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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2015159548
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 하부 구조체; 상기 하부 구조체 상에 다수의 도핑 영역을 포함하여 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 이격되어 형성된 제 1절연층 및 제 2절연층; 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 상에 형성된 제 3절연층; 및 상기 제 3절연층의 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층에 대응되는 영역 사이에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070016033 (2007.02.15) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-1334177-0000 (2013.11.22) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0076292 (2008.08.20) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20131128) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.02.09) |
| 심사청구항수 | 10 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정지심 | 대한민국 | 인천광역시 남구 |
| 2 | 류명관 | 대한민국 | 경기도 이천시 구 |
| 3 | 권장연 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
| 4 | 박경배 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 5 | 한민구 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 6 | 이상윤 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 7 | 박중현 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 8 | 한상면 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
| 9 | 김선재 | 대한민국 | 서울 용산구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0142414-29 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2007.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2007-0024598-69 |
| 3 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2007.03.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0183571-84 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2012.02.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0105347-18 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 7 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.01.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 8 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.02.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0009209-95 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.03.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0151411-47 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0398864-39 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.05.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0398867-76 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.09.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0624825-07 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 하부 구조체;상기 하부 구조체 상에 다수의 도핑 영역을 포함하여 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성된 이격되어 형성된 제 1절연층 및 제 2절연층;상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 상에 형성된 제 3절연층; 및상기 제 3절연층의 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층에 대응되는 영역 사이에 형성된 게이트 전극층;을 포함하며, 상기 반도체층은,상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 사이의 제 3절연층 하방에 형성된 채널 영역;상기 제 1절연층 및 제 2절연층 하부에 형성된 제 1도핑 영역;상기 채널 영역 및 상기 제 1도핑 영역 사이에 형성된 옵셋 영역;상기 제 1절연층의 좌측면 및 상기 제 2절연층의 우측면에 형성된 제 3절연층 하부에 형성된 제 2도핑 영역;상기 제 2도핑 영역의 측부에 형성된 제 3도핑 영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서,상기 제 2도핑 영역은 상기 제 1도핑 영역보다 불순물 농도가 더 높은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층의 두께와 상기 제 3절연층의 두께의 비는 1:9 내지 9:1인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 5 |
5 하부 구조체;상기 하부 구조체 상에 다수의 도핑 영역을 포함하여 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성된 이격되어 형성된 제 1절연층 및 제 2절연층;상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 상에 형성된 제 3절연층; 및상기 제 3절연층의 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층에 대응되는 영역 사이에 형성된 게이트 전극층;을 포함하며, 상기 제 3절연층의 폭의 크기는 상기 제 1절연층 및 제 2절연층의 사이의 거리보다 크며, 상기 제 1절연층의 좌측부 및 제 2절연층의 우측부 사이의 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 6 |
6 제 5항에 있어서, 상기 반도체층은,상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 사이의 제 3절연층 하방에 형성된 채널영역;상기 제 1절연층 및 제 3절연층이 형성된 영역 하방의 반도체층에 형성된 제 1도핑 영역;상기 제 1도핑 영역 및 상기 채널 영역 사이에 형성된 옵셋 영역;상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 하부의 상기 1도핑 영역 측부에 형성된 제 2도핑 영역; 및 상기 제 2도핑 영역 측부에 형성된 제 3도핑 영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 제 2도핑 영역은 상기 제 1도핑 영역보다 불순물 농도가 더 높은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 8 |
8 제 5항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층의 두께와 상기 제 3절연층의 두께의 비는 1:9 내지 9:1인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 9 |
9 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, (가) 하부 구조체 상에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층의 양측부를 패터닝하는 단계;(나) 상기 하부 구조체 및 상기 반도체층 상에 절연 물질을 형성하고 상기 절연 물질을 패터닝하여 제 1절연층 및 제 2절연층을 형성하는 단계;(다) 상기 반도체층, 제 1절연층 및 제 2절연층 상에 절연 물질을 도포하여 제 3절연층을 형성하는 단계;(라) 상기 제 3절연층 상에 전도성 물질을 도포하고 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 및(마) 상기 반도체층에 불순물을 주입한 뒤 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 (다) 단계는,상기 반도체층, 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 상에 절연 물질을 도포하는 단계;상기 절연 물질 상에 감광 물질을 도포하고, 상기 제 1절연층 및 제 2절연층의 사이의 거리보다 크며, 상기 제 1절연층의 좌측부 및 제 2절연층의 우측부 사이의 거리보다 작은 폭을 지니도록 패터닝하여 감광층을 형성하는 단계; 및상기 감광층 양측에 노출된 상기 절연 물질을 제거하여 제 3절연층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 제 9항에 있어서,상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층의 두께와 상기 제 3절연층의 두께의 비는 1:9 내지 9:1으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 9항에 있어서,상기 하부 구조체는 기판이나 기판 상에 SiO2, SiNx, 또는 유기 물질로 형성된 절연 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08124979 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20080197413 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2008197413 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8124979 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1334177-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070215 출원 번호 : 1020070016033 공고 연월일 : 20131128 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130904 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 435,000 원 | 2013년 11월 25일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2016년 10월 18일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2017년 10월 19일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2018년 10월 24일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2019년 10월 18일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2020년 10월 19일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0142414-29 |
| 2 | 보정요구서 | 2007.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2007-0024598-69 |
| 3 | 서지사항보정서 | 2007.03.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0183571-84 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2012.02.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0105347-18 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 7 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.01.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 8 | 선행기술조사보고서 | 2013.02.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0009209-95 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2013.03.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0151411-47 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0398864-39 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.05.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0398867-76 |
| 12 | 등록결정서 | 2013.09.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0624825-07 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1340018070 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1604 |
| 연구과제명 | 정보기술사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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