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패턴 어레이 형성 방법 및 이를 사용하여 형성된 패턴어레이를 포함하는 유기 소자

  • 기술번호 : KST2015160670
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 위에 제1 소수성 박막을 형성하는 단계, 상기 제1 소수성 박막의 일부를 제거하여 제1 친수성 영역을 형성하는 단계, 상기 기판의 전면에 제1 유기 용액을 도포하고 상기 제1 친수성 영역에 선택적으로 젖게 하는 단계, 상기 제1 유기 용액을 건조하여 상기 제1 친수성 영역에 제1 유기 박막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 유기 박막 패턴 위에 제2 소수성 박막을 형성하는 단계, 상기 기판의 전면에 제2 유기 용액을 도포하고 선택적으로 젖게 하는 단계, 그리고 상기 제2 유기 용액을 건조하여 제2 유기 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 어레이 형성 방법에 관한 것이다. 친수성, 소수성, 젖음성(wettability), 패턴 어레이, 유기 소자
Int. CL G03F 7/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01) H01L 51/0004(2013.01)
출원번호/일자 1020070089959 (2007.09.05)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1326127-0000 (2013.10.31)
공개번호/일자 10-2009-0024962 (2009.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20131106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.05)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이신두 대한민국 서울특별시 동작구
2 나유진 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0645742-09
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0661933-98
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0717110-48
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0717111-94
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742741-13
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0053771-09
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0530939-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 제1 소수성 박막을 형성하는 단계,상기 제1 소수성 박막의 일부를 제거하여 제1 친수성 영역을 형성하는 단계,상기 기판의 전면에 제1 유기 용액을 도포하고 상기 제1 친수성 영역에 선택적으로 젖게 하는 단계,상기 제1 유기 용액을 건조하여 상기 제1 친수성 영역에 제1 유기 박막 패턴을 형성하는 단계,상기 제1 유기 박막 패턴 위에 제2 소수성 박막을 형성하는 단계,상기 기판의 전면에 제2 유기 용액을 도포하고 선택적으로 젖게 하는 단계, 그리고상기 제2 유기 용액을 건조하여 제2 유기 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 어레이 형성 방법
2 2
제1항에서,상기 제2 소수성 박막을 형성하는 단계 후에상기 제2 소수성 박막의 일부를 제거하여 제2 친수성 영역을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제2 유기 용액은 상기 제2 친수성 영역에 선택적으로 젖는패턴 어레이 형성 방법
3 3
제2항에서,상기 제2 소수성 박막은 400nm 보다 얇은 두께로 형성하는 패턴 어레이 형성 방법
4 4
제3항에서,상기 제1 소수성 박막은 10nm 이상의 두께로 형성하는 패턴 어레이 형성 방법
5 5
제2항에서,상기 제1 유기 박막 패턴 및 상기 제2 유기 박막 패턴은 교대로 위치하는 패턴 어레이 형성 방법
6 6
제2항에서,상기 제2 소수성 박막을 형성하는 단계에서 상기 제1 소수성 박막은 용해되어 제거되는 패턴 어레이 형성 방법
7 7
제6항에서,상기 제1 소수성 박막을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 불소 함유 화합물을 포함하는 고분자 용액을 도포하며,상기 제1 친수성 영역을 형성하는 단계는 상기 제1 소수성 박막에서 불소를 부분적으로 제거하는패턴 어레이 형성 방법
8 8
제7항에서,상기 제2 소수성 박막을 형성하는 단계는 상기 제1 유기 박막 패턴 위에 불소 함유 화합물을 포함하는 고분자 용액을 도포하며,상기 제2 친수성 영역을 형성하는 단계는 상기 제2 소수성 박막에서 불소를 부분적으로 제거하는패턴 어레이 형성 방법
9 9
제8항에서,상기 고분자 용액은 불소 함유 고분자를 불소화 용매에 용해하여 제조하는 패턴 어레이 형성 방법
10 10
제8항에서,상기 제1 소수성 박막 및 상기 제2 소수성 박막에서 불소의 제거는 제1 소수성 박막 또는 상기 제2 소수성 박막 위에 마스크를 배치하고 광학적 에너지를 조사하는 패턴 어레이 형성 방법
11 11
제10항에서,상기 광학적 에너지의 조사는 엑시머 레이저를 사용하는 패턴 어레이 형성 방법
12 12
제8항에서,상기 제2 유기 박막 패턴을 형성하는 단계 후에 상기 제2 소수성 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 패턴 어레이 형성 방법
13 13
제1항에서,상기 제2 소수성 박막은 100nm 이하의 두께로 형성하고,상기 제2 유기 용액은 상기 제1 유기 박막 패턴과 중첩하는 위치에 선택적으로 젖는 패턴 어레이 형성 방법
14 14
제13항에서,상기 제2 소수성 박막을 형성하는 단계에서 상기 제1 소수성 박막은 용해되어 제거되는 패턴 어레이 형성 방법
15 15
제1항에서,상기 제1 소수성 박막을 형성하는 단계 및 상기 제2 소수성 박막을 형성하는 단계는 스핀 코팅, 딥 코팅 및 슬릿 코팅 중 적어도 하나의 방법으로 수행하는 패턴 어레이 형성 방법
16 16
제1항에서,상기 제1 유기 박막 패턴 및 상기 제2 유기 박막 패턴은 용액 형태로 제조할 수 있는 물질로부터 형성되는 패턴 어레이 형성 방법
17 17
제1항에서,상기 제1 유기 박막 패턴 및 상기 제2 유기 박막 패턴은 안료가 분산된 경화성 고분자 물질을 포함하는 패턴 어레이 형성 방법
18 18
제1항에서,상기 제1 유기 박막 패턴 및 상기 제2 유기 박막 패턴은 공액성 고분자(conjugated polymer)를 포함하는 패턴 어레이 형성 방법
19 19
제1항에서,상기 제1 유기 박막 패턴 및 상기 제2 유기 박막 패턴은 볼록한 모양을 가지는 패턴 어레이 형성 방법
20 20
제1항에서,상기 제1 유기 박막 패턴 및 상기 제2 유기 박막 패턴은 그 중심부에 편평한 부분을 가지는 패턴 어레이 형성 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09496497 US 미국 FAMILY
2 US20090057657 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009057657 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9496497 US 미국 DOCDBFAMILY
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