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기판상기 기판 상에 형성된 콘트롤 게이트 전극,상기 게이트 전극을 포함하여 기판 전면에 걸쳐 형성된 제1 게이트 절연막,상기 제1 게이트 절연막 상에 형성된 제2 게이트 절연막,상기 제2 게이트 절연막 상에 형성된 플로팅 게이트 전극,상기 플로팅 게이트 전극을 포함하여 기판 전면에 걸쳐 형성된 제3 게이트 전극 절연막,상기 제3 게이트 절연막 상에 산화물 반도체로 형성된 산화물 반도체층, 및상기 산화물 반도체층과 전기적으로 연결된 소오스/드레인 전극을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 콘트롤 게이트 전극은 Al, Ag, Cr, Ni, Mo, Au, Ti, Ta, Cu 또는 이들의 합금을 포함하는 금속, 또는 금속 질화물로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제1 게이트 절연막은 SiO2이고, 제2 게이트 절연막은 SiNx이며, 제3 게이트 절연막은 SiO2/SiNx/SiO2의 다층 구조 또는 high-k 물질을 포함하는 것인 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 플로팅 게이트 전극은 Ta, TaN, Ti, TiN 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 ZnO, IZO(Indium Zinc Oxide), SZO(Sr-doped ZnO), IGO(Indium gallium oxide) IGZO(Indium gallium zinc oxide) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속 산화물인 것인 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 음(또는 양) 게이트 전압을 인가 후 플로팅 게이트 전극에 양전하 (또는 음전하)를 주입하도록 프로그래밍하여 사용하는 것인 산화물 반도체 박막 트랜지스터
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