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나노선 표면에 탄소나노튜브가 성장된 나노 구조체, 이를 포함하는 전기흡착용 전극 및 수처리용 전기흡착 장치

  • 기술번호 : KST2014044453
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 구조체, 이를 포함하는 전기흡착용 전극 및 수처리용 전기흡착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 산화실리콘 나노선 표면에 탄소나노튜브가 성장된 나노 구조체, 이를 포함하는 전기흡착용 전극과 수처리용 전기흡착 장치에 관한 것이다.상기 전기흡착용 전극은 해수, 담수, 식수 또는 폐수와 같은 수처리용 전기흡착 전극으로 사용하여 처리수 내 이온의 흡착속도와 흡착용량이 증가하여 높은 효율로 수처리가 가능하다. 또한, 상기 전기흡착 전극에 역전류를 흘려줌으로써 이온이 탈착되는 간단한 재생이 방법을 통해 반영구적인 사용이 가능하다.전기흡착, 탄소나노튜브, 이온, 수처리, 재생, 역전류
Int. CL C02F 1/461 (2006.01.01) C02F 1/28 (2006.01.01) B01J 20/20 (2018.01.01) B01J 20/10 (2006.01.01) C01B 32/159 (2017.01.01) C01B 33/12 (2006.01.01) B01J 23/40 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 16/513 (2006.01.01) C02F 103/08 (2006.01.01)
CPC C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01) C02F 1/46109(2013.01)
출원번호/일자 1020090104356 (2009.10.30)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1152351-0000 (2012.05.25)
공개번호/일자 10-2011-0047644 (2011.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120611) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤종승 미국 서울특별시 서대문구
2 우희진 대한민국 대구광역시 남구
3 김정훈 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0669459-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0033761-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0365289-01
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0679520-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0770794-99
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0770788-14
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0187429-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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Si:O가 1:1
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처리수가 유출입을 할 수 있도록 양측에 인렛과 아웃렛이 형성된 케이스;상기 케이스 내에 다수의 양극부 및 음극부로 이루어진 전극부들이 소정 간격 이격한 상대로 서로 대향하여 위치하고,상기 전극부는 각각의 집전체 상에 전극이 적층된 구조를 가지며, 상기 전극은 산화실리콘 나노선 표면에 탄소나노튜브가 성장된 나노 구조체를 포함하는 것인 전기흡착 수처리 장치
11 11
제10항에 있어서, 상기 산화실리콘 나노선은 Si:O가 1:1
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제10항에 있어서, 상기 나노 구조체는 산화실리콘 나노선 표면에 Pt, Au, Ti, Fe, Ag, Pd, Ni 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 증착하는 단계;300～600℃에서 열처리를 수행하여 직경이 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한양대학교 산학협력단 나노소재기술개발사업 정보저장용 금속 및 산화물 나노입자 제조