맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

자성 메모리의 동작방법

  • 기술번호 : KST2014041928
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 행 및 열로 배열된 복수의 자화반전소자와, 복수의 자화반전소자의 하부에 형성되어 열 방향으로 배열된 자화반전소자를 연결시키는 비트라인과, 복수의 자화반전소자의 상부에 형성되어 행 방향으로 배열된 자화반전소자를 연결시키는 비트라인을 구비하는 자성 메모리를 구동할 때, 문제점이 발생하지 않게 하는 자성 메모리의 동작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 정보의 기록은 비트라인과 워드라인을 통해 자화반전소자에 전류를 인가하여 스핀 전달 토크(Spin-Transfer Torque, STT) 현상에 의한 전자 주입으로 자화반전소자의 자화를 반전시킴으로써 이루어진다. 그리고 정보의 소거는 자화반전소자의 외부에서 인가되는 자장에 의해 자화반전소자의 자화를 반전시킴으로써 이루어진다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01.01) G11C 11/15 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 27/22 (2006.01.01)
CPC G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01)
출원번호/일자 1020090050279 (2009.06.08)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1048351-0000 (2011.07.05)
공개번호/일자 10-2010-0131604 (2010.12.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.08)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0343724-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0075573-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0050348-08
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0223666-78
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0223699-74
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0359311-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
행 및 열로 배열된 복수의 자화반전소자와, 상기 복수의 자화반전소자의 하부에 형성되어 열 방향으로 배열된 자화반전소자를 연결시키는 비트라인과, 상기 복수의 자화반전소자의 상부에 형성되어 행 방향으로 배열된 자화반전소자를 연결시키는 워드라인을 구비하는 자성 메모리의 동작방법으로, 정보의 기록은 상기 비트라인과 워드라인을 통해 상기 자화반전소자에 전류를 인가하여 스핀 전달 토크(Spin-Transfer Torque, STT) 현상에 의한 전자 주입으로 상기 자화반전소자의 자화를 반전시킴으로써 자화반전소자 단위로 이루어지고, 정보의 소거는 상기 자화반전소자의 외부에서 인가되는 자장에 의해 상기 자화반전소자의 자화를 반전시킴으로써 동일한 행에 배열되어 있는 자화반전소자로 이루어진 페이지 단위로 이루어지며, 상기 비트라인과 워드라인 사이에는 상기 자화반전소자와 연결된 스위칭 소자로서 다이오드가 구비되어 있고, 상기 정보의 기록은, 정보를 기록하고자 하는 자화반전소자와 연결된 워드라인에 제1기록전압을 인가하고, 상기 정보를 기록하고자 하는 자화반전소자와 연결된 비트라인의 일단에는 제2기록전압을 인가하며, 상기 정보를 기록하고자 하는 자화반전소자와 연결되지 않은 비트라인에 제3기록전압을 인가하되, 상기 제3기록전압은 상기 제1기록전압보다 크고 상기 제1기록전압은 상기 제2기록전압보다 크게 되도록 전압을 인가하고, 상기 정보를 기록하고자 하는 자화반전소자와 연결된 비트라인의 타단에는 제1기록전압보다 큰 제4기록전압을 인가하며, 상기 제2기록전압이 인가되는 비트라인 일단과 상기 정보를 기록하고자 하는 자화반전소자 사이의 저항값이 상기 제4기록전압이 인가되는 비트라인 타단과 상기 정보를 기록하고자 하는 자화반전소자 사이의 저항값보다 작은 것을 특징으로 하는 자성 메모리의 동작방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 다이오드는 상기 비트라인과 자화반전소자 사이에 상기 워드라인에서 상기 비트라인 방향이 순방향이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 자성 메모리의 동작방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 비트라인은 활성 N+ 영역으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자성 메모리의 동작방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 정보의 소거는, 정보를 소거하고자 하는 페이지에 연결된 워드라인에 제1소거전압을 인가하고, 모든 비트라인에 제2소거전압을 인가하되, 상기 제2소거전압은 상기 제1소거전압보다 크게 되도록 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 자성 메모리의 동작방법
10 10
제1항, 제5항, 제6항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자화반전소자는 강자성체로 이루어진 고정층; 상기 고정층의 일측에 형성되며, 절연체로 이루어진 절연층; 및 상기 고정층과의 사이에 상기 절연층이 배치되도록 상기 절연층의 일측에 형성되며, 강자성체로 이루어진 자유층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 메모리의 동작방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 고정층의 자화는 상기 고정층의 상면과 평행한 방향이고, 상기 자유층의 자화는 상기 자유층의 상면과 평행한 방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 자성 메모리의 동작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.