맞춤기술찾기

이전대상기술

멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법

  • 기술번호 : KST2015116466
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 셀에 흐르는 넓은 범위의 전류를 효율적으로, 정확하게, 그리고 신속하게 검출할 수 있는 멀티 레벨 메모리 소자를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 별도의 승압전압용 회로 없이 메모리 셀에 저장된 멀티 레벨 데이터를 신속하게 검출할 수 있는 멀티 레벨 메모리 소자를 제공할 수 있다. 본 발명에 따른 멀티 레벨 메모리 장치는, 상이한 크기의 전류를 통과시키는 적어도 두개 이상의 전류 경로; 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로와 전기적으로 선택적으로 연결되는 메모리 셀; 및 상기 메모리 셀에 흐르는 셀 전류를 복제하고, 상기 셀 전류의 크기가 소정의 기준치를 초과하는지의 여부를 검출하는 거친검출부를 포함한다.
Int. CL G11C 11/56 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC G11C 11/5642(2013.01)G11C 11/5642(2013.01)G11C 11/5642(2013.01)G11C 11/5642(2013.01)
출원번호/일자 1020130054719 (2013.05.15)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-2013633-0000 (2019.08.19)
공개번호/일자 10-2014-0134835 (2014.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (20190823) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.17)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박철현 대한민국 서울 강동구
2 류승탁 대한민국 대전 유성구
3 권지욱 대한민국 대전 유성구
4 진동환 대한민국 서울 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0427132-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-1147300-64
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0305403-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0494646-30
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0494651-69
11 등록결정서
Decision to grant
2019.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0544875-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상이한 크기의 전류를 통과시키는 적어도 두개 이상의 전류 경로;상기 적어도 두개 이상의 전류 경로와 전기적으로 선택적으로 연결되는 메모리 셀; 상기 메모리 셀에 흐르는 셀 전류를 복제하고, 상기 셀 전류의 크기가 소정의 기준치를 초과하는지의 여부를 검출하는 거친검출부;상기 거친검출부의 출력을 이용하여 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로 중 어느 하나의 전류 경로를 선택하고, 선택된 전류 경로에 배치된 충전수단을 충전하는 충전선택부;상이한 크기를 가진 복수의 전류원을 이용하여 소정 시간 간격마다 상태를 천이하는 상태천이신호를 출력하는 타이밍부;상기 충전선택부의 출력을 이용하여 상기 타이밍부로부터 출력되는 상태천이신호를 트랩하는 미세검출부; 및상기 거친검출부의 출력과 상기 미세검출부의 출력을 결합하여 상기 셀 전류를 디지털적으로 출력하는 셀전류출력부를 포함하고, 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로는, 상기 셀 전류의 제1 범위를 통과시킬 수 있는 제1 셀복제전류구동부; 및 상기 셀 전류의 제1 범위를 벗어난 제2 범위를 통과시킬 수 있는 제2 셀복제전류구동부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 거친검출부의 상기 기준치는 적어도 하나 이상인 멀티 레벨 메모리 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 셀복제전류구동부와, 상기 제2 셀복제전류구동부는 서로 다른 크기의 전류 능력을 가진 멀티 레벨 메모리 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 메모리 셀, 상기 거친검출부, 상기 제1 셀복제전류구동부, 및 상기 제2 셀복제전류구동부는 각각 옵셋전류를 발생시키는 동일 크기의 옵셋전류원을 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 타이밍부는,적어도 2 이상의 상이한 크기를 갖는 전류를 동시에 그리고 독립적으로 공급할 수 있는 복수의 전류원을 포함하는 전류공급부;상기 복수의 전류원으로부터 출력되는 각기 다른 전류의 크기를 각기 다른 시간으로 변환하여 출력하는 충전시간검출부; 및상기 충전시간검출부의 출력을 코드화하는 인코더를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 미세검출부는,상기 셀 전류에 의해 상기 충전수단에 충전되는 충전 전압이 소정 레벨에 도달하면 상태를 천이하는 셀전류레벨검출신호를 출력하는 셀전류레벨검출부; 및상기 셀전류레벨검출신호에 제어되어 상기 셀전류레벨검출신호가 상태를 천이하는 순간 상기 타이밍부로부터 출력되는 코드값을 저장하고 출력하는 미세검출값관리부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
10 10
제9항에 있어서, 상기 충전시간검출부는,상기 복수의 전류원으로부터 독립적으로 출력되는 전류에 의해 독립적으로 충전되는 복수의 충전기; 및상기 복수의 충전기에 충전되는 충전 전압이 소정 레벨에 도달하면 상태를 천이하는 상태천이신호를 출력하는 충전레벨검출부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 셀전류레벨검출부의 셀전류레벨검출신호와 상기 충전레벨검출부의 상태천이신호는 동일 레벨에서 상태를 천이하는 멀티 레벨 메모리 장치
12 12
복수의 A/D 컨버터; 및상이한 크기를 가진 복수의 전류원을 이용하여 소정 시간 간격마다 상태를 천이하는 상태천이신호를 출력하는 타이밍부를 포함하고,상기 복수의 A/D 컨버터 각각은, 상기 타이밍부의 출력을 공유하는 멀티 레벨 메모리 장치
13 13
제12항에 있어서, 상기 복수의 A/D 컨버터는,상이한 크기의 전류를 통과시키는 적어도 두개 이상의 전류 경로;메모리 셀에 흐르는 셀 전류를 복제하고, 상기 셀 전류의 크기가 소정의 기준치를 초과하는지의 여부를 검출하는 거친검출부;상기 거친검출부의 출력을 이용하여 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로 중 어느 하나의 전류 경로를 선택하고, 선택된 전류 경로에 배치된 충전수단을 충전하는 충전선택부;상기 충전선택부의 출력을 이용하여 상기 타이밍부로부터 출력되는 상태천이신호를 트랩하는 미세검출부; 및상기 거친검출부의 출력과 상기 미세검출부의 출력을 결합하여 상기 셀 전류를 디지털적으로 출력하는 셀전류출력부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
14 14
제13항에 있어서, 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로는,상기 셀 전류의 제1 범위를 통과시킬 수 있는 제1 셀복제전류구동부; 및상기 셀 전류의 제1 범위를 벗어난 제2 범위를 통과시킬 수 있는 제2 셀복제전류구동부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 장치
15 15
제14항에 있어서,상기 거친검출부의 상기 기준치는 적어도 하나 이상인 멀티 레벨 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101905746 KR 대한민국 FAMILY
2 US09159411 US 미국 FAMILY
3 US20140010023 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.