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실리콘 산화막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014037063
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온에서 전기적 특성이 우수한 실리콘 산화막을 기판에 증착하는 실리콘 산화막의 형성 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은 기판에 대하여 플라즈마 전처리를 하는 플라즈마 전처리 단계; 및 기판 상부에 실리콘 산화막을 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD)에 의하여 증착하는 실리콘 산화막 증착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막의 형성 방법을 개시한다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020100023168 (2010.03.16)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1273116-0000 (2013.06.03)
공개번호/일자 10-2011-0104186 (2011.09.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선재 대한민국 서울시 용산구
2 한민구 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0165112-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0289834-13
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0593956-36
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0593957-82
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0738626-33
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.01.13 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2012-0036177-56
8 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2012.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0062220-23
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0062219-87
10 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2012.04.10 수리 (Accepted) 7-8-2012-0011600-42
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0342567-85
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 대하여 플라즈마 전처리를 하는 플라즈마 전처리 단계; 및상기 기판 상부에 실리콘 산화막을 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD)에 의하여 증착하는 실리콘 산화막 증착 단계를 포함하고, 상기 실리콘 산화막 증착 단계 이후에, 상기 실리콘 산화막에 대하여 플라즈마 후처리를 하는 플라즈마 후처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 플라즈마 전처리 단계는 상기 기판의 표면 온도가 80 ℃ 내지 120 ℃가 될 때까지 행하여지고, 상기 플라즈마 후처리 단계는 상기 실리콘 산화막의 표면 온도가 100 ℃ 내지 200 ℃가 될 때까지 행하여지는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막의 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 전처리는 헬륨 플라즈마 전처리인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막의 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착은 SiH4, N2O 및 희석 He을 반응 가스로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막의 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막의 형성 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 후처리는 수소 플라즈마 후처리인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 국가지정 연구실사업 High Performance and Stable Nanocrystalline Silicon Thin Film Devices and Circuits for Plastic Electronics