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바이리스터 소자 기반 난수 발생기

  • 기술번호 : KST2022004943
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 바이리스터 소자를 기반으로 하는 난수 발생기가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 바이리스터 소자 기반 난수 발생기는, 무작위 아날로그 전압 진동을 유발하여 아날로그 전압 신호를 출력하는 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자; 상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자로 전류를 입력하는 입력 전류원; 및 상기 아날로그 전압 신호를 디지털 신호로 변환시키는 아날로그-디지털 변환기 모듈을 포함한다.
Int. CL G06F 7/58 (2006.01.01) H01L 27/102 (2006.01.01) H01L 29/861 (2006.01.01)
CPC G06F 7/588(2013.01) H01L 27/1023(2013.01) H01L 29/861(2013.01)
출원번호/일자 1020200140840 (2020.10.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0056353 (2022.05.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대전광역시 유성구
2 유지만 대전광역시 유성구
3 김명수 대전광역시 유성구
4 한준규 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-1144502-58
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2020-1296746-56
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2021-0061829-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0217517-58
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0938587-21
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1490289-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2021-1490288-87
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
무작위 아날로그 전압 진동을 유발하여 아날로그 전압 신호를 출력하는 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자; 상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자로 전류를 입력하는 입력 전류원; 및 상기 아날로그 전압 신호를 디지털 신호로 변환시키는 아날로그-디지털 변환기 모듈을 포함하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
2 2
제1항에 있어서,상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자는, 이미터, 베이스 및 콜렉터가 순서대로 배치된 N형-P형-N형 반도체 접합 또는 P형-N형-P형 반도체 접합으로 구성되는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
3 3
제2항에 있어서,상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자는, 기판 상에 상기 이미터, 상기 베이스 및 상기 콜렉터가 수평 방향으로 순차적으로 배치되는 수평 구조 또는 상기 기판 상에 상기 이미터, 상기 베이스 및 상기 콜렉터가 수직 방향으로 순차적으로 배치되는 수직 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
4 4
제3항에 있어서,상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자는,상기 수평 구조를 갖는 경우, 상기 베이스가 상기 기판으로부터 부유된 형태 또는 상기 베이스가 상기 기판 상부의 매립 절연 산화막 위에 배치되는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
5 5
제4항에 있어서,상기 매립 절연 산화막은, 절연층 매몰 실리콘(Silicon on insulator; SOI) 또는 절연층 매몰 스트레인드 실리콘(Strained silicon on insulator; SSOI) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
6 6
제2항에 있어서,상기 N형-P형-N형 반도체 접합에서의 N형 반도체는, 상기 N형-P형-N형 반도체 접합에서의 P형 반도체보다 낮은 밸런스 밴드 에너지를 갖고, 상기 P형 반도체보다 높은 컨덕션 밴드 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
7 7
제2항에 있어서,상기 P형-N형-P형 반도체 접합에서의 N형 반도체는, 상기 P형-N형-P형 반도체 접합에서의 P형 반도체보다 높은 밸런스 밴드 에너지를 갖고, 상기 P형 반도체보다 낮은 컨덕션 밴드 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
8 8
제2항에 있어서,상기 이미터, 상기 베이스 및 상기 콜렉터가 순서대로 배치된 상기 N형-P형-N형 반도체 접합에서 상기 P형은, P0, P+-P0 또는 P0-P+ 중 어느 하나를 포함하고, 상기 이미터, 상기 베이스 및 상기 콜렉터가 순서대로 배치된 상기 P형-N형-P형 반도체 접합에서 상기 N형은, N0, N+-N0 또는 N0-N+ 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
9 9
제2항에 있어서,상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자는, 상기 입력 전류원으로부터 상기 콜렉터의 단자로 전류가 입력됨에 응답하여 상기 이미터와 상기 베이스의 접합 영역에서 충돌 이온화(Impact ionization) 현상을 발생시키고, 상기 충돌 이온화 현상에 의해 상기 베이스에서의 전자 및 정공이 축적 또는 방출됨에 따른 전압 진동 및 주기 진동인 상기 무작위 아날로그 전압 진동을 유발하여 상기 콜렉터의 단자로 출력하는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
10 10
제9항에 있어서,상기 아날로그-디지털 변환기 모듈은, 상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자로부터 출력되는 상기 무작위 아날로그 전압 진동인 상기 아날로그 전압 신호를 랜덤한 상기 디지털 신호로 변환시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
11 11
제2항에 있어서,상기 이미터, 상기 베이스 및 상기 콜렉터 각각은, 실리콘(Si), 스트레인드 실리콘(Strained silicon), 실리콘-게르마늄(SiGe) 또는 실리콘-카바이드(SiC) 중 적어도 하나의 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
12 12
제2항에 있어서,상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자는, 2단자 소자로 구현되거나, 상기 베이스가 부유되어 있는 게이트 및 게이트 절연막을 더 포함하는 트랜지스터 구조인 3단자 소자로 구현되는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
13 13
제1항에 있어서,상기 아날로그-디지털 변환기 모듈은, 50Hz 내지 1GHz의 주파수 범위를 갖고, 플래시형, 파이프 라인형, 축차 비교형, 델타 시그마형 또는 이중 적분형 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기
14 14
무작위 아날로그 전압 진동을 유발하여 아날로그 전압 신호를 출력하는 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자, 상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자로 전류를 입력하는 입력 전류원 및 상기 아날로그 전압 신호를 디지털 신호로 변환시키는 아날로그-디지털 변환기 모듈을 포함하는, 바이리스터 소자 기반 난수 발생기의 제조 방법에 있어서, 상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자의 제조 공정과 상기 입력 전류원 및 상기 아날로그-디지털 변환기 모듈의 제조 공정을 동시에 진행하는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기의 제조 방법
15 15
무작위 아날로그 전압 진동을 유발하여 아날로그 전압 신호를 출력하는 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자, 상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자로 전류를 입력하는 입력 전류원 및 상기 아날로그 전압 신호를 디지털 신호로 변환시키는 아날로그-디지털 변환기 모듈을 포함하는, 바이리스터 소자 기반 난수 발생기의 제조 방법에 있어서, 상기 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자의 제조 공정과 상기 입력 전류원 및 상기 아날로그-디지털 변환기 모듈의 제조 공정을 각각 별개로 진행하는 단계; 및 상기 제조된 2단자 기반 반도체 바이리스터 소자, 상기 제조된 입력 전류원 및 상기 제조된 아날로그-디지털 변환기 모듈을 조립하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이리스터 소자 기반 난수 발생기의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 신소자원천기술개발 저전력 및 초소형 실리콘 나노선 기반 난수발생기 개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술원 중견연구자지원사업 CMOS 기술을 이용한 융 복합 하드웨어 기반 나노 보안기술