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제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층을 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하는 셀; 및 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 가열부;을 포함하는 것으로, 상기 자유 자성층 및 고정 자성층은자화 방향이 적층면에 수직 방향으로 정렬되어 수직 이방성 특성을 가지고,상기 제1 전극은임계전류값 이상의 수평전류가 인가되면, 상기 수평전류의 방향에 따라 상기 자유 자성층의 자화 방향을 변경시키며,상기 가열부는상기 제1 전극에 열구배를 형성하여, 상기 임계전류값의 크기를 변경시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 가열부는 상기 제1 전극 상에 배치된 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 가열부에 의해 열구배가 형성되는 방향은 상기 제1 전극에 인가되는 전류 방향인 반도체 소자
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제 1항에 있어서, 상기 자유 자성층의 자화 방향은 상기 가열부에 의해 형성된 열구배에 의해 변하는 것을 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층을 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하는 셀; 및 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 가열부;을 포함하는 것으로, 상기 제1 전극은 전류의 이동 방향으로 두께 또는 폭 구배를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 1항에 있어서, 상기 가열부는 발열 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층을 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하는 셀; 및 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 가열부;을 포함하는 것으로, 상기 가열부는 제1 전극 보다 전기 전도도가 높은 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층을 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하는 셀; 및 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 가열부;을 포함하는 것으로, 상기 제1 전극의 적어도 일부에 형성된 단열 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층을 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하는 셀; 및 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 가열부;을 포함하는 것으로,상기 제1 전극의 적어도 일부에 형성된 방열 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층을 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하는 셀, 및 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 가열부를 포함하며, 상기 자유 자성층 및 고정 자성층은 자화 방향이 적층면에 수직 방향으로 정렬되어 수직 이방성 특성을 가지는 반도체 소자의 제어방법에 있어서, 상기 제1 전극에 열구배를 형성하여, 상기 셀의 임계 전류값을 변경하는 단계; 및상기 제1 전극에 상기 임계 전류값 이상의 수평전류를 인가하여, 상기 셀에 정보를 저장하는 단계;를 포함하는 것으로, 상기 셀에 정보를 저장하는 단계는상기 수평전류에 의해 형성된 스핀오빗토크(Spin Orbit Torque)를 이용하여 상기 자유 자성층의 자화 방향을 변경시켜 상기 정보를 저장하는 반도체 소자의 제어방법
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제11항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 셀을 통하는 전류를 인가하여, 상기 셀의 정보를 읽는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제어방법
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제 11항에 있어서, 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 단계에서, 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 방법은 상기 가열부에 전류를 인가하여 수행되는 반도체 소자의 제어방법
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제 11항에 있어서, 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 단계에서, 상기 제1 전극에 열구배를 형성하는 방법은 상기 제1 전극에 빛을 조사하여 수행되는 반도체 소자의 제어방법
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제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층을 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하는 셀; 및외부의 에너지원을 수용하여 상기 제1 전극의 온도를 변화시키는 광수용부를 포함하는 것으로, 상기 자유 자성층 및 고정 자성층은자화 방향이 적층면에 수직 방향으로 정렬되어 수직 이방성 특성을 가지고,상기 제1 전극은임계전류값 이상의 수평전류가 인가되면, 상기 수평전류의 방향에 따라 상기 자유 자성층의 자화 방향을 변경시키며,상기 광수용부는상기 제1 전극에 열구배를 형성하여, 상기 임계전류값의 크기를 변경시키는 것을 특징으로 하는 광학 스위치
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