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고감도 나노구조 산화물 박막 가스 센서 제조법

  • 기술번호 : KST2014049431
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 미세 구형체를 이용하여 제작된 속이 빈 반구체 형태의 3차원 구조 산화물 박막 가스 센서는 기존의 평면 박막 가스 센서에 비해 2~4배 정도 높은 감응도를 나타낸다. 이렇게 2~4배 정도의 감응도 향상을 가지는 이유는 속이 빈 반구체 형태의 3차원구조 산화물 박막에서 그 표면적이 평면 박막에 비해 2~4배이기 때문이다. 다시 말해서 표면적 증가가 그에 상응하는 감응도 향상으로 나타나게 된 것이다. 하지만, 속이 빈 반구체 형태의 산화물 박막 가스 센서가 고감도 유해공기차단 시스템이나 환경모니터링 시스템에 이용되기 위해서는 2~4배 보다 더 큰 감응도 향상이 필요한 실정이다. 가령 산화물 나노입자 구형체를 이용하면 평면 박막 가스 센서 대비 5배 이상의 감응도 향상을 가져올 수 있다. 본 발명에서는 간단한 플라즈마 처리를 이용하여 속이 빈 반구체 산화물 박막의 나노구조 형상을 제어하고 이를 통해 가스 센서 박막의 감응도를 획기적으로 향상시켰다. 본 발명에서 개발된 나노구조 속이 빈 반구체 TiO2 가스 센서는 종래에 보고된 TiO2 가스 센서보다 더 높은 CO 가스 감응도와 빠른 응답속도 및 회복 속도를 보여준다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020100028684 (2010.03.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1210494-0000 (2012.12.04)
공개번호/일자 10-2011-0109109 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20121210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.30)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호원 대한민국 대구광역시 수성구
2 윤석진 대한민국 서울특별시 노원구
3 김진상 대한민국 서울특별시 서초구
4 강종윤 대한민국 서울특별시 서초구
5 최지원 대한민국 서울특별시 강남구
6 문희규 대한민국 경기도 평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0203160-85
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0487691-23
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0762203-42
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0142102-52
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0142103-08
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0518176-29
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.10.02 수리 (Accepted) 7-1-2012-0046079-54
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.11.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0902442-86
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0902441-30
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0732820-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자 미세 구형체 템플릿을 준비하는 단계;플라즈마 처리를 하여 미세 구형체들이 나노브릿지를 공유하여 서로 연결된 나노구조 고분자 미세 구형체 네트워크를 형성하는 단계;상기 나노구조 고분자 미세 구형체 네트워크 상에 산화물 박막을 증착하는 단계; 및상기 나노구조 미세 구형체 네트워크를 제거하는 단계를 포함하는 나노구조 산화물 박막 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 플라즈마 처리가 산소, 아르곤, 질소, 수소, SF6 및 Cl2로 구성되는 군으로부터 선택되는 일종 이상을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 고분자 미세구형체는 PS(polystyrene), PMMA(poly-(methyl methacrylate)) 및 PE(polyethylene)로 구성되는 군으로부터 선택되는 일종 이상으로 구성되며, 그 직경은 10 nm ~ 1000 nm인 것을 특징으로 하는 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 산화물 박막이 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Al, Nb, Mo, Cd, In, Sn, Sb, Ta 및 W로 구성되는 군으로부터 선택되는 일종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 산화물 박막이 상온 스퍼터링, 전자선 증착법 또는 열 증착법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 나노구조 고분자 미세 구형체 네트워크를 제거하는 단계가 열처리를 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 열처리를 통하여 추가로 산화물 박막의 결정성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
가스 센서, 염료감응태양전지, 수질정화기, 리튬이차전지, 반도체태양전지, 액츄에이터 및 에너지 하베스터로 구성되는 군으로부터 선택되는 청구항 1의 나노구조 산화물 박막을 이용한 제품
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020110098395 KR 대한민국 FAMILY
2 US20110212323 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011212323 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.