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고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘바성 유기물 트랜지스터 메모리 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014009975
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 고농도 도핑된 n형 실리콘 반도체 위에 열 산화 방식에 의해 300nm 두께로 실리콘산화물(SiO2) 게이트 절연층을 형성하는 단계와; 상기 실리콘산화물 게이트 절연층 위에 절연체 성질을 띠면서도 전하를 저장할 수 있는 능력을 가진 고분자 전하 저장층(polymeric electret)을 30nm 정도의 두께로 코팅하는 단계와; 코팅된 고분자 전하 저장 절연층의 표면 위에 유기반도체 물질을 증착하는 단계와; 증착된 유기 반도체 박막 위에 유기 전계효과 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain) 전극을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 및 그 제조방법을 제공하고자 한 것이다.고분자 전하 저장층, 유기반도체 물질, 유기 전계효과 트랜지스터, 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리, 폴리알파메틸스티렌, 펜타센
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01)
출원번호/일자 1020060030799 (2006.04.05)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0680001-0000 (2007.02.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.05)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동유 대한민국 광주 북구
2 백강준 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0237258-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0082144-29
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0764728-84
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고농도 도핑된 n형 실리콘 반도체 위에 열 산화 방식에 의해 300nm 두께로 형성된 실리콘산화물(SiO2) 게이트 절연층과; 상기 실리콘산화물 게이트 절연층 위에 절연체 성질을 띠면서도 전하를 저장할 수 있는 능력을 가지며 30nm 정도의 두께로 코팅된 고분자 전하 저장층(polymeric electret)과;상기 고분자 전하 저장 절연층의 표면 위에 증착된 유기반도체 물질과;상기 유기반도체 물질로 증착된 박막 위에 증착된 유기 전계효과 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain) 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 고분자 전하 저장층은 소수성 또는 스티렌 치환계 고분자를 포함하는 유기 절연 물질로 코팅된 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 고분자 전하 저장층은 폴리알파메틸스티렌(Poly(α-methylstyrene))로 코팅된 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 유기반도체 물질은 펜타센을 포함하는 단분자 물질 및/또는 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene)을 포함하는 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리
5 5
고농도 도핑된 n형 실리콘 반도체 위에 열 산화 방식에 의해 300nm 두께로 실리콘산화물(SiO2) 게이트 절연층을 형성하는 단계와;상기 실리콘산화물 게이트 절연층 위에 절연체 성질을 띠면서도 전하를 저장할 수 있는 능력을 가진 고분자 전하 저장층(polymeric electret)을 30nm 정도의 두께로 코팅하는 단계와;코팅된 고분자 전하 저장 절연층의 표면 위에 유기반도체 물질을 증착하는 단계와;증착된 유기 반도체 박막 위에 유기 전계효과 트랜지스터의 소스(Source)와 드레인(Drain) 전극을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 고분자 전하 저장층(electret)을 스핀코팅 방법을 이용하여 30nm 두께의 박막으로 형성시킨 후, 잔류 용매를 제거해 주기 위한 건조 공정이 더 진행되는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 고분자 전하 저장층은 소수성, 스테렌 치환계 고분자를 포함하는 유기 절연 물질인 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 제조방법
8 8
청구항 5 또는 청구항 7에 있어서, 상기 고분자 전하 저장층은 소수성 또는 스티렌 치환계 고분자로서, 폴리알파메틸스티렌(Poly(α-methylstyrene))인 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 제조방법
9 9
청구항 5에 있어서, 상기 유기반도체 물질은 펜타센을 포함하는 단분자 물질 및/또는 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene)을 포함하는 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 제조방법
10 10
청구항 5에 있어서, 상기 유기반도체 물질은 n-형과 p-형 유기반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 제조 방법
11 11
청구항 5에 있어서, 상기 메모리 소자는 게이트(Gate) 전극으로 사용될 고농도로 도핑 (doping)된 n형 실리콘 반도체가 유기반도체 물질 위로 가는 탑 게이트(top gate) 방식과 게이트가 아래에 놓이는 바텀 게이트(bottom gate) 방식과 쌍게이트(double gate) 방식중 선택된 하나의 방식으로 제조되는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 제조방법
12 12
청구항 5에 있어서, 상기 고분자 전하 저장층을 코팅하는 방법은 딥핑(dipping), 열증착, 화학적 기상증착(CVD), 물리적 기상증착 (PVD) 방법으로 진행될 수 있는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 제조방법
13 13
청구항 5에 있어서, 상기 소스와 드레인 전극을 형성시키는 방법으로 열증착, 잉크젯 프린팅, 컨택 프린팅 중 선택된 하나의 방법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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