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접지 전압을 제공하는 제1 및 제2 그라운드 플레인;
전원 전압을 제공하고, 상기 그라운드 플레인에 평행하며, 상기 제1 및 제2 그라운드 플레인 사이에 위치하는 파워 플레인;
상기 제1 그라운드 플레인, 상기 파워 플레인 및 상기 제2 그라운드 플레인을 관통하여 신호를 전달하는 비아 홀;
상기 제1 그라운드 플레인과 상기 파워 플레인 사이에 위치하고, 상기 비아 홀을 둘러싸는 복수의 제1 EBG 플레인들;
상기 제1 그라운드 플레인과 상기 파워 플레인 사이에 위치하고, 상기 비아 홀을 둘러싸며, 상기 제1 EBG 플레인들과 적층 구조로 형성되는 복수의 제2 EBG 플레인들;
상기 제2 그라운드 플레인과 상기 파워 플레인 사이에 위치하고, 상기 비아 홀을 둘러싸는 복수의 제3 EBG 플레인들; 및
상기 제2 그라운드 플레인과 상기 파워 플레인 사이에 위치하고, 상기 비아 홀을 둘러싸며, 상기 제3 EBG 플레인들과 적층 구조로 형성되는 복수의 제4 EBG 플레인들을 포함하는 반도체 패키지 기판
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제 8 항에 있어서, 상기 제2 EBG 플레인들의 면적은 상기 제1 EBG 플레인들의 면적보다 더 넓은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
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제 9 항에 있어서, 상기 제1 EBG 플레인들의 개수는 상기 제2 EBG 플레인들의 개수보다 더 많은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
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11
제 8 항에 있어서, 상기 제4 EBG 플레인들의 면적은 상기 제3 EBG 플레인들의 면적보다 더 넓은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
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제 11 항에 있어서, 상기 제3 EBG 플레인들의 개수는 상기 제4 EBG 플레인들의 개수보다 더 많은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
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제 10 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 면적과 상기 개수는 요구되는 주파수 대역에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
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14
제 8 항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 EBG 플레인들은 정사각형 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
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제 14 항에 있어서, 상기 제1 EBG 플레인 4개가 상기 제2 EBG 플레인 1개에 상응하도록 적층되고, 상기 제3 EBG 플레인 4개는 상기 제4 EBG 플레인 1개에 상응하도록 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
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제 15 항에 있어서, 상기 제1 EBG 플레인들은 상응하도록 적층되는 상기 제2 EBG 플레인을 거쳐 상기 파워 플레인에 각각 연결되고, 상기 제2 EBG 플레인은 상기 제1 그라운드 플레인에 연결되며, 상기 제3 EBG 플레인들은 상응하도록 적층되는 상기 제4 EBG 플레인을 거쳐 상기 파워 플레인에 각각 연결되고, 상기 제4 EBG 플레인은 상기 제2 그라운드 플레인에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
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접지 전압을 제공하는 적어도 하나의 그라운드 플레인을 형성하는 단계;
전원 전압을 제공하는, 상기 그라운드 플레인에 평행한 파워 플레인을 형성하는 단계;
상기 그라운드 플레인 및 상기 파워 플레인을 관통하여 신호를 전달하는 비아 홀을 형성하는 단계; 및
상기 파워 플레인과 상기 그라운드 플레인 사이에, 상기 비아 홀을 둘러싸는 제1 및 제2 EBG 플레인들을 적층시키는 단계를 포함하고,
상기 제2 EBG 플레인들의 면적 및 개수와 상기 제1 EBG 플레인들의 면적 및 개수는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
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제 17 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 EBG 플레인들을 적층시키는 단계는 요구되는 주파수 대역에 따라 상기 제1 및 제2 EBG 플레인들의 면적과 개수를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
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제 17 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 EBG 플레인들을 적층시키는 단계는 정사각형 구조의 상기 제1 및 제2 EBG 플레인을 적층시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 EBG 플레인들을 적층시키는 단계는 상기 제1 EBG 플레인 4개를 상기 제2 EBG 플레인 1개에 상응하도록 적층시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
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제 20 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 EBG 플레인들을 적층시키는 단계는 상기 제1 EBG 플레인들을 상응하도록 적층되는 상기 제2 EBG 플레인을 거쳐 상기 파워 플레인에 각각 연결시키고, 상기 제2 EBG 플레인을 상기 그라운드 플레인에 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
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