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반도체 소자 제조방법에 있어서,제1 반도체층을 마련하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 기 설정된 폭을 갖는 마스크층을 형성하여 상기 제1 반도체층을 건식 식각하는 단계;상기 제1 반도체층의 폭이 상기 마스크층의 폭보다 작은 폭을 갖도록 상기 건식 식각된 제1 반도체층의 측면을 습식 식각하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계;상기 건식 식각 및 상기 습식 식각에 의해 상기 제1 반도체층이 제거된 부분에 기 설정된 높이의 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 트렌치를 메꾸고, 상기 트렌치의 폭보다 넓은 컨텍 영역을 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 습식 식각하는 단계는, TMAH(tetra-methyl ammonium hydroxide) 용액을 사용하여 습식 식각하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 건식 식각하는 단계는,상기 마스크 층이 형성된 부분에 해당하는 상기 제1 반도체층의 높이보다 상기 마스크 층이 형성되지 않은 부분에 해당하는 상기 제1 반도체층의 높이가 낮도록 상기 제1 반도체층을 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제2항에 있어서,상기 낮은 높이를 갖는 상기 제1 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층을 마련하는 단계는,제2 반도체층 상에 상기 제1 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제4항에 있어서,상기 트렌치를 형성하는 단계는,상기 트렌치 하부에 일정 높이의 상기 제2 반도체층이 존재하도록 상기 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제4항에 있어서,상기 제2 반도체층은,제4 반도체층 상에 제3 반도체층이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제6항에 있어서,제3 반도체층은 GaN으로 구성되고, 상기 제4 반도체층은 AlGaN 또는 AlN으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 트렌치를 형성하는 단계는,상기 제3 반도체층을 통과하도록 상기 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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반도체 소자 제조방법에 있어서,제1 반도체층을 마련하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 기 설정된 폭을 갖는 마스크층을 형성하여 상기 제1 반도체층을 건식 식각하는 단계;상기 제1 반도체층의 폭이 상기 마스크층의 폭보다 작은 폭을 갖도록 상기 건식 식각된 제1 반도체층의 측면을 습식 식각하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계;상기 건식 식각 및 상기 습식 식각에 의해 상기 제1 반도체층이 제거된 부분에 기 설정된 높이의 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 트렌치를 메꾸고, 상기 트렌치의 폭보다 넓은 컨텍 영역을 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 절연층을 형성하는 단계는,상기 건식 식각 및 상기 습식 식각에 의해 상기 제1 반도체층이 제거된 부분과 상기 제1 반도체층상에 절연층을 증착하는 단계;상기 증착된 절연층에 스핀 코팅 방식으로 포토레지스트를 증착하는 단계; 및건식 식각을 수행하여, 상기 포토레지스트 및 상기 기 설정된 높이를 초과하는 범위 내에 증착된 절연층을 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은,n형 도펀트로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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