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헴트의 효율적 티게이트 형성 방법

  • 기술번호 : KST2022020580
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 공정을 단순 및 신속화하고 게이트 풋을 포함한 게이트 형상을 안정적으로 재현할 수 있는 공정을 제공하는 것이다. 상기 목적에 따라 본 발명은 서로 다른 물리화학적 성질을 갖는 이종 레지스트 2종을 이용하고, 게이트 풋 자리를 제1 레지스트 형성 후 즉시 형성한 다음, 제2 레지스트를 형성하고, 여기에 게이트 전극 몸체가 형성될 자리를 포함한 마스크 패턴을 형성하며, 이때 제1 레지스트는 반응하지 않아 먼저 형성된 게이트 풋 자리는 영향을 받지 않으며, 이후, 게이트 전극을 형성하고 2종 레지스트들을 모두 제거하여 티게이트를 완성한다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/40 (2006.01.01) H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/401(2013.01) H01L 29/42376(2013.01) H01L 21/28114(2013.01)
출원번호/일자 1020220134603 (2022.10.19)
출원인 (주)큐에스아이, 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0147556 (2022.11.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2020-0162517 (2020.11.27)
관련 출원번호 1020200162517
심사청구여부/일자 Y (2022.10.19)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)큐에스아이 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태경 충청남도 천안시 서북구
2 윤상진 충청남도 천안시 서북구
3 김상국 충청남도 천안시 서북구
4 김대현 대구광역시 수성구
5 조현빈 경상남도 창원시 진해구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2022.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2022-1099787-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에피구조 기판에 형성된, 게이트 풋 자리 음각 패턴을 포함한 제1 레지스트; 및상기 제1 레지스트 위에 형성된, 게이트 풋 상단의 게이트 전극 몸체 부분이 형성될 자리에 대해 여유분을 더한 크기의 개구부를 포함한 제2 레지스트;의 2개의 레지스트층만 포함한 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성용 마스크 패턴
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 레지스트와 제2 레지스트는 서로 물리화학적 성질이 다른 이종 레지스트인 것을 특징으로 하는 헴트 티게이트 형성용 마스크 패턴
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원 민군기술협력(R＆D)(산업부) 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발