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메모리 컨트롤러, 반도체 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법(MEMORY CONTROLLER, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF)

기술번호 : KST2018001920
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	각 메모리 셀들로부터 리드된 제1데이터에 기초한 경판정 오류 정정 디코딩이 실패한 경우, 각 메모리 셀들로부터 제2데이터를 리드하는 단계; 및 상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 제1 및 2데이터 및 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 각 메모리 셀들로부터 리드된 제1 및 2데이터에 기초한 상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 상기 제1데이터의 로그 우도 비(LLR : Log Likelihood Ratio)를 이용하여 연판정 오류 정정 디코딩을 수행하는 단계를 포함하는 컨트롤러의 동작 방법을 제공한다.
Int. CL	G11C 16/26 (2016.09.20) G11C 11/56 (2016.09.20) G06F 11/10 (2016.09.20)
CPC	G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01)
출원번호/일자	1020160102985 (2016.08.12)
출원인	에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2018-0018069 (2018.02.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	20

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	에스케이하이닉스 주식회사	대한민국	경기도 이천시
2	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	하정석	대한민국	대전광역시 유성구
2	이상아	대한민국	서울특별시 관악구
3	김대성	대한민국	광주광역시 남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신성특허법인(유한)	대한민국	서울특별시 송파구 중대로 *, ID타워 *호 (가락동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2016.08.12	수리 (Accepted)	1-1-2016-0786076-27
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 메모리 컨트롤러의 동작 방법에 있어서,각 메모리 셀들로부터 리드된 제1데이터에 기초한 경판정 오류 정정 디코딩이 실패한 경우, 각 메모리 셀들로부터 제2데이터를 리드하는 단계; 및상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 제1 및 2데이터 및 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 각 메모리 셀들로부터 리드된 제1 및 2데이터에 기초한 상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 상기 제1데이터의 로그 우도 비(LLR : Log Likelihood Ratio)를 이용하여 연판정 오류 정정 디코딩을 수행하는 단계를 포함하는 메모리 컨트롤러의 동작 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들은 n 비트의 제3데이터를 저장하고,상기 제1데이터는 상기 제3데이터 중 i번째 비트에 대응하며,상기 제2데이터는 상기 제3데이터 중 상기 i번째 비트를 제외한 비트들에 대응하고,상기 n 및 i는 1 이상의 정수인,메모리 컨트롤러의 동작 방법
3	3 제 2 항에 있어서,상기 제1데이터는 상기 제3데이터의 최상위 비트에 대응하는메모리 컨트롤러의 동작 방법
4	4 제 2 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들은 2 비트의 제3데이터를 저장하는메모리 컨트롤러의 동작 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들은 상기 각 메모리 셀들과 동일한 워드 라인에 위치하는메모리 컨트롤러의 동작 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들은 상기 워드 라인을 기준으로 상기 각 메모리 셀들에 인접하는메모리 컨트롤러의 동작 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들은 상기 각 메모리 셀들과 동일한 비트 라인에 위치하는메모리 컨트롤러의 동작 방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들은 상기 비트 라인을 기준으로 상기 각 메모리 셀들에 인접하는메모리 컨트롤러의 동작 방법
9	9 제 2 항에 있어서,상기 제1데이터의 로그 우도 비는상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 상기 제1 및 2데이터 및 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 상기 제1 및 2데이터에 따라 상기 각 메모리 셀들에 저장된 상기 제3데이터의 i번째 비트가 0일 조건부 확률과 1일 조건부 확률의 로그 우도 비인메모리 컨트롤러의 동작 방법
10	10 제 2 항에 있어서,상기 제1데이터의 로그 우도 비는상기 각 메모리 셀들에 저장된 상기 제3데이터의 i번째 비트가 1일 때 상기 각 메모리 셀들로부터 상기 제1 및 2데이터가 리드되고, 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들로부터 상기 제1 및 2데이터가 리드될 조건부 확률과 상기 각 메모리 셀들에 저장된 상기 제3데이터의 i번째 비트가 0일 때 상기 각 메모리 셀들로부터 상기 제1 및 2데이터가 리드되고, 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들로부터 상기 제1 및 2데이터가 리드될 조건부 확률의 로그 우도 비인메모리 컨트롤러의 동작 방법
11	11 메모리 컨트롤러에 있어서,각 메모리 셀들로부터 리드된 제1데이터에 기초한 경판정 오류 정정 디코딩이 실패한 경우, 각 메모리 셀들로부터 제2데이터를 리드하는 제1수단; 및상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 제1 및 2데이터 및 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 각 메모리 셀들로부터 리드된 제1 및 2데이터에 기초한 상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 상기 제1데이터의 로그 우도 비(LLR : Log Likelihood Ratio)를 이용하여 연판정 오류 정정 디코딩을 수행하는 제2수단을 포함하는 메모리 컨트롤러
12	12 제 11 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들은 n 비트의 제3데이터를 저장하고,상기 제1데이터는 상기 제3데이터 중 i번째 비트에 대응하며,상기 제2데이터는 상기 제3데이터 중 상기 i번째 비트를 제외한 비트들에 대응하고,상기 n 및 i는 1 이상의 정수인,메모리 컨트롤러
13	13 제 12 항에 있어서,상기 제1데이터는 상기 제3데이터의 최상위 비트에 대응하는메모리 컨트롤러
14	14 제 12 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들은 2 비트의 제3데이터를 저장하는메모리 컨트롤러
15	15 제 11 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들은 상기 각 메모리 셀들과 동일한 워드 라인에 위치하는메모리 컨트롤러
16	16 제 15 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들은 상기 워드 라인을 기준으로 상기 각 메모리 셀들에 인접하는메모리 컨트롤러
17	17 제 11 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들은 상기 각 메모리 셀들과 동일한 비트 라인에 위치하는메모리 컨트롤러
18	18 제 17 항에 있어서,상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들은 상기 비트 라인을 기준으로 상기 각 메모리 셀들에 인접하는메모리 컨트롤러
19	19 제 12 항에 있어서,상기 제1데이터의 로그 우도 비는상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 상기 제1 및 2데이터 및 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들로부터 리드된 상기 제1 및 2데이터에 따라 상기 각 메모리 셀들에 저장된 상기 제3데이터의 i번째 비트가 0일 조건부 확률과 1일 조건부 확률의 로그 우도 비인메모리 컨트롤러
20	20 제 12 항에 있어서,상기 제1데이터의 로그 우도 비는상기 각 메모리 셀들에 저장된 상기 제3데이터의 i번째 비트가 1일 때 상기 각 메모리 셀들로부터 상기 제1 및 2데이터가 리드되고, 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들로부터 상기 제1 및 2데이터가 리드될 조건부 확률과 상기 각 메모리 셀들에 저장된 상기 제3데이터의 i번째 비트가 0일 때 상기 각 메모리 셀들로부터 상기 제1 및 2데이터가 리드되고, 상기 각 메모리 셀들에 이웃한 상기 각 메모리 셀들로부터 상기 제1 및 2데이터가 리드될 조건부 확률의 로그 우도 비인메모리 컨트롤러

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US10200063	US	미국	FAMILY
2	US20180048329	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US10200063	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US2018048329	US	미국	DOCDBFAMILY

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2016.08.12	수리 (Accepted)	1-1-2016-0786076-27
2	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
3	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63


과제고유번호	1345258203
세부과제번호	21A20131612251
연구과제명	미래전자통신 인재양성사업단
성과구분	출원
부처명	교육부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2016
연구기간	201603~201702
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

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