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이차원 반도체 소재를 이용한 전자소자

  • 기술번호 : KST2020007685
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이차원 반도체 소재; 및 상기 이차원 반도체 소재와 접하는 또 다른 이종 소재를 포함하며, 상기 이종 소재는 상기 이차원 반도체 소재와 상이한 타입의 불순물이 도핑되었거나, 상기 이차원 반도체 소재와 상이한 밴드 갭을 갖는 것을 특징으로 하는 전자소자가 제공된다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/861 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020180162126 (2018.12.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0073683 (2020.06.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대전광역시 유성구
2 신광혁 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-1259412-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.09.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.11.28 수리 (Accepted) 9-1-2019-0053614-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0067886-47
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-0148483-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0148482-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 등록결정서
Decision to grant		 2020.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0396553-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
11 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2020.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5022824-21
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번호 청구항
1 1
이차원 반도체 소재; 및 상기 이차원 반도체 소재와 접하는 또 다른 이종 소재를 포함하며, 상기 이종 소재는 상기 이차원 반도체 소재와 상이한 타입의 불순물이 도핑되었거나, 상기 이차원 반도체 소재와 상이한 밴드 갭을 가지는 전자소자로서, 상기 이종소재는 상기 이차원 반도체 소재보다는 넓은 밴드갭을 갖는 반도체 소재이며, 상기 이차원 반도체 소재와 상기 이종소재 간의 상이한 밴드갭에 의하여 상기 전자소자에는 2차원 전자 가스(2DEG)가 형성된 것을 특징으로 하는 전자소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 이차원 반도체 소재는 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자
3 3
제 2항에 있어서, 상기 또 다른 이종 소재는, 상기 이차원 반도체 소재와는 상이한 타입의 불순물이 도핑된 실리콘 기판이며, 상기 이차원 반도체 소재의 두께에 따라 상기 이차원 반도체 소재와 상기 실리콘 기판 간의 PN 접합에 따른 공핍층 두께가 제어되는 것을 특징으로 하는 전자소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 이차원 반도체 소재는 MoS2, 상기 이종소재는 GaS이며, 상기 GaS는 게이트 전극과 접하는 것을 특징으로 하는 전자소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 전자소자는 트랜지스터이고, 상기 이종소재는 결정질이며, 상기 이종소재는 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로 전기장 인가시 누설전류를 차단하는 절연성을 갖는 것을 특징으로 하는 전자소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 전자소자는 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 전자소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2020194602 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 원천기술개발사업 레이저-소재 상호 작용 기반 디스플레이 핵심소재 개발