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인공망막용 미세전극 배열체에 있어서,복수 개로 형성되는 탄소나노튜브(carbon nanotube) 재질의 미세전극들;및상기 미세전극들을 지지하는 절연성 지지체;를 포함하는, 인공망막용 미세전극 배열체
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제 1항에 있어서,상기 절연성 지지체는 폴리디메틸실록세인(Polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리이미드(Polyimide), SU-8, 하이드로젤(hydrogel), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나트팔레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리에테르술폰(PES) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 고분자 재질이며,상기 미세전극들은 절연성 지지체에 의해 고정되며 미세전극들 상호간은 전기적으로 격리될 수 있는 격자를 갖는, 인공망막용 미세전극 배열체
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제 1항에 있어서,상기 미세전극에서 절연성 지지체에 함입된 영역을 제외한 미세전극의 길이는 20 내지 250 μm인, 인공망막용 미세전극 배열체
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제 3항에 있어서,상기 미세전극들은 절연성 지지체에 함입된 영역을 제외한 미세전극의 길이가 서로 상이한 것을 특징으로 하는, 인공망막용 미세전극 배열체
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제 1항에 있어서,상기 미세전극 상호간의 간격은 100 nm 내지 1 mm인, 인공망막용 미세전극 배열체
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제 1항에 있어서,상기 미세전극의 너비 방향의 평균 직경은 100 nm 내지 500 μm인, 인공망막용 미세전극 배열체
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제 1항에 있어서,상기 인공망막은 에피형 인공망막 또는 서브형 인공망막인, 인공망막용 미세전극 배열체
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 하나의 인공망막용 미세전극 배열체의 제조 방법에 있어서, 상기 방법은(a) 탄소나노튜브를 성장시켜 미세전극을 형성시키는 단계; 및(b) 형성된 미세전극에 절연성지지체를 코팅하는 단계;를 포함하는, 인공망막용 미세전극 배열체의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (a) 단계는 포토리소그라피 공정을 통해 미리 결정된 형상의 패턴을 형성 후 탄소나노튜브를 성장시키는 것인, 인공망막용 미세전극 배열체의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (a) 단계는 탄소나노튜브를 성장시켜 아세톤 증기를 이용하여 고밀도화(densification)를 진행하는 공정을 추가로 포함하는, 인공망막용 미세전극 배열체의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (b)의 절연성 지지체는 폴리디메틸실록세인(Polydimethylsiloxane, PDMS) , 폴리이미드(Polyimide), SU-8, 하이드로젤(hydrogel), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나트팔레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리에테르술폰(PES) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 고분자 이며, 상기 코팅하는 단계는 상기 절연성 지지체를 도포한 후 스핀 코팅 또는 부어서 경화를 통해 진행하는 것인, 인공망막용 미세전극 배열체의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (b) 단계 이후 절연성 지지체가 도포된 미세전극 배열체를 경화하는 단계를 추가로 포함하는, 인공망막용 미세전극 배열체의 제조 방법
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 하나의 인공망막용 미세전극 배열체를 포함하는 인공망막 시스템
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