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제1 기판, 상기 제1 기판 상의 제1 전극층 및 상기 제1 전극층 상의 제1 압전층을 포함하는 제1 소자;제2 기판, 상기 제2 기판의 아래의 제2 전극층, 상기 제2 전극층 아래의 제2 압전층을 포함하는 제2 소자; 및상기 제1 소자 및 상기 제2 소자 사이에 배치된 접착층을 포함하는 하베스팅 소자
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제1항에 있어서,상기 접착층은 전도성 카본 테이프를 포함하는 하베스팅 소자
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제1항에 있어서,상기 접착층은 은, 구리, 탄소, 구리탄소 및 알루미늄 중 어느 하나를 포함하는 전도성 물질을 포함하는 하베스팅 소자
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4
제1항에 있어서,상기 제1 전극층 상의 제1 영역에 배치되는 제1 전극을 더 포함하고, 상기 상기 제1 압전층은 상기 제1 전극층 상의 제2 영역에 배치되는 하베스팅 소자
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5
제4항에 있어서,상기 제2 전극층 아래의 제3 영역에 배치되는 제2 전극을 더 포함하고, 상기 상기 제2 압전층은 상기 제2 전극층 아래의 제4 영역에 배치되는 하베스팅 소자
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6
제5항에 있어서,상기 제2 영역과 상기 제4 영역은 상하로 대향 배치되는 영역일 수 있고, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역의 일측에 배치되며, 상기 제3 영역은 상기 제4 영역의 타측에 배치되는 하베스팅 소자
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7
제6항에 있어서,상기 접착층의 일측면은 상기 제1 압전층의 일측면, 상기 제2 압전층의 일측면, 상기 제2 전극층의 일측면 및 상기 제2 기판의 일측면과 일직선 상에 배치되며,상기 접착층의 타측면은 상기 제2 압전층의 타측면, 상기 제1 압전층의 타측면, 상기 제1 전극층의 타측면 및 상기 제1 기판의 타측면과 일직선 상에 배치되는 하베스팅 소자
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8
제1항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 글라스 (glass), 실리콘 (Si), 폴리에테르술폰 (PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리카보네이트 (PC), 폴리이미드 (PI), 및 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 하베스팅 소자
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9
제1항에 있어서,상기 제1 압전층 및 상기 제2 압전층은 Zn-O, Al-N, Ga-N, Zn-Sn-O, Cd-S, In-N, Zn-In-O, Zn-Si-O, Zn-Al-O, Zn-Mg-O, Ga-Zn-In-O, Sr-V-O, Ca-V-O, Ba-Ti-O, Sr-Ti-0, Ca-Ti-O, Pb-Ti-O, Li-Nb-O, Pb-Zr,Ti-O(PZT), Pb-Mg,Nb-O(PMN), Pb-Mg,Ta-O(PMT), Pb-Zn,Nb-O(PZN), Pb-Sc,Ta-O(PST), Pb-La-Zr-Ti-V-O(PLZT), CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 하베스팅 소자
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