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반도체 소자 및 그 제작 방법

기술번호 : KST2015161640
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명에 의한 반도체 소자의 제작 방법은 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 버퍼층 상에 도핑층을 형성하는 단계, 도핑층 상의 일 영역에 매립 절연층을 형성하는 단계, ELO 방식을 통하여, 도핑층의 일 영역을 제외한 나머지 영역 및 매립 절연층 상에 미도핑층을 형성하는 단계, 미도핑층의 일부에, 제 1 방향으로 마스크층을 형성하는 단계, 마스크층을 마스크로 이용하여, 미도핑층을 에칭하여, 매립 절연층의 일 영역 상에 핀형의 미도핑층을 형성하는 단계, 마스크층을 제거하는 단계, 미도핑층 표면의 적어도 일부를 덮는 절연층을 형성하는 단계, 절연층을 덮는 게이트를 형성하는 단계 및 절연층에 의해 덮이지 않은 미도핑층 표면 상에 소스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL	H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/18 (2006.01)
CPC	H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01)
출원번호/일자	1020100093074 (2010.09.27)
출원인	경북대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1193594-0000 (2012.10.16)
공개번호/일자	10-2012-0031604 (2012.04.04) 문서열기
공고번호/일자	(20121023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.09.27)
심사청구항수	15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	경북대학교 산학협력단	대한민국	대구광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이정희	대한민국	대구광역시 수성구
2	임기식	대한민국	대구광역시 북구
3	김기원	대한민국	대구광역시 수성구
4	김동석	대한민국	대구광역시 동구
5	곽은환	대한민국	경기도 성남시 분당구
6	크리스트로베뉴 소린	프랑스	대구광역시 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이현수	대한민국	서울특별시 마포구 백범로 *(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 **호(이현수상표특허법률사무소)
2	정홍식	대한민국	서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3	김태헌	대한민국	서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	경북대학교 산학협력단		대구광역시 북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.09.27	수리 (Accepted)	1-1-2010-0617640-32
2	[대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)	2011.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0227768-19
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.06.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2011-0061447-84
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.03.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0158054-13
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.05.21	수리 (Accepted)	1-1-2012-0405329-55
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.05.21	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0405330-02
8	등록결정서 Decision to grant	2012.10.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0589624-25
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.03.26	수리 (Accepted)	4-1-2018-5051994-32
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.23	수리 (Accepted)	4-1-2020-5136893-04

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성된 도핑층;상기 도핑층의 가장자리 영역을 노출시켜 형성된 매립 절연층;상기 매립 절연층에서 상기 기판의 상측면과 수직한 방향으로의 성장 속도를 상기 상측면과 수평한 방향으로의 성장 속도보다 빠르게 하여 성장하는 ＥＬＯ(epitaxial lateral overgrowth) 방식을 통하여 형성된 핀형(fin)의 미도핑층; 상기 미도핑층의 표면의 적어도 일부를 덮는 절연층;상기 절연층의 일부를 덮으면서, 양단이 상기 매립 절연층에 접촉하는 게이트; 및상기 미도핑층의 상부에서 상기 게이트를 사이에 두고 형성되며, 상기 절연층에 의해 덮이지 않은 상기 미도핑층의 표면 상에 형성된 소스 및 드레인;을 포함하되,상기 매립 절연층은 상기 미도핑층이 상기 ELO 방식에 의해 성장될 때 상기 노출시킨 가장자리 영역을 통해 상기 매립 절연층이 내부에 포함되도록 하여 상기 도핑층에 접촉함으로써 형성되며,상기 미도핑층은 상기 가장자리 영역을 통해 상기 도핑층에 접촉한 상기 미도핑층이 제거되어 상기 핀형을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
2	2 제 1 항에 있어서,상기 도핑층은 n-타입 도펀트로 도핑된 n-타입 GaN층이며,상기 미도핑층은 GaN층인 반도체 소자
3	3 제 1 항에 있어서,상기 미도핑층과 상기 게이트는 각각 제 1 방향과 제 2 방향으로 배열되며, 상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향은 서로 수직하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
4	4 제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 사파이어, SiC 및 GaN 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
5	5 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 GaN, AlGaN, InGaN 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 매립 절연층은 SiO2 또는 HfO2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
7	7 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3, Si3N4, HfO2, SiO2 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
8	8 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 도핑층을 형성하는 단계;상기 도핑층 상의 가장자리 영역을 노출시켜 매립 절연층을 형성하는 단계;상기 매립 절연층 상에서 상기 기판의 상측면과 수직한 방향으로의 성장 속도를 상기 상측면과 수평한 방향으로의 성장 속도보다 빠르게 하여 성장하는 ELO 방식을 통하여, 상기 도핑층의 상기 가장자리 영역 및 상기 매립 절연층 상에 미도핑층을 형성하는 단계;상기 미도핑층의 일부에, 제 1 방향으로 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 마스크로 이용하여, 상기 미도핑층을 에칭하여, 상기 매립 절연층의 일 영역 상에 핀형의 미도핑층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계;상기 미도핑층 표면의 적어도 일부를 덮는 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 일부를 덮으면서, 양단이 상기 매립 절연층에 접촉하는 게이트를 형성하는 단계; 및상기 미도핑층의 상부에서 상기 게이트를 사이에 두고 상기 절연층에 의해 덮이지 않은 상기 미도핑층 표면 상에 소스 및 드레인을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 매립 절연층은 상기 미도핑층이 상기 ELO 방식에 의해 성장될 때 상기 노출시킨 가장자리 영역을 통해 상기 매립 절연층이 내부에 포함되도록 하여 상기 도핑층에 접촉함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작 방법
9	9 제 8 항에 있어서,상기 도핑층은 n-타입 도펀트로 도핑된 n-타입 GaN층이며,상기 미도핑층은 GaN층인 반도체 소자 제작 방법
10	10 제 8 항에 있어서,상기 미도핑층과 상기 게이트는 각각 제 1 방향과 제 2 방향으로 배열되며, 상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향은 서로 수직하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작 방법
11	11 제 8 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 사파이어, SiC 및 GaN 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작 방법
12	12 제 8 항에 있어서,상기 버퍼층은 GaN, AlGaN, InGaN 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작 방법
13	13 제 8 항에 있어서, 상기 매립 절연층은 SiO2 또는 HfO2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작 방법
14	14 제 8 항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3, Si3N4, HfO2, SiO2 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작 방법
15	15 제 8 항에 있어서,상기 마스크층은 Si3N4층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작 방법

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특허 등록번호	10-1193594-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20100927 출원 번호 : 1020100093074 공고 연월일 : 20121023 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121002 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 반도체 소자 및 그 제작 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	315,000 원	2012년 10월 17일	납입
제 4 년분	금 액	259,000 원	2015년 09월 24일	납입
제 5 년분	금 액	259,000 원	2016년 09월 13일	납입
제 6 년분	금 액	259,000 원	2017년 09월 22일	납입
제 7 년분	금 액	335,000 원	2018년 09월 20일	납입
제 8 년분	금 액	335,000 원	2019년 09월 17일	납입
제 9 년분	금 액	335,000 원	2020년 09월 29일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.09.27	수리 (Accepted)	1-1-2010-0617640-32
2	[대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2011.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0227768-19
3	선행기술조사의뢰서	2011.06.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2011.07.15	수리 (Accepted)	9-1-2011-0061447-84
5	의견제출통지서	2012.03.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0158054-13
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.05.21	수리 (Accepted)	1-1-2012-0405329-55
7	[명세서등 보정]보정서	2012.05.21	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0405330-02
8	등록결정서	2012.10.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0589624-25
9	출원인정보변경(경정)신고서	2018.03.26	수리 (Accepted)	4-1-2018-5051994-32
10	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.23	수리 (Accepted)	4-1-2020-5136893-04


과제고유번호	1345169029
세부과제번호	2008-0062430
연구과제명	MOCVD를 이용하여 실리콘 기판 위에 선택적 GaN계 박막 성장 기술 개발
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	경북대학교 산학협력단
성과제출연도	2012
연구기간	200809~201502
기여율	0.5
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1345175564
세부과제번호	2011-0016222
연구과제명	AlGaN/GaN기반의 차세대 대전력/고효율 전력 소자 및 인버터/컨버터 IC 개발
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	경북대학교
성과제출연도	2012
연구기간	201105~201604
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1345142477
세부과제번호	R33-2010-000-10055-0
연구과제명	3차원 반도체 소자의 제작, 분석 그리고 모델링에 관한 연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	경북대학교
성과제출연도	2010
연구기간	200812~201308
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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