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이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 및 이를구비한 정보 저장 장치와 그의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015159541
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명에 의한 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 및 이를 구비한 정보 저장 장치와 그의 제조 방법에 관한 것으로, 이온화 충돌 반도체 소자(I-MOS)를 이용하고 소스 부분에 음의 전압을 인가하여 소스의 밴드 에너지를 용이하게 조절하는 새로운 탐침(probe) 구조를 개발함으로써, 이전의 저항성 탐침에서 나타났던 감도의 한계를 비약적으로 개선할 수 있을 뿐만 아니라 탐침이 감지할 수 있는 전하의 양도 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 본 발명을 통하여 충분한 온(ON)/오프(OFF) 전류 비율을 갖는 탐침을 제작할 수 있으며, 이로 인해 소자의 감도 향상에 커다란 기여를 할 수 있다.이를 위한 본 발명에 의한 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법은, (a) 실리콘 기판상에 형성된 제 1 식각 마스크 패턴을 이용하여 이등방성 식각 공정으로 탐침의 한쪽 경사면을 형성하는 단계와; (b) 상기 노출된 기판상에 불순물을 도핑하여 제 1 반도체 전극 영역을 형성한 후 상기 제 1 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계와; (c) 상기 실리콘 기판상에 상기 제 1 식각 마스크 패턴과 반대 방향의 제 2 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계와; (d) 상기 제 2 식각 마스크 패턴의 측벽에 스페이스 막을 형성하는 단계와; (e) 상기 노출된 실리콘 기판을 이등방성 식각하여 탐침의 반대편 경사면을 형성한 후 상기 스페이스 막을 제거하는 단계와; (f) 상기 노출된 기판상에 불순물을 도핑하여 제 2 반도체 전극 영역을 형성한 후 상기 제 2 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계와; (g) 상기 결과물의 실리콘 기판상에 공지의 방법으로 실리콘 산화막 패턴을 형성하는 단계와; (h) 상기 실리콘 산화막 패턴의 양 측벽에 스페이스 막을 형성하는 단계; 및 (i) 상기 스페이스 막을 사용하여 사진 및 식각 공정으로 상기 실리콘 기판을 일정 깊이로 식각한 후 상기 스페이스 막을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.이온화 충돌, 반도체 소자, 탐침, 팁, 전극, 피라미드 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/0847(2013.01) H01L 29/0847(2013.01) H01L 29/0847(2013.01) H01L 29/0847(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070004973 (2007.01.16) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0804738-0000 (2008.02.12) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080219) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.01.16) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고형수 | 대한민국 | 서울 송파구 |
| 2 | 박병국 | 대한민국 | 서울 송파구 |
| 3 | 홍승범 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
| 4 | 박철민 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 5 | 최우영 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 6 | 김종필 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 7 | 송재영 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 8 | 김상완 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 조현석 | 대한민국 | 충청남도 예산군 대술면 송석백제울길 ***(지우국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0046089-53 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 3 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.01.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0056116-69 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법에 있어서,(a) 실리콘 기판상에 형성된 제 1 식각 마스크 패턴을 이용하여 이등방성 식각 공정으로 탐침의 한쪽 경사면을 형성하는 단계와;(b) 상기 노출된 기판상에 불순물을 도핑하여 제 1 반도체 전극 영역을 형성한 후 상기 제 1 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계와;(c) 상기 실리콘 기판상에 상기 제 1 식각 마스크 패턴과 반대 방향의 제 2 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계와;(d) 상기 제 2 식각 마스크 패턴의 측벽에 스페이스 막을 형성하는 단계와;(e) 상기 노출된 실리콘 기판을 이등방성 식각하여 탐침의 반대편 경사면을 형성한 후 상기 스페이스 막을 제거하는 단계와;(f) 상기 노출된 기판상에 불순물을 도핑하여 제 2 반도체 전극 영역을 형성한 후 상기 제 2 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계와;(g) 상기 결과물의 실리콘 기판상에 공지의 방법으로 실리콘 산화막 패턴을 형성하는 단계와;(h) 상기 실리콘 산화막 패턴의 양 측벽에 스페이스 막을 형성하는 단계; 및(i) 상기 스페이스 막을 사용하여 사진 및 식각 공정으로 상기 실리콘 기판을 일정 깊이로 식각한 후 상기 스페이스 막을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 전극 영역은 상기 탐침의 일측 경사면 전체에 형성되며, 상기 제 2 반도체 전극 영역은 상기 탐침의 타측 경사면에 형성되되 상기 타측 경사면의 상부가 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 전극 영역은 상기 탐침의 일측 경사면에 형성되되 상기 일측 경사면의 상부가 노출되도록 형성되며,상기 제 2 반도체 전극 영역은 상기 탐침의 타측 경사면 전체에 형성되는 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 전극 영역은 소스 단자이고,상기 제 2 반도체 전극 영역은 드레인 단자인 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법은:상기 실리콘 기판으로 접지전압을 인가하고,상기 드레인 및 게이트 단자로 양(+)의 전압을 인가하고, 상기 소스 단자로 음(-)의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 전극 영역은 드레인 전극이고,상기 제 2 반도체 전극 영역은 소스 전극인 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법은:상기 실리콘 기판으로 접지전압을 인가하고,상기 드레인 및 게이트 단자로 양(+)의 전압을 인가하고, 상기 소스 단자로 음(-)의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 (g) 단계에서의 상기 실리콘 산화막 패턴을 형성하는 방법은:(g1) 상기 실리콘 기판상에 제 1 식각 마스크 층, 제 2 식각 마스크 층, 감광제를 순차적으로 적층하는 단계와;(g2) 상기 감광제를 패터닝한 후 사진 및 식각 공정을 통해 상기 제 2 식각 마스크 층을 식각하는 단계와;(g3) 상기 감광제를 제거한 후 상기 제 2 식각 마스크 층의 측벽에 스페이스 막을 형성하는 단계와;(g4) 상기 제 2 식각 마스크 층을 제거한 후 상기 스페이스 막을 이용하여 상기 제 1 식각 마스크 층을 식각하는 단계; 및(g5) 상기 스페이스 막을 제거하여 상기 실리콘 산화막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 (h) 단계에서의 스페이스 막은:HSQ(hydrogen silsequioxane) 용액을 도포하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 10 |
10 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 구조에 있어서,제 1 또는 제 2 불순물이 도핑된 피라이드 모양으로 구성된 실리콘 기판의 몸체부와;상기 몸체부의 첨두부에 위치한 센싱 영역과;상기 몸체부의 일측 경사면 전체에 형성되며 제 1 불순물이 고농도로 도핑된 제 1 반도체 전극 영역과;상기 몸체부의 타측 경사면에 형성되되 상기 센싱 영역과 상기 센싱 영역과 연결된 경사면의 일부가 노출되도록 형성되며 제 2 불순물이 고농도로 도핑된 제 2 반도체 전극 영역; 및상기 몸체부의 타측 경사면에서 노출된 부분에 위치한 이온화 충돌 영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 구조 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서,상기 제 1 반도체 전극 영역은 소스 단자이고,상기 제 2 반도체 전극 영역은 드레인 단자인 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 구조 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 구조는:상기 실리콘 기판으로 접지전압을 인가하고,상기 드레인 및 게이트 단자로 양(+)의 전압을 인가하고, 상기 소스 단자로 음(-)의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 구조 |
| 13 |
13 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 전극 영역은 드레인 전극이고,상기 제 2 반도체 전극 영역은 소스 전극인 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 구조 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 구조는:상기 실리콘 기판으로 접지전압을 인가하고,상기 드레인 및 게이트 단자로 양(+)의 전압을 인가하고, 상기 소스 단자로 음(-)의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 구조 |
| 15 |
15 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침을 구비한 정보 저장 장치에 있어서,제 1 또는 제 2 불순물이 도핑된 피라이드 모양으로 구성된 실리콘 기판의 몸체부와, 상기 몸체부의 첨두부에 위치한 센싱 영역과, 상기 몸체부의 일측 경사면 전체에 형성되며 제 1 불순물이 고농도로 도핑된 제 1 반도체 전극 영역과, 상기 몸체부의 타측 경사면에 형성되되 상기 센싱 영역과 상기 센싱 영역과 연결된 경사면의 일부가 노출되도록 형성되며 제 2 불순물이 고농도로 도핑된 제 2 반도체 전극 영역과, 상기 몸체부의 타측 경사면에서 노출된 부분에 위치한 이온화 충돌 영역;을 구비하는 팁(Tip); 및상기 팁의 하부에 위치하는 캔티레버를 구비하는 반도체 탐침;을 포함하며,상기 실리콘 기판으로 접지전압을 인가하고, 상기 제 1 및 제 2 반도체 전극 영역 중에서 드레인 및 게이트 단자로 양(+)의 전압을 인가하고, 소스 단자로 음(-)의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침을 구비한 정보 저장 장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US07915109 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20080169465 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2008169465 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US7915109 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0804738-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070116 출원 번호 : 1020070004973 공고 연월일 : 20080219 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080131 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 21/66 발명의 명칭 : 이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 반도체 탐침 및 이를구비한 정보 저장 장치와 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170213 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 741,000 원 | 2008년 02월 13일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2011년 01월 31일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2012년 02월 03일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2013년 01월 28일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2014년 01월 28일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2015년 01월 30일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2016년 01월 19일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0046089-53 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 3 | 등록결정서 | 2008.01.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0056116-69 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1340018070 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1604 |
| 연구과제명 | 정보기술사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345071105 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1604 |
| 연구과제명 | 정보기술사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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