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쓰기 전류 및 읽기 전류가 유입되는 제1단 및 상기 유입된 쓰기 전류가 유출되는 제2단을 포함하고, 텅스텐을 포함하는 제1 전극부 및 탄탈륨을 포함하는 제2 전극부가 적어도 한 번 교변하여 배치되는 전극;상기 제1 전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제1 셀; 상기 제2 전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제2 셀; 및상기 제1 셀 및 제2 셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 각각 전압을 인가하는 제1 전압게이트 및 제2 전압게이트;를 포함하는 것으로,상기 제1 전극부 및 제2 전극부 상에는 각각 제1 셀 및 제2 셀이 배치되고,상기 전극 상에 인가된 면내 쓰기 전류에 의해 발생하는 스핀 오빗 토크에 의해 상기 제1 셀 및 제2 셀의 자유자성층의 자화방향이 변경되며,상기 제1 전압게이트 및 제2 전압게이트에 의해 상기 제1 셀 및 제2 셀의 상기 자유자성층 및 고정자성층 사이 전압을 인가하는 경우 상기 자유자성층의 자화방향 변경에 대한 임계전류 값이 변경하고, 상기 제1 전압게이트 및 제2 전압게이트에 의해 상기 제1 셀 및 제2 셀의 상기 자유자성층 및 고정자성층 사이 전압을 인가하지 않는 경우 상기 제1 셀의 상기 자유자성층의 자화방향 변경에 대한 임계전류 값이 회복하고, 상기 제2 셀의 상기 자유자성층의 자화방향 변경에 대한 임계전류 값은 마지막 상태로 유지하는 SOT 반도체 소자
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 전압게이트에 인가되는 전압에 의해 상기 자유 자성층 및 절연층 계면의 전기 레벨을 제어하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀의 임계전류값을 제어할 수 있는 제어층을 더 포함하는 SOT 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 전극은 텅스텐을 포함하는 제1전극층 및 탄탈륨을 포함하는 제2전극층이 적층하여 배치된 SOT 반도체 소자
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쓰기 전류 및 읽기 전류가 유입되는 제1단 및 상기 유입된 쓰기 전류가 유출되는 제2단을 포함하고, 텅스텐을 포함하는 제1 전극부 및 탄탈륨을 포함하는 제2 전극부가 적어도 한 번 교변하여 배치된 전극; 상기 제1 전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제1 셀; 상기 제2 전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제2 셀; 및 상기 제1 셀 및 제2 셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 각각 전압을 인가하는 제1 전압게이트 및 제2 전압게이트;를 포함하고, 상기 제1 전극부에는 제1 셀이 배치되고, 상기 제2 전극부에는 제2 셀이 배치되는 SOT 반도체 소자의 정보 기록 방법에 있어서,상기 전극에 쓰기 전류를 인가하여 상기 전극에 면내 쓰기 전류를 형성하는 단계; 상기 제1 전압게이트 또는 제2 전압게이트를 이용하여 상기 제1 셀 또는 제2 셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 전압을 인가하여, 상기 제1 셀 또는 제2 셀의 자유자성층의 자화방향 변경에 대한 임계전류값을 변경하는 단계; 및상기 제1 셀 또는 제2 셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 인가된 전압을 제거하여, 상기 제1 셀의 임계전류 값을 초기 상태로 회복시키거나, 상기 제2 셀의 임계전류 값을 상기 변경된 상태로 유지하는 단계;를 포함하는 SOT 반도체 소자의 정보 기록 방법
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쓰기 전류 및 읽기 전류가 유입되는 제1단 및 상기 유입된 쓰기 전류가 유출되는 제2단을 포함하고 텅스텐을 포함하는 제1전극부 및 탄탈륨을 포함하는 제2전극부가 적어도 한 번 교변하여 배치된 전극; 상기 제1전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제1셀; 상기 제2전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제2셀; 및 상기 제1셀 및 제2셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 각각 전압을 인가하는 제1전압게이트 및 제2전압게이트;를 포함하고, 상기 제1 전극부에는 제1 셀이 배치되고, 상기 제2 전극부에는 제2 셀이 배치되는 SOT 반도체 소자의 정보 기록 방법에 있어서,상기 제1전압게이트를 이용하여 상기 제1셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 전압을 인가하여 상기 제1셀의 자유자성층의 자화방향 변경의 임계전류 값을 변경하는 단계; 및상기 제1 전압게이트의 전압을 유지하면서, 상기 전극에 변경된 임계전류 값 이상의 값을 갖는 쓰기 전류를 인가하여 상기 제1셀의 자유자성층의 자화방향을 변경하는 단계를 포함하는 SOT 반도체 소자의 정보 기록 방법
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쓰기 전류 및 읽기 전류가 유입되는 제1단 및 상기 유입된 쓰기 전류가 유출되는 제2단을 포함하고 텅스텐을 포함하는 제1전극부 및 탄탈륨을 포함하는 제2전극부가 적어도 한 번 교변하여 배치된 전극; 상기 제1전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제1셀; 상기 제2전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제2셀; 및 상기 제1셀 및 제2셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 각각 전압을 인가하는 제1전압게이트 및 제2전압게이트;를 포함하고, 상기 제1 전극부에는 제1 셀이 배치되고, 상기 제2 전극부에는 제2 셀이 배치되는 SOT 반도체 소자의 정보 기록 방법에 있어서,상기 제2전압게이트를 이용하여 상기 제2셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 전압을 인가하여 상기 제2셀의 자유자성층의 자화방향 변경의 임계전류 값을 감소시키는 단계; 상기 제2셀의 상기 자유자성층 및 고정자성층 사이에 인가된 전압을 제거하여, 상기 제2 셀의 임계전류값을 상기 감소된 상태로 유지하는 단계; 및상기 전극에 상기 감소된 임계전류 값 이상의 값을 갖는 쓰기 전류를 인가하여 상기 제2셀의 자유자성층의 자화방향을 변경하는 단계;를 포함하는 SOT 반도체 소자의 정보 기록 방법
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쓰기 전류 및 읽기 전류가 유입되는 제1단 및 상기 유입된 쓰기 전류가 유출되는 제2단을 포함하고 텅스텐을 포함하는 제1전극부 및 탄탈륨을 포함하는 제2전극부가 적어도 한 번 교변하여 배치된 전극; 상기 제1전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제1셀; 상기 제2전극부 상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 제2셀; 및 상기 제1셀 및 제2셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 전압을 인가하는 커먼(common) 전압게이트;를 포함하고, 상기 제1 전극부에는 제1 셀이 배치되고, 상기 제2 전극부에는 제2 셀이 배치되는 SOT 반도체 소자의 정보 기록 방법에 있어서,상기 커먼 전압게이트를 이용하여 상기 제1셀 및 제2셀의 자유자성층 및 고정자성층 사이에 전압을 인가하여 상기 제1셀 및 제2셀의 자유자성층의 자화방향 변경의 임계전류 값을 변경하는 단계; 상기 제1셀 및 제2셀의 상기 자유자성층 및 고정자성층 사이에 인가된 전압을 제거하여, 상기 제1 셀의 임계전류 값을 초기 상태로 회복시키고, 상기 제2 셀의 임계전류 값을 상기 변경된 상태로 유지하는 단계; 및상기 전극에 상기 제1셀의 초기 상태로 회복된 임계전류 값과 상기 제2셀의 변경된 임계전류 값 사이의 값을 갖는 쓰기 전류를 인가하고, 상기 전극에 면내 쓰기 전류를 형성하여 상기 제1셀 또는 제2셀의 자유자성층의 자화방향을 변경하는 단계;를 포함하는 SOT 반도체 소자의 정보 기록 방법
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