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기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 스퍼터링 방법으로 저항변화층을 형성하는 단계; 및상기 저항변화층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 하부 전극 상에 스퍼터링 방법으로 저항변화층을 형성하는 단계는,상기 기판 상부에 배치된 제1 타겟 및 제2 타겟에서 생성된 플라즈마가 도달하지 않는 영역인 상기 제1 타겟 및 상기 제2 타겟 사이에 상기 기판을 배치하여 상기 저항변화층을 증착하고,상기 기판에 가해지는 플라즈마 밀도를 조절하여 상기 저항변화층의 두께를 제어하며,상기 기판에 가해지는 플라즈마 밀도는 1013 이온/m3 내지 1017 이온/m3인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리(Resistive Random Access Memory, ReRAM)의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 타겟 또는 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수평 방향의 제1 거리를 조절하여 상기 저항변화층의 증착 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 타겟 또는 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수직 방향의 제2 거리를 조절하여 상기 저항변화층의 증착 속도(growth rate)를 제어하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극 상에 스퍼터링 방법으로 저항변화층을 형성하는 단계는,산소 분위기에서 진행되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 제1 타겟 또는 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수평 방향의 제1 거리는 1cm 내지 5cm인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 타겟 또는 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수직 방향의 제2 거리는 5cm 내지 20cm인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 타겟 및 상기 제2 타겟은 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 타겟 및 상기 제2 타겟은 흑연(graphite), 탄소(C), 실리콘(Si), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니오븀(Nb), 마그네슘(Mg), 산소화된 탄소(Oxygenated Carbon, COx), 실리콘 산화물, 구리 산화물, 니켈 산화물, 티나늄 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 아연 산화물, 텅스텐 산화물, 코발트 산화물, 니오븀 산화물 및 마그네슘 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 저항변화층은 산소화된 탄소(Oxygenated Carbon, COx) 및 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극 및 상부 전극은 질화 티타늄(TiN), 질화 탄탄륨(TaN), 텅스텐(W), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu) 및 루테늄(Ru) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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기판 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하고,상기 스퍼터링 방법은, 상기 기판 상부에 배치된 제1 타겟 및 제2 타겟에서 생성된 플라즈마가 도달하지 않는 영역인 상기 제1 타겟 및 상기 제2 타겟 사이에 상기 기판을 배치하여 상기 저항변화층을 증착하고,상기 저항변화층의 두께는 상기 기판에 가해지는 플라즈마 밀도에 의해 조절되며,상기 기판에 가해지는 플라즈마 밀도는 1013 이온/m3 내지 1017 이온/m3인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
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제13항에 있어서, 상기 제1 타겟 또는 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수평 방향의 제1 거리를 조절하여 상기 저항변화층의 증착 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
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제13항에 있어서, 상기 제1 타겟 또는 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수직 방향의 제2 거리를 조절하여 상기 저항변화층의 증착 속도(growth rate)를 제어하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
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제13항에 있어서, 상기 저항변화층의 두께는 5nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
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