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3차원 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015161528
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, (a) 기판에 화합물 반도체층을 에피 성장하는 단계; (b) 상기 화합물 반도체층에 식각을 통하여 소정 깊이, 길이 및 폭을 갖는 핀(FIN) 구조를 형성하는 단계; (c) 상기 핀 구조 상부 표면에 게이트 산화막을 형성하는 단계; (d) 상기 게이트 영역을 제외한 영역의 상기 산화막을 식각하는 단계; 및 (e) 상기 게이트 영역의 산화막 상부에 게이트 전극을 형성하고, 상기 핀구조에서 상기 산화막이 식각된 영역에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.이와 같은 본 발명은 화합물 반도체를 이용하여 3차원 핀(FIN) 구조를 형성함으로써, 소자의 직접도를 증가시킬 수 있게 되고, 게이트 폭을 증가시켜서 고성능, 고주파, 고출력의 소자를 용이하게 제작할 수 있게 된다. 또한 3차원 형태로 게이트를 구성함으로써 단채널 효과(Short Channel Effect)를 극복하는 소자의 제작이 가능하고, 식각을 통해 핀 구조를 형성함으로써 일반적인 반도체 공정에 적용이 가능할 뿐만 아니라, 고출력/고주파의 소자를 제공할 수 있게 된다. 화합물 반도체, FIN, 밴드갭, 2DEG, FET, 소스, 드레인, 게이트
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01)
출원번호/일자 1020090135335 (2009.12.31)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1159952-0000 (2012.06.19)
공개번호/일자 10-2011-0078507 (2011.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20120625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 나경일 대한민국 부산광역시 북구
3 김기원 대한민국 대구광역시 수성구
4 김동석 대한민국 대구광역시 동구
5 강희성 대한민국 대구광역시 북구
6 이종섭 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김일환 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0820363-83
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0003756-33
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0091215-58
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0051984-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0342832-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0649018-82
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0649017-36
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0084714-81
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0205237-17
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.03.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0205236-72
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0211587-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
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(a) 기판에 제1 질화물 반도체층을 에피 성장하는 단계;(b) 상기 제1 화합물 반도체층의 특정 영역을 제외한 나머지 부분을 식각하여 상기 특정 영역에 소정 높이, 길이 및 폭을 갖는 핀(FIN) 구조를 형성하는 단계;(c) 상기 핀 구조를 제외한 기판 상부에 산화막을 형성하는 단계;(d) 상기 핀(FIN) 구조 외부 표면에 상기 제1 질화물 반도체층과 밴드갭이 다른 제2 질화물 반도체층을 에피 성장하는 단계; 및(e) 상기 제2 질화물 반도체층이 에피 성장된 핀구조 상부에 소스, 드레인 및 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 화합물 반도체 소자 제조방법
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제4항에 있어서,상기 제1 및 제2 질화물 반도체층은 MOCVD 또는 MBE 장치를 이용하여 성장하는 것을 특징을 하는 3차원 화합물 반도체 소자 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층은 GaN 반도체층이고, 제2 질화물 반도체층은 AlGaN 반도체층인 것을 특징으로 하는 3차원 화합물 반도체 소자 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 (e) 단계는,상기 제2 질화물 반도체 층이 재성장된 핀 구조 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 핀 구조의 게이트 영역을 제외한 부분의 상기 산화막을 식각하는 단계; 및상기 게이트 영역의 산화막 상부에 게이트 전극을 형성하고, 상기 핀구조에서 상기 산화막이 식각된 영역에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 화합물 반도체 소자 제조방법
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