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발광다이오드 소자의 결함검사 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015161624
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드 소자의 결함검사 장치 및 방법에 관한 것으로, 광원부로부터 발생된 광을 분할 또는 결합하여, 기형성된 광섬유를 통해 전달하는 광커플러부; 상기 광커플러부로부터 분할된 광을 수신하여 위상 스캔하여 반사한 후, 반사된 광을 상기 광커플러부로 전달하는 위상지연부; 상기 광커플러부로부터 입사된 광을 검사하고자 하는 발광다이오드 소자에 조사하고, 상기 발광다이오드 소자로부터 반사된 광을 상기 광커플러부로 전달하는 스캐닝부; 상기 위상지연부와 상기 스캐닝부로부터 반사된 광이 상기 광커플러부로 입사되고, 입사된 광을 전기적 신호로 변환한 후, 변환된 전기적 신호로부터 상기 발광다이오드 소자에 형성된 형광물질박막에 대한 영상을 생성하는 광간섭성단층촬영부; 상기 영상으로부터 상기 형광물질박막에 대한 부피값을 연산한 후, 연산한 부피값이 기저장된 기준부피값을 초과하거나 미만인 경우, 상기 발광다이오드소자의 결함발생을 판단하는 결함판단부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의해, 본 발명의 발광다이오드 소자의 결함검사 장치 및 방법은 결함발생여부를 검사하고자 하는 대상인 발광다이오드 소자를 파괴하지 않고도 상기 발광다이오드 소자에 광을 인가하여 상기 발광다이오드 소자의 결함발생을 판단할 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100087507 (2010.09.07)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0025234 (2012.03.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지현 대한민국 대구광역시 남구
2 조남현 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0581463-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0088383-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0382461-36
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0637154-92
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0637149-63
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0578902-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광다이오드 소자 제조 시 발생되는 결함을 비파괴적으로 검사하기 위한 발광다이오드 소자의 결함검사장치에 있어서, 광원부로부터 발생된 광을 분할 또는 결합하여, 기형성된 광섬유를 통해 전달하는 광커플러부;상기 광커플러부로부터 분할된 광을 수신하여 위상 스캔하여 반사한 후, 반사된 광을 상기 광커플러부로 전달하는 위상지연부;상기 광커플러부로부터 입사된 광을 검사하고자 하는 발광다이오드 소자에 조사하고, 상기 발광다이오드 소자로부터 반사된 광을 상기 광커플러부로 전달하는 스캐닝부;상기 위상지연부와 상기 스캐닝부로부터 반사된 광이 상기 광커플러부로 입사되고, 입사된 광을 전기적 신호로 변환한 후, 변환된 전기적 신호로부터 상기 발광다이오드 소자에 형성된 형광물질박막에 대한 영상을 생성하는 광간섭성단층촬영부상기 영상으로부터 상기 형광물질박막에 대한 부피값을 연산한 후, 연산한 부피값이 기저장된 기준부피값을 초과하거나 미만인 경우, 상기 발광다이오드소자의 결함발생을 판단하는 결함판단부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 결함검사장치
2 2
제1항에 있어서,상기 결함판단부는상기 광간섭성단층촬영부로부터 생성된 영상을 수신한 후, 수신한 상기 영상으로부터 상기 발광다이오드 소자의 형광물질박막에 대한 가로길이값, 세로길이값 및 높이값을 측정한 후, 측정한 가로길이값, 세로길이값 및 높이값을 곱하여 부피값을 연산하는 부피연산모듈; 상기 부피연산모듈로부터 연산된 부피값과 기저장된 기준부피값을 비교하여, 상기 부피값이 상기 기준부피값 보다 미만이거나 초과하는 경우, 상기 발광다이오드 소자의 결함을 판단하는 결함판단모듈; 및상기 발광다이오드 소자의 형광물질박막에 대한 기준부피값을 기저장하는 저장모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 결함검사장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 위상지연부는상기 입사된 광을 평행광으로 변환시키는 콜리메이팅렌즈;상기 평행광이 하나의 포커스로 모이도록 상기 평행광의 포커스를 조절하는 포커싱렌즈; 및상기 포커싱렌즈를 통해 하나의 포커스로 모인 상기 광을 반사시켜 광경로를 변경하는 레퍼런스미러; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 결함검사장치
4 4
제1항에 있어서, 상기 스캐닝부는상기 광커플러부를 통해 출사된 광을 평행광으로 변환시키는 콜리메이팅렌즈;상기 평행광의 광경로를 변경하여, 검사하고자 하는 발광다이오드 소자로 광을 조사하고, 상기 발광다이오드 소자로부터 반사된 반사광을 스캔한 후, 상기 반사광의 광경로를 변경하여 상기 광커플러부로 전달하는 스캐너;상기 스캐너를 통해 조사된 상기 평행광이 발광다이오드 소자에 하나의 포커스로 조사되도록 상기 평행광의 포커스를 조절하는 포커싱렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 결함검사장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 광간섭성단층촬영부는상기 위상지연부와 상기 스캐닝부로부터 반사된 광을 상기 광커플러부를 통해 수신하여 평행광으로 변환시키는 콜리메이팅렌즈;상기 평행광을 파장별로 분산하는 회절격자;상기 회절격자를 통해 파장별로 분산된 평행광을 각 파장별 하나의 포커스로 모이도록 상기 평행광의 포커스를 조절하는 포커싱렌즈;상기 포커싱렌즈를 통해 각 파장별 하나의 포커스로 모인 광을 라인상태로 스캔하여 3차원영상을 생성하는 라인스캔카메라;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 결함검사장치
6 6
발광다이오드 소자로부터 발생된 결함을 비파괴적으로 검사하기 위한 발광다이오드 소자의 결함검사방법에 있어서, 광커플러부가 광원으로부터 출사된 광을 분할하고, 분할된 광을 광섬유를 통해 출사하는 광출사단계;위상지연부가 상기 분할된 광을 위상 스캐닝하여 반사하는 광반사단계;스캐닝부가 상기 분할된 광을 발광다이오드 소자로 조사하는 광조사단계;광간섭성단층촬영부가 상기 발광다이오드 소자로 조사된 광을 스캔하여 영상을 생성하는 영상생성단계;결함판단부가 상기 영상으로부터 상기 발광다이오드 소자의 형광물질박막에 대한 부피값을 연산하는 부피연산단계;상기 결함판단부가 상기 부피값을 기저장된 기준부피값과 비교하여, 상기 부피값이 상기 기준부피값을 초과하거나 미만인 경우, 상기 발광다이오드 소자의 결함발생을 판단하는 결함판단단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 결함검사방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 부피연산단계는상기 결함판단부가 상기 발광다이오드 소자의 형광물질박막에 대한 영상을 수신하는 영상수신과정; 및상기 결함판단부가 상기 영상으로부터 상기 발광다이오드 소자의 형광물질박막에 대한 가로길이값, 세로길이값 및 높이값을 곱하여 부피값을 연산하는 부피값연산과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자의 결함검사방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2012033320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2012033320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 WO2012033320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2012033320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.