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하부 전극;상기 하부 전극의 상면에 배치된 하부 절연체;상기 하부 절연체의 상면에 배치된 2차원 물질층;상기 2차원 물질층의 상면에 배치된 제1 전극;상기 2차원 물질층의 상면에 배치된 절연체; 및상기 2차원 물질층의 상면에 배치된 제1 전극부 및 상기 제1 전극부와 전기적 및 물리적으로 연결되고 상기 절연체의 상면에 배치된 제2 전극부를 포함하는 제2 전극;을 포함하는, 2차원 물질 기반의 능동소자
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극으로 인가되는 게이트 전압에 따라 상기 2차원 물질층에 도핑되는 2차원 물질의 도핑 농도가 조절되고,조절된 상기 도핑 농도에 따라 동작 전압이 가변되는, 2차원 물질 기반의 능동소자
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극 아래에 배치된 기판;을 더 포함하고,상기 하부 전극은 상기 기판의 상면에 배치된, 2차원 물질 기반의 능동소자
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제 1 항에 있어서,상기 절연체는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 제1 전극부 사이에 배치되고,상기 제1 전극은, 상기 절연체와 상기 제2 전극의 제2 전극부로부터 소정 간격 떨어져 배치된, 2차원 물질 기반의 능동소자
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5
제 1 항에 있어서,상기 제2 전극의 제1 전극부는, 상기 절연체의 복수의 측면 중 적어도 하나 이상의 측면과 접촉하는, 2차원 물질 기반의 능동소자
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2차원 물질층;상기 2차원 물질층의 상면에 배치된 제1 전극;상기 2차원 물질층의 상면에 배치된 절연체; 및상기 2차원 물질층의 상면에 배치된 제1 전극부 및 상기 제1 전극부와 전기적 및 물리적으로 연결되고 상기 절연체의 상면에 배치된 제2 전극부를 포함하는 제2 전극;을 포함하는, 2차원 물질 기반의 능동소자
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7
제 6 항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 제2 전극부 중 어느 하나에 양극이 인가되고 다른 하나에 음극이 인가될 때, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 제2 전극부 사이에 제1 전류가 흐르고,상기 어느 하나에 음극이 인가되고 상기 다른 하나에 양극이 인가될 때, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 제2 전극부 사이에 제2 전류가 흐르고,상기 제1 전류의 크기는 상기 제2 전류의 크기와 다른, 2차원 물질 기반의 능동소자
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8
제 6 항에 있어서,상기 2차원 물질층 아래에 배치된 기판;을 더 포함하고,상기 2차원 물질층은 상기 기판의 상면에 배치된, 2차원 물질 기반의 능동소자
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제 6 항에 있어서,상기 절연체는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 제1 전극부 사이에 배치되고,상기 제1 전극은, 상기 절연체와 상기 제2 전극의 제2 전극부로부터 소정 간격 떨어져 배치된, 2차원 물질 기반의 능동소자
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10
제 6 항에 있어서,상기 제2 전극의 제1 전극부는, 상기 절연체의 복수의 측면 중 적어도 하나 이상의 측면과 접촉하는, 2차원 물질 기반의 능동소자
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11
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 2차원 물질층은, 그래핀(graphene), 그래파인(graphyne), 보로핀(borophene), 저마닌(germanene), 실리신(silicene), 스테닌(stanene), 포스포린(phosphorene), 전이금속-칼코겐 화합물(transition metal di-chalcogenides, TMDCs), 단일층 팔라듐(Pd) 및 로듐(Rh) 중 어느 하나로 구성된, 2차원 물질 기반의 능동소자
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