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온도 보상형 저항성 메모리 장치(TEMPERATURE COMPENSATION TYPE RESISTIVE MEMORY DEVICE)

  • 기술번호 : KST2017014705
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 오보닉 문턱 스위치와 상이한 비교 전압을 이용하여 온도에 따른 독출 데이터의 오류를 최소화할 수 있는 온도 보상형 저항성 메모리 장치를 제공한다.본 발명에 따르면, 온도 보상형 저항성 메모리 장치는, 다수의 저항성 메모리 셀 - 상기 저항성 메모리 셀은 칼코게나이드 물질 또는 오보닉 물질을 포함함 - 이 배치된 저항성 메모리 셀 어레이; 다수의 상이한 독출용 비교 전압을 출력하도록 구성된 분압 저항부; 외부로부터 인가되는 스위칭 신호에 제어되어 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압이나 하기 먹스를 통해 출력되는 독출용 기준 전압을 상기 다수의 저항성 메모리 셀 중 적어도 일부에 출력하는 스위칭부; 상기 독출용 비교 전압에 의해 생성되는 독출용 비교 전류와 독출용 기준 전류를 비교하여 출력하는 센스 앰프 유닛; 상기 센스 앰프 유닛으로부터 출력되는 데이터를 저장 및 출력하는 출력 데이터 저장부; 상기 출력 데이터 저장부로부터 출력되는 데이터를 이용하여 상기 독출용 기준 전압을 계산하는 평균 전압 계산부; 및 상기 평균 전압 계산부로부터 출력되는 신호에 제어되어 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압 중 어느 하나를 선택하는 먹스를 포함한다.
Int. CL G11C 13/00 (2016.04.09) G11C 7/04 (2016.04.09)
CPC G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01) G11C 13/0007(2013.01)
출원번호/일자 1020160026116 (2016.03.04)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0104061 (2017.09.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.07.21)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤정혁 대한민국 경기도 안양시 만안구
2 김택승 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 류승탁 대한민국 대전 유성구
4 진동환 대한민국 서울시 송파구
5 권지욱 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0210370-48
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
5 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0757505-72
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번호 청구항
1 1
다수의 저항성 메모리 셀 - 상기 저항성 메모리 셀은 칼코게나이드 물질 또는 오보닉 물질을 포함함 - 이 배치된 저항성 메모리 셀 어레이;다수의 상이한 독출용 비교 전압을 출력하도록 구성된 분압 저항부;외부로부터 인가되는 스위칭 신호에 제어되어 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압이나 하기 먹스를 통해 출력되는 독출용 기준 전압을 상기 다수의 저항성 메모리 셀 중 적어도 일부에 출력하는 스위칭부;상기 독출용 비교 전압에 의해 생성되는 독출용 비교 전류와 독출용 기준 전류를 비교하여 출력하는 센스 앰프 유닛;상기 센스 앰프 유닛으로부터 출력되는 데이터를 저장 및 출력하는 출력 데이터 저장부;상기 출력 데이터 저장부로부터 출력되는 데이터를 이용하여 상기 독출용 기준 전압을 계산하는 평균 전압 계산부; 및상기 평균 전압 계산부로부터 출력되는 신호에 제어되어 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압 중 어느 하나를 선택하는 먹스를 포함하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 분압 저항부로부터 출력되는 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압은 임의의 단일 기울기를 가진 직선 상에 위치하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 분압 저항부로부터 출력되는 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압은 부호가 다른 기울기를 가진 제1 및 제2 직선 상에 위치하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 제1 및 제2 직선은 기울기의 절대치가 동일한 온도 보상형 저항성 메모리 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 평균 전압 계산부는, 상기 제1 직선을 통해 제1 리셋 문턱 전압 및 제1 셋 문턱 전압을 찾아내고, 상기 제2 직선을 통해 제2 리셋 문턱 전압 및 제2 셋 문턱 전압을 찾아내며, 상기 제1 리셋 문턱 전압과 상기 제2 리셋 문턱 전압의 중간인 평균 리셋 문턱 전압을 생성하고, 상기 제1 셋 문턱 전압과 상기 제2 셋 문턱 전압의 중간인 평균 셋 문턱 전압을 생성하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 분압 저항부로부터 출력되는 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압은 1차적으로 연속 직선 상에 위치하고, 2차적으로 불연속 직선 상에 위치하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
7 7
제5항에 있어서,상기 연속 직선의 기울기는 상기 불연속 직선의 기울기보다 더 큰 경사를 가지는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
8 8
제6항에 있어서,상기 불연속 직선의 상부측은 상기 연속 직선을 통해 검출된 리셋 문턱 전압보다 증가하는 방향으로 리셋 전압/온도 기울기를 따라 상기 독출용 비교 전압을 제공하고, 상기 불연속 직선의 하부측은 상기 연속 직선을 통해 검출된 셋 문턱 전압보다 감소하는 방향으로 셋 전압/온도 기울기를 따라 상기 독출용 비교 전압을 제공하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
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온도 보상을 위해 다수의 저항성 메모리 셀 - 상기 저항성 메모리 셀은 칼코게나이드 물질 또는 오보닉 물질을 포함함 - 이 배치된 기준 셀 어레이;다수의 상이한 독출용 비교 전압을 출력하도록 구성된 분압 저항부;외부로부터 인가되는 스위칭 신호에 제어되어 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압이나 하기 먹스를 통해 출력되는 독출용 기준 전압을 상기 기준 셀 어레이에 출력하는 스위칭부;상기 독출용 비교 전압에 의해 생성되는 독출용 비교 전류와 독출용 기준 전류를 비교하여 출력하는 센스 앰프 유닛;상기 센스 앰프 유닛으로부터 출력되는 데이터를 저장 및 출력하는 출력 데이터 저장부;상기 출력 데이터 저장부로부터 출력되는 데이터를 이용하여 상기 독출용 기준 전압을 계산하는 평균 전압 계산부; 및상기 평균 전압 계산부로부터 출력되는 신호에 제어되어 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압 중 어느 하나를 선택하는 먹스를 포함하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
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제9항에 있어서,상기 분압 저항부로부터 출력되는 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압은 임의의 단일 기울기를 가진 직선 상에 위치하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
11 11
제9항에 있어서,상기 분압 저항부로부터 출력되는 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압은 부호가 다른 기울기를 가진 제1 및 제2 직선 상에 위치하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
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제11항에 있어서,상기 평균 전압 계산부는, 상기 제1 직선을 통해 제1 리셋 문턱 전압 및 제1 셋 문턱 전압을 찾아내고, 상기 제2 직선을 통해 제2 리셋 문턱 전압 및 제2 셋 문턱 전압을 찾아내며, 상기 제1 리셋 문턱 전압과 상기 제2 리셋 문턱 전압의 중간인 평균 리셋 문턱 전압을 생성하고, 상기 제1 셋 문턱 전압과 상기 제2 셋 문턱 전압의 중간인 평균 셋 문턱 전압을 생성하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
13 13
제9항에 있어서,상기 분압 저항부로부터 출력되는 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압은 1차적으로 연속 직선 상에 위치하고, 2차적으로 불연속 직선 상에 위치하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
14 14
제13항에 있어서,상기 연속 직선의 기울기는 상기 불연속 직선의 기울기보다 더 큰 경사를 가지는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
15 15
제14항에 있어서,상기 불연속 직선의 상부측은 상기 연속 직선을 통해 검출된 리셋 문턱 전압보다 증가하는 방향으로 리셋 전압/온도 기울기를 따라 상기 독출용 비교 전압을 제공하고, 상기 불연속 직선의 하부측은 상기 연속 직선을 통해 검출된 셋 문턱 전압보다 감소하는 방향으로 셋 전압/온도 기울기를 따라 상기 독출용 비교 전압을 제공하는 온도 보상형 저항성 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.