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캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조 방법

기술번호 : KST2014009812
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 알루미늄이 함유된 기판에 성장된 양극산화알루미늄(AAO)의 포어 내에 탄소나노튜브를 형성시키는 단계를 포함하는 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법, 상기에서 언급한 방법에 의해 제조한 탄소나노튜브 전극과 상기 탄소나노튜브 전극을 구비하는 캐패시터에 관한 것이다.본 발명은 기판에 포어를 지니는 양극산화알루미늄(AAO)를 성장시키되 탄소나노튜브가 형성될 정도로 AAO 포어 사이즈를 조절하고 상기 AAO 포어에 탄소나노튜브를 형성시키는 단계를 포함하는 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법 제공을 목적으로 한다.상기의 방법에 의해 제조된 탄소나노튜브 전극은 잘 배열 되어있어 이온의 이동을 원활하게 하여 고율/고성능의 캐패시터 또는 슈퍼캐패시터에 적용할 수 있어 높은 파워와 고율의 전기용량을 얻을 수 있으므로 캐패시터의 성능을 향상시킬 수 있다.
Int. CL	H01G 4/005 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01)
CPC	H01G 4/005(2013.01) H01G 4/005(2013.01) H01G 4/005(2013.01)
출원번호/일자	1020060081239 (2006.08.25)
출원인	광주과학기술원
등록번호/일자	10-0892382-0000 (2009.04.01)
공개번호/일자	10-2008-0018702 (2008.02.28) 문서열기
공고번호/일자	(20090410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.08.25)
심사청구항수	4

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	광주과학기술원	대한민국	광주광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김원배	대한민국	광주 북구
2	안효진	대한민국	광주광역시 북구
3	손정인	대한민국	광주광역시 북구
4	심희상	대한민국	광주광역시 북구
5	김연수	대한민국	광주광역시 북구
6	성태연	대한민국	서울특별시 성북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	황이남	대한민국	서울시 송파구 법원로 *, **호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	광주과학기술원	대한민국	광주광역시 북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.08.25	수리 (Accepted)	1-1-2006-0611959-23
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.08.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.09.17	수리 (Accepted)	9-1-2007-0056264-80
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.10.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0591647-16
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2007.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2007-0945755-40
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.01.31	수리 (Accepted)	1-1-2008-0082849-14
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.01.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0082846-88
8	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2008.06.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0344926-57
9	명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2008.07.10	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2008-0030234-99
10	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2008.09.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0477772-08
11	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2008.11.11	수리 (Accepted)	1-1-2008-0779549-81
12	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.12.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0857430-65
13	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.12.12	수리 (Accepted)	1-1-2008-0857432-56
14	등록결정서 Decision to grant	2009.03.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0125688-94
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.09.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5187089-85

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 알루미늄이 함유된 기판에 성장된 양극산화알루미늄(AAO)의 포어 내에 아세틸렌(C2H2)의 탄화수소가스 또는 상기 탄화수소가스와 암모니아(NH3) 가스와의 혼합가스를 열화학기상증착법(thermal CVD)을 이용하여 양극산화알루미늄 포어 내에 탄소나노튜브를 형성시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법
2	2 제1항에 있어서, 알루미늄이 함유된 기판은 알루미늄이 90％∼96％ 함유된 알루미늄 호일 또는 알루미늄이 90％∼96％ 함유된 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법
3	3 삭제
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 삭제
7	7 삭제
8	8 삭제
9	9 특허청구범위 제1항의 방법에 의해 제조한 탄소나노튜브 전극
10	10 특허청구범위 제1항의 방법에 의해 제조한 탄소나노튜브 전극을 포함하는 수퍼캐패시터

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0892382-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060825 출원 번호 : 1020060081239 공고 연월일 : 20090410 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090324 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01G 4/005 발명의 명칭 : 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20170402

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	100,500 원	2009년 04월 02일	납입
제 4 년분	금 액	128,000 원	2012년 03월 30일	납입
제 5 년분	금 액	128,000 원	2013년 03월 29일	납입
제 6 년분	금 액	128,000 원	2014년 03월 26일	납입
제 7 년분	금 액	252,000 원	2015년 03월 30일	납입
제 8 년분	금 액	252,000 원	2016년 04월 04일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.08.25	수리 (Accepted)	1-1-2006-0611959-23
2	선행기술조사의뢰서	2007.08.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.09.17	수리 (Accepted)	9-1-2007-0056264-80
4	의견제출통지서	2007.10.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0591647-16
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2007.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2007-0945755-40
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.01.31	수리 (Accepted)	1-1-2008-0082849-14
7	[명세서등 보정]보정서	2008.01.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0082846-88
8	거절결정서	2008.06.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0344926-57
9	명세서 등 보정서(심사전치)	2008.07.10	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2008-0030234-99
10	의견제출통지서	2008.09.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0477772-08
11	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2008.11.11	수리 (Accepted)	1-1-2008-0779549-81
12	[명세서등 보정]보정서	2008.12.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0857430-65
13	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.12.12	수리 (Accepted)	1-1-2008-0857432-56
14	등록결정서	2009.03.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0125688-94
15	출원인정보변경(경정)신고서	2011.09.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5187089-85


기술번호	KST2014009812
자료제공기관	NTB
기술공급기관	광주과학기술원
기술명	캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조 방법
기술개요	본 발명은 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 알루미늄이 함유된 기판에 성장된 양극산화알루미늄(AAO)의 포어 내에 탄소나노튜브를 형성시키는 단계를 포함하는 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법, 상기에서 언급한 방법에 의해 제조한 탄소나노튜브 전극과 상기 탄소나노튜브 전극을 구비하는 캐패시터에 관한 것이다.본 발명은 기판에 포어를 지니는 양극산화알루미늄(AAO)를 성장시키되 탄소나노튜브가 형성될 정도로 AAO 포어 사이즈를 조절하고 상기 AAO 포어에 탄소나노튜브를 형성시키는 단계를 포함하는 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법 제공을 목적으로 한다.상기의 방법에 의해 제조된 탄소나노튜브 전극은 잘 배열 되어있어 이온의 이동을 원활하게 하여 고율/고성능의 캐패시터 또는 슈퍼캐패시터에 적용할 수 있어 높은 파워와 고율의 전기용량을 얻을 수 있으므로 캐패시터의 성능을 향상시킬 수 있다.
개발상태	특허만신청(등록)
기술의 우수성
응용분야	소재
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345095929
세부과제번호	과C6A2002
연구과제명	첨단재료고등교육사업단
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	광주과학기술원
성과제출연도	2009
연구기간	200603~201302
기여율	1
연구개발단계명	기타
6T분류명	기타


과제고유번호	1350011381
세부과제번호	212-10
연구과제명	분자레벨집적화시스템연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	과학기술부
연구주관기관명	광주과학기술원
성과제출연도	2006
연구기간	200501~201312
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2008101006774	2008원6774	2006년 특허출원 제0081239호 거절결정불복심판	2008.07.10	2009.03.24

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