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전계 효과 트랜지스터 및 바이폴라 트랜지스터를 하나의 기판 상에 제조하는 방법에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터의 제 1 전도형의 제 1 웰 영역을 상기 전계 효과 트랜지스터의 제 1 전도형의 제 3 웰 영역 및 제 2 전도형의 제 4 웰 영역보다 깊이를 깊게 형성하는 단계와,상기 제 1 웰 영역의 내부에 형성된 제 2 전도형의 제 2 웰 영역을 상기 제 3 웰 영역 및 제 4 웰 영역보다 얕게 형성하는 단계를 포함하여상기 바이폴라 트랜지스터와 상기 전계 효과 트랜지스터가 서로 다른 포텐셜을 갖도록 하는바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
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입력된 차동 신호를 스위칭하여 제 1 출력 노드와 제 2 출력 노드를 통하여 공통 모드 전압을 출력하는 차동 신호 구동 회로; 및상기 공통 모드 전압에 따라 상기 차동 신호 구동 회로에 소정의 전류를 제공하거나 상기 차동 신호 구동 회로로부터 소정의 전류를 수신하는 공통 모드 귀환 회로를 포함하되, 상기 차동 신호 구동 회로는,상기 제 1출력 노드와 상기 제 2 출력 노드를 연결하며, 상기 차동 신호 구동 회로의 공통 모드 전압을 출력하는 공통 모드 전압 출력부를 포함하고,상기 차동 신호는 두 개의 바이폴라 트랜지스터를 통하여 각각 입력되는고속 저전압 차동 신호 구동기
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제 2항에 있어서, 상기 공통 모드 전압 출력부는, 상기 제 1 출력 노드와 상기 제 2 출력 노드 사이에 제 1 저항 및 제 2 저항을 포함하고, 상기 제 1 저항 및 상기 제 2 저항을 연결하는 중간 노드를 통하여 상기 공통 모드 전압을 출력하는고속 저전압 차동 신호 구동기
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제 2항에 있어서, 상기 차동 신호 구동 회로는, 제 1 단이 상기 제 1 출력 노드에 연결되고 베이스를 통하여 제 1 차동 입력 신호를 수신하며 제 2 단이 전류 노드에 연결되는 제 1 바이폴라 트랜지스터;제 1 단이 상기 제 2 출력 노드에 연결되고 베이스를 통하여 제 2 차동 입력 신호를 수신하며 제 2 단이 상기 전류 노드에 연결되는 제 2 바이폴라 트랜지스터; 및제 1 단이 상기 전류 노드에 연결되고 게이트는 상기 공통 모드 귀환 회로에 연결되고 제 2 단이 접지 단자에 연결되는 제 3 엔모스 트랜지스터를 포함하는 고속 저전압 차동 신호 구동기
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제 4항에 있어서, 상기 공통 모드 귀환 회로는, 제 1 단을 통하여 전류를 공급받고 게이트를 통하여 기준 전압을 수신하며 제 2 단이 상기 전류 노드에 연결되는 제 5 피모스 트랜지스터; 및제 1 단을 통하여 전류를 공급받고 게이트가 상기 제1 출력노드와 상기 제2 출력노드를 연결하는 중간 노드에 연결되며 제 2 단이 전류 미러부에 연결되는 제 6 피모스 트랜지스터를 포함하되, 상기 전류 미러부는, 제 1 단이 상기 전류 노드에 연결되고 게이트는 상기 제 6 피모스 트랜지스터의 제 2 단에 연결되고 제 2 단이 접지 단자에 연결되는 제 1 엔모스 트랜지스터; 및제 1 단 및 게이트가 상기 제 6 피모스 트랜지스터의 제 2 단에 연결되고 제 2 단이 접지 단자에 연결되는 제 2 엔모스 트랜지스터를 포함하는 고속 저전압 차동 신호 구동기
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제 5항에 있어서, 상기 공통 모드 귀환 회로는, 상기 공통 모드 전압이 상기 기준 전압보다 낮으면 상기 차동 신호 구동 회로의 전류 노드로 소정의 전류를 공급하는 고속 저전압 차동 신호 구동기
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제 5항에 있어서, 상기 공통 모드 귀환 회로는, 상기 공통 모드 전압이 상기 기준 전압보다 높으면 상기 차동 신호 구동 회로의 전류 노드로부터 소정의 전류를 공급받는고속 저전압 차동 신호 구동기
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제 4항에 있어서, 상기 공통 모드 귀환 회로는, 상기 전류 노드와 상기 제 3 엔모스 트랜지스터의 게이트를 연결하는 제 3 저항 및 캐패시터를 포함하는 밀러 보상 회로를 포함하는 고속 저전압 차동 신호 구동기
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제 2 항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터는, 전계 효과 트랜지스터와 동일한 기판 상에 형성되며, 상기 바이폴라 트랜지스터의 제 1 전도형의 제 1 웰 영역은 상기 전계 효과 트랜지스터의 제 1 전도형의 제 3 웰 영역 및 제 2 전도형의 제 4 웰 영역보다 깊이가 깊게 형성되며, 상기 제 1 웰 영역의 내부에 형성된 제 2 전도형의 제 2 웰 영역은 상기 제 3 웰 영역 및 제 4 웰 영역보다 깊이가 낮게 형성되어 상기 전계 효과 트랜지스터와 다른 포텐셜을 갖는고속 저전압 차동 신호 구동기
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