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단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 단일벽 탄소나노튜브 다중 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014049342
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조 공정 중 하나인 포토리소그래피 공정과 산소플라즈마 표면처리를 이용하여 단일벽 카본나노튜브(single-walled carbon nanotube; SWNT)를 기판에 선택적으로 조립하는 공정 방법에 관한 것이다. 기존에 단일벽 탄소나노튜브를 기판상에 특정한 영역에 자기조립하기 위해 사용하는 OTS 폴리머 공정을 제거하고 포토레지스트만을 이용하여 패턴을 만들기 때문에 공정이 단순하고, 비용이 절감되는 효과가 있다. 또한 기존의 단일벽 탄소나노튜브 공정에 이용되지 않은 산소 플라즈마 표면처리를 함으로서 단일벽 탄소나노튜브가 조립되는 영역을 소수성에서 친수성 표면으로 변환시켜 단일벽 탄소나노튜브가 효율적으로 조립되게 한다. 따라서 본 발명은 나노소자의 대량생산에 적합하고 전자소자 및 바이오센서로 응용 가능한 단일벽 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor) 소자를 제작할 수 있는 공정기술과 직접적인 관련이 있다.탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브, SWNT, 전계 효과 트랜지스터, FET, 포토레지스트, 포토리소그래피, 산소 플라즈마 처리, 친수성, 소수성
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01)
출원번호/일자 1020090100982 (2009.10.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1168667-0000 (2012.07.19)
공개번호/일자 10-2011-0044360 (2011.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 경기도 구리시
2 김선호 대한민국 서울특별시 종로구
3 이석 대한민국 서울특별시 서초구
4 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구
5 김신근 대한민국 서울특별시 마포구
6 김경헌 대한민국 서울특별시 강동구
7 김수현 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0649119-36
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0481346-04
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0837536-20
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0936118-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1031977-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1031976-47
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0310147-94
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
10 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단일벽 탄소나노튜브를 선택적으로 조립하는 방법에 있어서,기판 상에 포토리소그래피로 제작된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 기판 표면 및 포토레지스트 표면을 친수성으로 표면 처리하는 표면 처리 단계와;단일벽 탄소나노튜브 분산용액에 친수성으로 표면 처리된 기판을 담근 상태를 유지하여, 기판 표면 및 포토레지스트 표면에 단일벽 탄소나노튜브가 흡착되는 단일벽 탄소나노튜브의 자기 조립 단계와;단일벽 탄소나노튜브가 흡착된 포토레지스트를 제거하여 기판 상의 일부 영역에 대하여 선택적으로 조립된 단일벽 탄소나노튜브 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 표면 처리 단계는 산소 플라즈마 표면처리를 통해 친수성 처리하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 기판은 천연 산화막(natural oside), 열산화막(thermal oxide), SOG(Spin-on-glass), PECVD 또는 LPCVD로 증착된 산화막 중 선택된 어느 하나가 상면에 성장, 도포 또는 증착된 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
청구항 1에 있어서,상기 표면 처리 단계에서 산소 플라즈마 처리를 위하여, 산소가 주입되는 챔버의 진공도는 300 mTorr이고, 플라즈마 방전을 위한 전력은 100 W이며, 표면처리 시간이 30초 내지 50초 인 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 표면 처리 단계 후에는 산소 플라즈마 표면처리된 상기 기판의 접촉각을 측정하여 처리된 표면이 친수성인지 소수성인지를 판별하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
단일벽 탄소나노튜브 다중 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법에 있어서,기판 상에 포토리소그래피로 제작된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 기판 표면 및 포토레지스트 표면을 친수성으로 표면 처리하는 표면 처리 단계와;단일벽 탄소나노튜브 분산용액에 친수성으로 표면 처리된 기판을 담근 상태를 유지하여, 기판 표면 및 포토레지스트 표면에 단일벽 탄소나노튜브가 흡착되는 단일벽 탄소나노튜브의 자기 조립 단계와;단일벽 탄소나노튜브가 흡착된 포토레지스트를 제거하여 기판 상의 일부 영역에 대하여 선택적으로 조립된 단일벽 탄소나노튜브 패턴을 형성하는 단계와;선택적으로 조립된 상기 단일벽 탄소나노튜브 패턴을 소오스와 드레인 전극사이의 다중채널로 이용하는 전계 효과 트랜지스터를 제작하는 제작 단계;를 포함하여 이루어지는 선택적으로 조립된 단일벽 탄소나노튜브 다중 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
청구항 12에 있어서, 상기 표면 처리 단계는 산소 플라즈마 표면처리를 통해 친수성 처리하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 다중 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.