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헴트의 효율적 티게이트 형성 방법

  • 기술번호 : KST2022007655
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 공정을 단순 및 신속화하고 게이트 풋을 포함한 게이트 형상을 안정적으로 재현할 수 있는 공정을 제공하는 것이다. 상기 목적에 따라 본 발명은 서로 다른 물리화학적 성질을 갖는 이종 레지스트 2종을 이용하고, 게이트 풋 자리를 제1 레지스트 형성 후 즉시 형성한 다음, 제2 레지스트를 형성하고, 여기에 게이트 전극 몸체가 형성될 자리를 포함한 마스크 패턴을 형성하며, 이때 제1 레지스트는 반응하지 않아 먼저 형성된 게이트 풋 자리는 영향을 받지 않으며, 이후, 게이트 전극을 형성하고 2종 레지스트들을 모두 제거하여 티게이트를 완성한다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/40 (2006.01.01) H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66431(2013.01) H01L 29/401(2013.01) H01L 29/42376(2013.01) H01L 21/28114(2013.01)
출원번호/일자 1020200162517 (2020.11.27)
출원인 (주)큐에스아이, 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0074245 (2022.06.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)큐에스아이 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태경 충청남도 천안시 서북구
2 윤상진 충청남도 천안시 서북구
3 김상국 충청남도 천안시 서북구
4 김대현 대구광역시 수성구
5 조현빈 경상남도 창원시 진해구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-1283181-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0227936-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-1006936-37
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0207224-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2022-0207260-50
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번호 청구항
1 1
에피구조 기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 제1 레지스트를 형성하는 단계;상기 제1 레지스트에 대해 게이트 풋이 형성될 수 있도록 음각으로 패턴을 형성하는 단계;게이트 풋이 형성될 음각 패턴에 의해 노출된 기판 위에 제2 레지스트를 도포하는 단계;형성될 게이트 풋의 선폭보다 넓은 패턴이 새겨진 레티클을 통해 노광 하고 현상하여 상기 제2 레지스트에 추가적인 마스크 패턴을 형성하는 단계;마스크 패턴이 형성된 기판에 금속을 증착하는 단계;유기용제를 이용하여 리프트 오프 방식으로 상기 제2 레지스트 및 제2 레지스트 위에 형성된 금속을 포함한 불필요한 금속을 제거하는 단계; 및상기 제1 레지스트를 전용 스트리퍼를 사용하여 제거하고 최종적으로 티게이트가 형성되는 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트(HEMT T-Gate) 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 레지스트와 제2 레지스트는 이종 레지스트로서, 제1 레지스트는 이빔 전용 레지스트이고, 제2 레지스트는 아이라인용 네거티브 포토레지스트 또는 이미지 반전용 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 음각 패턴의 선폭은 게이트 풋의 선폭에 해당하고, 제2 레지스트에 형성된 추가적인 마스크 패턴은 게이트 풋이 형성될 자리와 게이트 풋 상단의 게이트 전극 몸체 부분이 형성될 자리에 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성 방법
4 4
제3항에 있어서, 게이트 풋의 선폭은 1μm 이하의 미세선폭 인 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 마스크 패턴에서 게이트 전극 몸체 부분이 형성될 자리에 형성된 개구부는 게이트 전극 몸체 부분 보다 큰 부피로 형성되고, 아래 쪽으로 개구부 단면적이 확장되는 형태인 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성 방법
6 6
제2항에 있어서, 제1 레지스트에 상기 음각 패턴을 형성할 때에는 이빔 리소그래피 장비가 적용되고, 제2 레지스트에 마스크 패턴을 형성할 때에는 아이라인 스테퍼가 적용된 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성 방법
7 7
제1항에 있어서, 기판은 인화인듐(InP, Indium Phosphide), 갈륨비소(GaAs, Galium Arsenide), 질화갈륨(GaN, Galium Nitride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성 방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 헴트 티게이트
9 9
에피구조 기판에 형성된, 게이트 풋 자리 음각 패턴을 포함한 제1 레지스트; 및상기 제1 레지스트 위에 형성된, 게이트 풋 상단의 게이트 전극 몸체 부분이 형성될 자리에 대해 여유분을 더한 크기의 개구부를 포함한 제2 레지스트;를 포함하는 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성용 마스크 패턴
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1 레지스트와 제2 레지스트는 서로 물리화학적 성질이 다른 이종 레지스트인 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성용 마스크 패턴
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원 민군겸용기술개발사업 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발