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a) 정렬용 챔버에 하부기재층을 형성하는 단계;
b) 상기 하부기재층의 상면에 어셈블리용 단자를 패턴(Pattern)형성하는 단계;
c) 상기 패턴형성된 어셈블리용 단자가 매립되도록 하부보호층을 형성하는 단계;
d) 상기 하부보호층의 상면에 상부기재층을 형성하는 단계;
e) 상기 상부기재층의 상면에 정렬용 단자를 패턴형성하는 단계;
f) 상기 어셈블리용 단자에 전원을 공급하여, 상기 정렬용 단자에 나노로드를 정렬시키는 단계;
g) 상기 패턴형성된 정렬용 단자 및 나노로드가 매립되도록 상부보호층을 형성하는 단계; 및
h) 상기 상부기재층과 정렬용 단자, 나노로드, 상부보호층으로 이루어진 전자소자를 분리시키는 단계를 포함하는 나노입자를 사용한 전자소자 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 단계 f)는,
f-1) 상기 어셈블리용 단자에서 공급되는 전원에 의해 상기 정렬용 단자에 전자계를 발생시키는 과정과,
f-2) 상기 정렬용 단자에 발생되는 전계를 이용하여 나노로드의 방향성을 조절하는 과정 및
f-3) 상기 정렬용 단자에 발생되는 자계를 이용하여 나노로드를 전극상단에 정렬시켜 고정하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 사용한 전자소자 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 단계 f)는,
상기 나노로드의 양 끝단에 표면 처리된 금속물질을 결합하고, 상기 금속물질의 이방성 성질에 의한 유전영동법으로 나노로드를 정렬시키는 것을 특징으로 하는 나노입자를 사용한 전자소자 제조방법
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제 3항에 있어서,
상기 단계 d) 내지 단계 h)를 반복하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 사용한 전자소자 제조방법
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제 1항의 단계 a) 내지 단계 c)에 의해 제작된 나노입자를 사용한 전자소자 제조를 위한 베이스템플릿
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제1항의 단계 a) 내지 단계 c)로부터 형성된 하부기재층, 어셈블리용 단자, 하부보호층을 포함하여 제작된 베이스템플릿으로부터 분리된 나노입자를 사용한 전자소자에 있어서,
상기 하부보호층의 상면에 형성되는 상부기재층;
상기 상부기재층의 상면에 패턴형성되는 정렬용 단자;
상기 어셈블리용 단자에 전원을 공급하도록 상기 어셈블리용 단자와 상기 정렬용 단자가 매칭되는 부분에만 정렬되도록 형성되는 나노로드; 및
상기 정렬용 단자 및 상기 나노로드가 매립되도록 상기 정렬용 단자 및 상기 나노로드의 상면에 형성되는 상부보호층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 사용한 전자소자
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제 6항에 있어서,
상기 나노로드는, 양 끝단에 표면 처리된 금속물질을 포함하고, 상기 금속물질의 이방성 성질에 의한 유전영동법에 의하여 정렬용 단자에 정렬고정되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 사용한 전자소자
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