 이루어진 상 변화층을 갖는 전자 소자
3	3 제1항에 있어서, 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 중 적어도 하나를 이루는 물질은, 실리콘(Si), 저머늄(Ge), 안티몬(Sb), 칼코겐(chalcogen) 원소로 이루어진 군에서 선택되는 상 변화층을 갖는 전자 소자
4	4 제3항에 있어서, 상기 제 1 반응층/제 2 반응층은, 저머늄/안티몬(Ge/Sb), 안티몬/저머늄(Sb/Ge), 저머늄/텔루르(Ge/Te), 텔루르/저머늄(Te/Ge), 안티몬/텔루르(Sb/Te), 텔루르/안티몬(Te/Sb) 중 어느 하나의 적층 구조를 갖는 상 변화층을 갖는 전자 소자
5	5 고상 반응에 의해 상변화 물질을 생성하는 원소로 이루어진 제 1 반응층; 상기 제 1 반응층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 상기 제 1 반응층을 덮는 절연층; 및상기 컨택 홀을 매립하고, 상기 고상 반응에 의해 상변화 물질을 생성하는 원소로 이루어진 제 2 반응층을 포함하되, 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층의 사이에는 상기 제 1 반응층을 이루는 물질 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질의 고상 반응에 의하여 형성된 상 변화층이 존재하고,상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층은 상 변화 특성이 없는상 변화 메모리 소자
6	6 제5항에 있어서, 상기 상 변화층은, 인가되는 전류량에 따라 비정질 상태와 결정 상태로 가역적으로 변환되는 물질로 이루어진 상 변화 메모리 소자
7	7 제5항에 있어서, 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 중 적어도 하나를 이루는 물질은, 실리콘(Si), 저머늄(Ge), 안티몬(Sb), 칼코겐(chalcogen) 원소로 이루어진 군에서 선택되는 상 변화 메모리 소자
8	8 제5항에 있어서, 상기 제 1 반응층/제 2 반응층은, 저머늄/안티몬(Ge/Sb), 안티몬/저머늄(Sb/Ge), 저머늄/텔루르(Ge/Te), 텔루르/저머늄(Te/Ge), 안티몬/텔루르(Sb/Te), 텔루르/안티몬(Te/Sb) 중 어느 하나의 적층 구조를 갖는 상 변화 메모리 소자
9	9 하부 전극의 일부를 노출시키는 컨택 홀을 가지며 상기 하부 전극 위에 형성되는 절연층;상기 컨택홀을 매립하며, 고상 반응에 의해 상변화 물질을 생성하는 원소로 이루어진 제 1 반응층;상기 제1 반응층 위에 형성되며, 상기 고상 반응에 의해 상변화 물질을 생성하는 원소로 이루어진 제 2 반응층; 및상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층의 사이에는 상기 제 1 반응층을 이루는 물질 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질의 고상 반응에 의하여 형성된 상 변화층을 포함하고,상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층은 상 변화 특성이 없는상 변화 메모리 소자
10	10 제9항에 있어서, 상기 상 변화층은, 인가되는 전류량에 따라 비정질 상태와 결정 상태로 가역적으로 변환되는 물질로 이루어진 상 변화 메모리 소자
11	11 제10항에 있어서, 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 중 적어도 하나를 이루는 물질은, 실리콘(Si), 저머늄(Ge), 안티몬(Sb), 칼코겐(chalcogen) 원소 및 이들의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 상 변화 메모리 소자
12	12 제11항에 있어서, 상기 제 1 반응층/제 2 반응층은, 저머늄/안티몬(Ge/Sb), 안티몬/저머늄(Sb/Ge), 저머늄/텔루르(Ge/Te), 텔루르/저머늄(Te/Ge), 안티몬/텔루르(Sb/Te), 텔루르/안티몬(Te/Sb) 중 어느 하나의 적층 구조를 갖는 상 변화 메모리 소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP05142397	JP	일본	FAMILY
2	JP21141369	JP	일본	FAMILY
3	KR100998887	KR	대한민국	FAMILY
4	US07989793	US	미국	FAMILY
5	US08470719	US	미국	FAMILY
6	US20090146128	US	미국	FAMILY
7	US20110223716	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2009141369	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	JP5142397	JP	일본	DOCDBFAMILY
3	KR100998887	KR	대한민국	DOCDBFAMILY
4	KR20090060935	KR	대한민국	DOCDBFAMILY
5	US2009146128	US	미국	DOCDBFAMILY
6	US7989793	US	미국	DOCDBFAMILY

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1020683-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20101020 출원 번호 : 1020100102476 공고 연월일 : 20110311 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110228 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 상 변화층을 갖는 전자 소자 및 상 변화 메모리 소자 존속기간(예정)만료일 : 20160303

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2011년 03월 03일	납입
제 4 년분	금 액	304,000 원	2014년 03월 03일	납입
제 5 년분	금 액	212,800 원	2015년 02월 26일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[분할출원]특허출원서	2010.10.20	수리 (Accepted)	1-1-2010-0677984-17
2	의견제출통지서	2010.11.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0537613-02
3	[명세서등 보정]보정서	2011.01.11	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0022595-10
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.01.11	수리 (Accepted)	1-1-2011-0022526-81
5	등록결정서	2011.02.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0115046-72
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


기술번호	KST2014032326
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국전자통신연구원
기술명	상 변화층을 갖는 전자 소자 및 상 변화 메모리 소자
기술개요	본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 상 변화 메모리 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상에 제 1 반응층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 반응층 상부의 일부를 노출시키는 컨택 홀이 형성되도록 상기 제 1 반응층을 덮는 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 컨택 홀을 매립하는 제 2 반응층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층을 이루는 물질 간의 고상 반응을 일으킴으로써 상기 제 1 반응층 및 상기 제 2 반응층 사이에 상 변화층을 생성하는 단계를 포함한다. 따라서, 낮은 전력 소모를 가지며 동작 속도가 빠른 상 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다.
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매
사업화적용실적
도입시고려사항

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