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고정 자성층;상기 고정자성층 상에 배치된 절연층;상기 절연층 상에 배치된 자유 자성층;상기 자유 자성층 상에 배치되며, 경금속으로 구성된 제2 비자성층; 및 상기 제2 비자성층 상에 배치되며, 중금속으로 구성된 제1 비자성층;을 포함하고, 상기 제2 비자성층은 주기율표 상에서 제3 내지 제5 주기 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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2
제1항에 있어서,상기 제2 비자성층은 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 마그네슘(Mg), 크로뮴(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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3
제1항에 있어서,상기 제1 비자성층은 주기율표 상에서 제6 주기 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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4
제1항에 있어서, 상기 제1 비자성층은 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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5
제1항에 있어서,상기 제2 비자성층의 두께는 1 내지 1
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6
제1항에 있어서,상기 자유 자성층은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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7
제1항에 있어서,상기 고정 자성층과 전기적으로 연결된 제1 전극 및 상기 제1 비자성층과 전기적으로 연결된 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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8
제1항에 있어서, 상기 제2 비자성층은 상기 자유 자성층이 수직 이방성을 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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9
제1항에 있어서, 상기 고정 자성층은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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10
제1항에 있어서,상기 고정 자성층은 반강자성층 또는 인공 반강자성층인 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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11
제1항에 있어서,상기 자유 자성층은 자화 방향이 적층 방향에 수직 방향으로 정렬되어 수직 이방성 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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12
제1항에 있어서, 상기 자유 자성층은 자화 방향이 수평 전류 인가에 의해 변하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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13
제1항에 있어서,상기 자기 메모리 소자는 자기터널접합 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀오빗토크(Spin orbit torque, STO) 기반 자기 메모리 소자
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