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제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측의 제2 면을 갖는 비전도성 고분자 기재(nonconductive polymer substrate)(100); 및상기 비전도성 고분자 기재(100)의 상기 제1 면 상의 제1 금속층(200)을 포함하되,상기 제1 금속층(200)은,상기 비전도성 고분자 기재(100)의 상기 제1 면 상의 제1 니켈-함유 타이코트층(Ni-containing tiecoat layer)(210); 및상기 제1 니켈-함유 타이코트층(210) 상의 제1 구리층(copper layer)(220)을 포함하고,상기 비전도성 고분자 기재(100)로부터 상기 제1 금속층(200)을 박리시킨 후 상기 제1 금속층(200)의 박리면에 대하여 오제 전자 분광법(Auger Electron Spectroscopy: AES)을 통해 5 nm/min의 스퍼터링 속도(실리콘 기준)로 깊이 분석(depth profiling)을 수행할 때, 금속-탄소 결합 피크(Me-C bond peak)가 40초 이상 동안 나타나는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제1항에 있어서,상기 금속-탄소 결합 피크는 264 eV에서 나타나는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제1항에 있어서,상기 금속-탄소 결합 피크는 Ni-C 결합 피크인 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제1항에 있어서,상기 비전도성 고분자 기재(100)와 상기 제1 금속층(200) 사이의 박리강도는 0
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제4항에 있어서,150℃에서 24 시간 동안의 열처리 후 측정되는 상기 비전도성 고분자 기재(100)와 상기 제1 금속층(200) 사이의 열처리 후 박리강도(peel strength after heat treatment)는 0
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제1항에 있어서,상기 비전도성 고분자 기재(100)는 폴리이미드를 포함하고,상기 제1 니켈-함유 타이코트층(210)은 Ni-Cr 합금, Ni-Mo 합금, Ni-Mo-Nb 합금, Ni-Mo-Co 합금, 및 Ni-Mo-Fe 합금 중 하나인 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제1항에 있어서,상기 비전도성 고분자 기재(100)는 10 내지 50 ㎛의 두께를 갖고,상기 제1 니켈-함유 타이코트층(210)은 50 내지 300 Å의 두께를 갖고,상기 제1 구리층(220)은 1
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제1항에 있어서,상기 제1 구리층(220)은,상기 제1 니켈-함유 타이코트층(210) 상의 제1 구리 씨드층(221); 및상기 제1 구리 씨드층(221) 상의 제1 구리 도금층(222)을 포함하는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제1항에 있어서,상기 비전도성 고분자 기재(100)의 상기 제2 면 상의 제2 금속층(200a)을 더 포함하되,상기 제2 금속층(200a)은,상기 비전도성 고분자 기재(100)의 상기 제2 면 상의 제2 니켈-함유 타이코트층(210a); 및상기 제2 니켈-함유 타이코트층(210a) 상의 제2 구리층(220a)을 포함하는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제9항에 있어서,상기 제2 구리층(220a)은,상기 제2 니켈-함유 타이코트층(210a) 상의 제2 구리 씨드층(221a); 및상기 제2 구리 씨드층(221a) 상의 제2 구리 도금층(222a)을 포함하는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제9항에 있어서,상기 비전도성 고분자 기재(100)로부터 상기 제2 금속층(200a)을 박리시킨 후 상기 제2 금속층(200a)의 박리면에 대하여 오제 전자 분광법(AES)을 통해 5 nm/min의 스퍼터링 속도(실리콘 기준)로 깊이 분석을 수행할 때, 금속-탄소 결합 피크가 40초 이상 동안 나타나는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제11항에 있어서,상기 제2 금속층(200a)의 박리면에 대하여 상기 깊이 분석을 수행할 때 나타나는 상기 금속-탄소 결합 피크는 264 eV에서 나타나는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제11항에 있어서,상기 금속-탄소 결합 피크는 Ni-C 결합 피크인 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름
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제11항에 있어서,상기 비전도성 고분자 기재(100)와 상기 제2 금속층(200a) 사이의 박리강도는 0
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제14항에 있어서,150℃에서 24 시간 동안의 열처리 후 측정되는 상기 비전도성 고분자 기재(100)와 상기 제2 금속층(200a) 사이의 열처리 후 박리강도는 0
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제1 면 및 상기 제1 면의 반대 측의 제2 면을 갖는 비전도성 고분자 기재(100)를 준비하는 단계;상기 비전도성 고분자 기재(100)에 RF 바이어스 전압을 인가한 상태에서 스퍼터링 공정을 실시함으로써 상기 비전도성 고분자 기재(100)의 상기 제1 면 상에 제1 니켈-함유 타이코트층(210)을 형성하는 단계; 및상기 제1 니켈-함유 타이코트층(210) 상에 제1 구리층(220)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 비전도성 고분자 기재(100)에 인가되는 상기 RF 바이어스 전압의 전력밀도는 0
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제16항에 있어서,상기 제1 니켈-함유 타이코트층(210)을 형성하기 전에, 상기 비전도성 고분자 기재(100)의 상기 제1 면을 플라즈마로 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 제1 구리층(220)을 형성하는 단계는,스퍼터링 공정을 통해 상기 제1 니켈-함유 타이코트층(210) 상에 제1 구리 씨드층(221)을 형성하는 단계; 및도금 공정을 통해 상기 제1 구리 씨드층(221) 상에 제1 구리 도금층(222)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 제1 구리 도금층(222)을 형성한 후, 상기 비전도성 고분자 기재(100)에 RF 바이어스 전압을 인가한 상태에서 스퍼터링 공정을 실시함으로써 상기 비전도성 고분자 기재(100)의 상기 제2 면 상에 제2 니켈-함유 타이코트층(210a)을 형성하는 단계; 스퍼터링 공정을 통해 상기 제2 니켈-함유 타이코트층(210a) 상에 제2 구리 씨드층(221a)을 형성하는 단계; 및도금 공정을 통해 상기 제2 구리 씨드층(221a) 상에 제2 구리 도금층(222a)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름의 제조방법
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제20항에 있어서,상기 제2 니켈-함유 타이코트층(210a)을 형성하기 전에, 상기 비전도성 고분자 기재(100)의 상기 제2 면을 플라즈마로 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,연성동박적층필름의 제조방법
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