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인헨스먼트 노멀리 오프 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015161532
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 노멀리 오프(normally off) 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 질화물 반도체 층 소정 부위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 상기 제1 질화물 반도체 층에 이온을 주입하는 단계; 상기 게이트 전극의 절연막을 소정 두께로 식각하는 단계; 상기 이온이 주입된 소스/드레인 영역의 상기 제1 질화물 반도체 층 상부에 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 질화물 반도체 층 상부에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.이와 같은 본 발명을 제공하면, 게이트와 소오스/드레인이 셀프 얼라인으로 형성이 되고, 소스/드레인 영역에서의 2DEG 농도의 증가와 LDD 구조로 인하여 더 큰 항복전압을 갖는 노멀리 오프(normally-off) 소자를 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 2DEG 농도를 선택적으로 높이기 위한 이온주입을 용이하게 함으로써 E 모드의 고출력/고주파 반도체 소자의 제조공정의 수를 많이 줄일 수 있어서 제조단가를 크게 낮출 수 있는 큰 장점이 있다.2DEG, 노멀리 오프(normally off), HEMT, 질화물 반도체, 밴드갭, LDD(Lightly Doped Drain)
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/7833(2013.01) H01L 29/7833(2013.01) H01L 29/7833(2013.01) H01L 29/7833(2013.01)
출원번호/일자 1020090124126 (2009.12.14)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1172857-0000 (2012.08.03)
공개번호/일자 10-2011-0067512 (2011.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20120809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 하종봉 대한민국 대구광역시 동구
3 강희성 대한민국 대구광역시 북구
4 김성남 대한민국 경상북도 경주시
5 임기식 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김일환 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0771584-27
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0100366-14
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0046686-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0151939-62
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0369611-57
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0369640-71
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0710344-18
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0081275-77
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0081260-93
10 등록결정서
Decision to grant
2012.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0411895-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 상부에 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계;상기 제1 질화물 반도체 층 소정 부위에 측면에 LDD 스페이서가 형성된 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 상기 제1 질화물 반도체 층에 이온을 주입하는 단계;상기 LDD 스페이서 영역을 식각하는 단계;소스/드레인 영역의 상기 제1 질화물 반도체 층 상부에 밴드갭이 서로 다른 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 및상기 제2 질화물 반도체 층 상부에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노멀리 오프(normally off) 질화물 반도체 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 제1 질화물 반도체 층 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 폴리 실리콘 또는 금속 막을 형성하는 단계;상기 폴리 실리콘 또는 금속 막 상부에 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 몸체 형성을 위해 식각하는 단계;상기 몸체가 형성된 기판 상부에 적어도 하나의 절연막을 형성하는 단계; 및상기 몸체 측면에 LDD 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노멀리 오프(normally off) 질화물 반도체 소자의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체 층은 GaN 층인 것을 특징으로 하는 노멀리 off(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제2 질화물 반도체 층은 AlGaN 층인 것을 특징으로 하는 노멀리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체 층 및 제2 질화물 반도체 층은 MOCVD 법 또는 MBE 법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 절연막은 Al2O3 , HFO2, Si3N2 및 SiO2 중 적어도 어느 하나를 재질로 하는 것을 특징으로 하는 노멀리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판 및 상기 제1 질화물 반도체 층 사이에 AlN 을 재질로 하는 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노멀리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 LDD 스페이서는 실리콘 규소막 및 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 노멀리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법
9 9
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