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전기회로가 배치된 기판; 및상기 기판 위에 위치하고, 탄소원자가 서로 연결돼 벌집모양의 평면구조를 갖는 하나의 층으로 구성된 그래핀과 둘 이상의 층으로 구성된 단결정 흑연을 포함하며, 동일한 결정 방향을 갖는 탄소층 어레이를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 1항에 있어서,상기 탄소층 어레이는 상기 기판과 결정축 방향이 상호 동일한 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 1항에 있어서,상기 탄소층 어레이는 직경이 1nm ~ 10cm로 조절 가능한 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 1항에 있어서,상기 탄소층 어레이는 하나 이상으로 구성될 수 있으며, 상호 이격된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 1항에 있어서,상기 탄소층 어레이는 동일한 모양 또는 서로 다른 모양의 형태로 기판 위에 배열되는 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 1항에 있어서,상기 기판은 단결정 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 1항에 있어서,상기 기판의 형상은 평평한 구조 및 요철 구조중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 1항에 있어서,상기 단결정 흑연을 성장할 수 있도록 하는 물질로 이루어진 씨드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 8항에 있어서,상기 씨드층으로부터 탄소층 어레이가 성장되는 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 1항에 있어서,상기 단결정 흑연을 성장할 수 있도록 하는 물질로 이루어진 씨드층과 상기 기판과 씨드층 사이에 형성된 단결정층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 10항에 있어서,상기 단결정층은 질화 갈륨, 질화 알루미늄, 질화 인듐, 질화 티타늄 및 실리콘 카바이드로부터 선택된 하나 이상의 원소가 포함된 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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전기회로가 배치된 기판;상기 기판 위에 위치하고, 탄소원자가 서로 연결돼 벌집모양의 평면구조를 갖는 하나의 층으로 구성된 그래핀과 둘 이상의 층으로 구성된 단결정 흑연을 포함하며, 동일한 결정 방향을 갖는 탄소층 어레이; 및상기 탄소층 어레이상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제 12항에 있어서,상기 소스전극 및 드레인 전극의 전도성은 탄소층의 전도성보다 높은 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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전기회로가 배치된 기판;상기 기판 위에 위치하고, 탄소원자가 서로 연결돼 벌집모양의 평면구조를 갖는 하나의 층으로 구성된 그래핀과 둘 이상의 층으로 구성된 단결정 흑연을 포함하며, 동일한 결정 방향을 갖는 탄소층 어레이;상기 탄소층 어레이에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;유전체층; 및게이트 전극을 포함하여 구성되는것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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제14항에 있어서,상기 유전체층은 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 게이트 전극을 절연시키는 것을 특징으로 하는 나노 디바이스
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