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자유 자성층, 절연층 및 고정 자성층이 각각 순차적으로 적층되며, 상기 자유 자성층 및 고정 자성층은 적층면에 대해 수직한 방향의 수직 자기 이방성을 가지는 셀;상기 셀의 자유 자성층과 전기적으로 연결되며, 상기 자유 자성층의 자화방향 변경을 위한 수평전류가 인가되는 제1 전극; 및상기 셀의 고정 자성층과 연결되며, 상기 자화방향 변경에 대한 임계전류값의 크기를 변경시키는 전압을 인가하는 셀 제어 전극을 포함하고,상기 제1 전극은반강자성 물질을 포함하고, 상기 자유 자성층과 접하는 상부전극; 및중금속을 포함하고, 상기 상부전극의 하부면에 위치하는 하부전극을 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 셀은 상기 제1 전극에 인가되는 수평전류가 상기 임계전류값 이상이면, 상기 자유 자성층의 자화 방향을 변경시키는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 자유 자성층은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극에 인가되는 수평전류를 제어하는 전류 제어 스위치;를 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 셀은 2 이상이고, 상기 셀에 연결된 각각의 셀 제어 전극은 상기 셀의 임계전류값의 크기를 각각 제어하며, 상기 임계전류값의 크기는 상기 셀 제어 전극에 인가되는 전압에 의해 서로 다르게 제어된 반도체 소자
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제1 전극;상기 제1 전극과 연결된 셀; 및상기 셀과 전기적으로 연결되어 상기 셀에 전압을 인가하는 셀 제어 전극을 포함하는 것으로,상기 셀은상기 제1 전극에 흐르는 수평 전류에 의해 자화 방향의 변화가 가능한 자유 자성층으로, 적층면에 대해 수직이방성을 가지는 제1 자성층;자화 방향이 고정된 고정 자성층으로, 적층면에 대해 수직이방성을 가지는 제2 자성층; 및상기 제1 자성층과 제2 자성층 사이에 배치되어, 상기 제1 자성층과 제2 자성층 사이의 전류의 흐름을 제한하는 절연층이 적층된 자기터널접합구조를 포함하고,상기 셀은 상기 셀 제어 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 제1 자성층의 자화 방향 변경을 위한 임계전류의 크기가 변경되고, 상기 임계전류에 따라 상기 제1 전극에 인가하는 수평전류의 크기가 조절되며,상기 제1 전극은반강자성 물질을 포함하고, 상기 자유 자성층과 접하는 상부전극; 및중금속을 포함하고, 상기 상부전극의 하부면에 위치하는 하부전극을 포함하는 반도체 소자
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