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(a) 일정 온도 이상에서 열분해되는 성질을 갖는 열가소성 고분자 물질을 기판상에 도포하여 상기 기판위에 버퍼층을 형성하는 단계;(b) 상기 버퍼층의 표면에 전도성 잉크를 인쇄하여 전극 패턴을 형성하는 단계; 및(c) 상기 전극 패턴을 열소결하는 단계;를 구비하고, 상기 (c) 단계는 상기 열가소성 고분자 물질의 열분해 온도보다 높은 온도에서 전극 패턴을 열소결하는 것을 특징으로 하며,상기 (c) 단계의 전극 패턴의 열소결에 의해, 상기 전극 패턴과 기판 사이에 위치한 한정된 영역의 버퍼층을 구성하는 열가소성 고분자 물질이 선택적으로 열분해되어 제거되어, 전극 패턴의 모서리를 따라 지지대가 형성됨으로써, 전극 패턴이 지지대(anchor)에 의해 기판위에 플로팅(floating)된 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 버퍼층은 상온의 대기에 노출된 상태에서 기판으로 버퍼층의 열분해 온도 이상의 열을 인가하여 상기 전극 패턴을 열소결하는 것을 특징으로 하며,상기 열소결하는 동안, 전극 패턴과 기판 사이에 위치한 한정된 영역의 버퍼층은 열분해 온도보다 높은 온도를 유지하여 열분해시키고, 상온의 대기에 노출된 버퍼층은 열분해 온도보다 낮은 온도를 유지하여 열분해되지 않도록 하여, 버퍼층의 한정된 영역을 선택적으로 열분해시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 전극 패턴에 대한 열 소결에도 변형이나 파손되지 않는 내열성 유리 기판인 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계 이후에 (d) 버퍼층을 식각하는 단계를 더 구비하고, 상기 (d) 단계는, 버퍼층을 식각하되, 식각 조건을 제어하여 전극 패턴의 모서리의 하부 영역을 식각시켜 전극 패턴과 버퍼층이 접하는 면적을 조절하는 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴 형성 방법
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제4항에 있어서, 상기 (d) 단계는 버퍼층을 습식 식각하며, 상기 버퍼층의 식각액은 상기 전극 패턴의 특성에 영향을 주지 않는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴 형성 방법
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제4항에 있어서, 상기 (d) 단계는 버퍼층에 대한 식각 속도 또는 식각 시간을 제어하여, 전극 패턴과 버퍼층이 접하는 면적을 조절하는 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도성 잉크는 분산제가 표면에 코팅된 금속 나노 입자들이 용매에 분산되어 구성되고, 상기 전도성 잉크는 열 소결 처리에 의해 고전도도 특성을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 버퍼층을 구성하는 열가소성 고분자 물질은 기판의 표면에 코팅이 가능하도록 하는 낮은 점성과 낮은 표면 장력을 갖는 유기물인 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴 형성 방법
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(a) 일정 온도 이상에서 열분해되는 성질을 갖는 열가소성 고분자 물질을 제1 기판상에 도포하여 상기 제1 기판위에 버퍼층을 형성하는 단계;(b) 상기 버퍼층의 표면에 전도성 잉크를 인쇄하여 전극 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 전극 패턴을 열소결하고, 열소결과 동시에 발생된 버퍼층의 열분해에 의해 셀프-패터닝된 지지대를 형성하는 단계; (d) 지지대에 의해서 전극 패턴이 고정되고 정렬된 상태에서 스탬프를 이용하여 상기 제1 기판으로부터 상기 전극 패턴을 픽업하는 단계; 및(e) 상기 픽업된 전극 패턴을 제2 기판상에 전사하는 단계;를 구비하고, 상기 (c) 단계는 상기 열가소성 고분자 물질의 열분해 온도보다 높은 온도에서 전극 패턴을 열소결하는 것을 특징으로 하며,상기 (c) 단계의 전극 패턴의 열소결에 의해, 상기 전극 패턴과 제1 기판 사이에 위치한 한정된 영역의 버퍼층을 구성하는 열가소성 고분자 물질이 선택적으로 열분해되어 제거되고, 상기 지지대가 전극 패턴의 모서리를 따라 형성됨으로써, 전극 패턴이 지지대(anchor)에 의해 제1 기판위에 플로팅(floating)된 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴을 이용한 전사 인쇄 방법
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제9항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 버퍼층은 상온의 대기에 노출된 상태에서 제1 기판으로 버퍼층의 열분해 온도 이상의 열을 인가하여 상기 전극 패턴을 열소결하는 것을 특징으로 하며상기 열소결하는 동안, 전극 패턴과 제1 기판 사이에 위치한 한정된 영역의 버퍼층은 열분해 온도보다 높은 온도가 유지되어 열분해되고, 상온의 대기에 노출된 버퍼층은 열분해 온도보다 높은 온도가 유지되지 못해 열분해되지 않도록 하여, 버퍼층의 한정된 영역을 선택적으로 열분해시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴을 이용한 전사 인쇄 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 기판은 전극 패턴에 대한 열 소결에도 변형이나 파손되지 않는 내열성 유리 기판이며,상기 제2 기판은 유연한 기판인 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴을 이용한 전사 인쇄 방법
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제9항에 있어서, 상기 (c) 단계 이후에 버퍼층을 식각하는 단계를 더 구비하고, 상기 버퍼층을 식각하는 단계는, 버퍼층을 식각하되, 식각 조건을 제어하여 전극 패턴과 지지대의 접하는 면적을 조절하는 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴을 이용한 전사 인쇄 방법
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제9항에 있어서, 상기 (e) 단계는 (e1) 제2 기판의 전면에 접착 물질을 도포하여 접착층을 형성하는 단계;(e2) 상기 스탬프에 픽업된 전극 패턴을 상기 접착층의 표면에 배치하여 상기 전극 패턴을 제2 기판에 접착시키는 단계;(e3) 상기 전극 패턴으로부터 상기 스탬프를 분리시키는 단계; 를 구비하여, 상기 접착층을 매개로 하여 상기 제2 기판상에 전극 패턴을 전사 프린팅시키는 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴을 이용한 전사 인쇄 방법
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제9항에 있어서, 상기 (e) 단계는 (e1) 상기 전극 패턴을 픽업한 스탬프를 접착 물질에 콘택 프린팅(Contact printing)하여, 스탬프의 전극 패턴의 하부면에 접착층을 형성하는 단계;(e2) 상기 접착층이 형성된 스탬프를 상기 제2 기판상에 배치하는 단계;(e3) 상기 전극 패턴으로부터 상기 스탬프를 분리시키는 단계; 를 구비하여, 상기 접착층을 매개로 하여 상기 제2 기판상에 전극 패턴을 전사 프린팅시키는 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴을 이용한 전사 인쇄 방법
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제9항에 있어서, 상기 전도성 잉크는 분산제가 표면에 코팅된 금속 나노 입자들이 용매에 분산되어 구성되고, 상기 전도성 잉크는 열 소결 처리에 의해 고전도도 특성을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 플로팅 구조의 전극 패턴을 이용한 전사 인쇄 방법
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