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전하를 트랩하는 트랩핑층으로, 고분자인 매트릭스에 금속 산화물이 분산된 유-무기 복합체의 막을 포함하는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 1항에 있어서,상기 유-무기 복합체의 막은 상기 금속 산화물의 금속이 산소를 매개로 상기 고분자와 결합되어, 원자 단위로 분산되어 있는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 1항에 있어서,상기 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자는,유기 블록킹층, 상기 트랩핑층, 유기 기반 터널링층 및 유기 반도체층 순차적으로 적층된 적층 구조를 포함하는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 3항에 있어서,상기 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자는,상기 유기 반도체층 상부에 형성된 소스, 드레인 및 상부 게이트를 포함하며,상기 블록킹층 하부에 형성된 하부 게이트를 포함하는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 3항에 있어서,진공(vacuum) 상 전자의 에너지 레벨(energy level, eV)을 기준(0 ev)으로 한 에너지 밴드 다이어그램에서, 상기 블록킹층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 에너지 레벨 및 상기 터널링층의 LUMO 에너지 레벨은 각각 상기 트랩핑층의 LUMO 에너지 레벨보다 높은 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 5항에 있어서,상기 에너지 밴드 다이어그램에서, 상기 블록킹층의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 레벨 및 상기 터널링층의 HOMO 에너지 레벨은 각각 상기 트랩핑층의 HOMO 에너지 레벨보다 낮은 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 5항에 있어서,상기 블록킹층의 LUMO 에너지 레벨 또는 상기 터널링층의 LUMO 에너지 레벨과 상기 트랩핑층의 LUMO 에너지 레벨간의 차는 0
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제 5항에 있어서,상기 블록킹층의 밴드갭 에너지와 상기 터널링층의 밴드갭 에너지 중 작은 밴드갭 에너지를 기준으로, 기준이 되는 밴드갭 에너지와 상기 트랩핑층의 밴드갭 에너지간의 차는 1
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제 3항에 있어서,상기 블록킹층은 제2고분자인 매트릭스에 제2 금속 산화물이 분산된 제2 유-무기 복합체의 막인 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 9항에 있어서,상기 블록킹층의 유전상수는 상기 터널링층의 유전상수의 1
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제 3항에 있어서,상기 트랩핑층의 유전 상수(dielectric constant)는 상기 터널링층의 유전 상수보다 큰 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 1항에 있어서,하기 식 1을 만족하는 보존성(retention)을 갖는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 1항에 있어서,하기 식 2 및 식 3을 만족하는 온도 신뢰성을 갖는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 1항에 있어서,하기 식 4 및 식 5를 만족하는 변형 신뢰성을 갖는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 1항에 있어서,상기 유-무기 복합체에서, 금속산화물의 함량에 의해, 트랩핑층의 HOMO 에너지 레벨, LUMO 에너지레벨 및 밴드갭 에너지를 포함하는 전기적 특성 및 유전상수를 포함하는 물리적 특성이 제어되는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 1항에 있어서,상기 금속 산화물의 금속은 하프늄, 티타늄 및 지르코늄에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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제 9항에 있어서,상기 제2 금속 산화물의 금속은 알루미늄을 포함하는 전하포획형 비휘발성 유기 메모리 소자
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