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내부를 진공 상태로 유지하는 진공조와,박막증착을 위해 상기 진공조 내부에 배치되고 귀금속 스퍼터링 타겟이 장착되는 마그네트론 증착원과,상기 진공조 내에서 상기 마그네트론 증착원에 대향하도록 배치되어 시료가 장착되는 시료장착대와, 상기 마그네트론 증착원에 펄스직류전력을 인가하여 상기 마그네트론 증착원으로부터 스퍼터링되는 귀금속을 이온화시키는 펄스직류 전원장치와,상기 시료장착대에 상기 펄스직류전력에 동기화된 고전압펄스를 인가하여 상기 귀금속의 이온들을 상기 시료 쪽으로 가속시키는 고전압펄스 전원장치를 포함하는,시료 표면 이하 내부에 귀금속 플라즈마 이온을 주입하는 장치
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제1항에 있어서,상기 마그네트론 증착원에 인가하는 상기 펄스직류전력은 10 W/cm2 ∼ 10 kw/cm2의 밀도를 갖는,귀금속 플라즈마 이온주입 장치
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제1항에 있어서,상기 마그네트론 증착원에 인가하는 상기 펄스직류전력은,1 Hz ∼ 10 kHz의 주파수와, 10 usec ∼ 1 msec의 펄스폭을 갖는,귀금속 플라즈마 이온주입 장치
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제1항에 있어서,상기 시료 장착대에 인가하는 상기 고전압펄스는, 상기 마그네트론 증착원에 인가하는 상기 펄스직류전력에 동기화된 1 Hz ∼ 10 kHz의 주파수와, 1 usec ∼ 200 usec의 펄스폭과, -1 kv ∼ -100 kV의 음(-)의 고전압펄스를 갖는,귀금속 플라즈마 이온주입 장치
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제1항에 있어서,상기 진공조는 내부의 가스 압력이 0
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제5항에 있어서,상기 진공조에 플라즈마화 할 가스를 공급하기 위한 가스공급부와,상기 가스공급부와 상기 진공조 사이에 배치되는 가스조절부를 더 포함하는,귀금속 플라즈마 이온주입 장치
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진공조 내의 시료장착대 위에 시료를 위치시키는 단계와,상기 진공조의 내부를 진공상태로 유지하는 단계와,상기 진공조 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 가스를 공급하는 단계와,마그네트론 증착원에 펄스직류전력을 인가하여 귀금속을 플라즈마화시키는 단계와,상기 시료장착대에 상기 펄스직류전력에 동기화된 고전압펄스를 인가하여 상기 귀금속의 이온들을 상기 시료 쪽으로 가속시켜 상기 시료의 표면에 이온주입시키는 단계를 포함하는,시료 표면 이하 내부에 귀금속 플라즈마 이온을 주입하는 방법
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제7항에 있어서,상기 마그네트론 증착원에 인가하는 상기 펄스직류전력은, 10 W/cm2 ∼ 10 kw/cm2의 밀도와,1 Hz ∼ 10 kHz의 주파수와,10 usec ∼ 1 msec의 펄스폭을 갖는,귀금속 플라즈마 이온주입 방법
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제7항에 있어서,상기 시료장착대에 인가하는 상기 고전압펄스는,상기 마그네트론 증착원에 인가하는 상기 펄스직류전력에 동기화된 1 Hz ∼ 10 kHz의 주파수와,1 usec ∼ 200 usec의 펄스폭과,-1 kv ∼ -100 kV의 음(-)의 고전압펄스를 갖는,귀금속 플라즈마 이온주입 방법
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제7항에 있어서,상기 진공조는 내부의 가스 압력이 0
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진공조 내의 시료장착대 위에 유전체를 위치시키는 단계와,상기 진공조의 내부를 진공상태로 유지하는 단계와,상기 진공조 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 가스를 공급하는 단계와,마그네트론 증착원에 펄스직류전력을 인가하여 상기 마그네트론 증착원으로부터 스퍼터링되는 귀금속을 이온화시키는 단계와,상기 시료장착대에 상기 펄스직류전력에 동기화된 고전압펄스를 인가하여 상기 귀금속의 이온들을 상기 유전체 쪽으로 가속시켜 상기 유전체의 표면에 이온주입시키는 단계와,상기 귀금속이 이온주입된 상기 유전체를 열처리하는 단계를 포함하는,귀금속 나노복합체의 형성 방법
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제11항에 있어서, 상기 유전체는 Si-O, Ge-O, Sn-O, Al-O, In-O, Cr-O, Mo-O, Ti-O, Zr-O, Hf-O, Y-O, Mg-O, Ta-O, W-O, V-O, Ba-Ti-O, Pb-Ti-O, Sr-Ti-O계의 산화물, Al-F, Zn-F, Mg-F, Ca-F, Na-F, Ba-F, Pb-F, Li-F, La-F계의 불화물, Si-N, Al-N, Ti-N, Zr-N, Hf-N, Ga-N, B-N, In-N 계의 질화물, Zn-S, Cd-S, Cu-S, Ba-S, Na-S, K-S, Pb-S, As-S 계의 황화물, Zn-Se, Bi-Se, Cd-Se, Cu-Se, Pb-Se, As-Se계의 셀렌화물, 다이아몬드 유사 카본(dimondlike carbon) 및 이들의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는,귀금속 나노복합체의 형성 방법
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제11항에 있어서, 상기 마그네트론 증착원으로부터 스퍼터링되는 귀금속은 황금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 로듐(Rh)으로 구성된 군으로부터 선택되는,귀금속 나노복합체의 형성 방법
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제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 마그네트론 증착원에 인가하는 상기 펄스직류전력은, 10 W/cm2 ∼ 10 kw/cm2의 밀도와,1 Hz ∼ 10 kHz의 주파수와,10 usec ∼ 1 msec의 펄스폭을 갖는,귀금속 나노복합체 형성 방법
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제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 시료장착대에 인가하는 상기 고전압펄스는,상기 마그네트론 증착원에 인가하는 상기 펄스직류전력에 동기화된 1 Hz ∼ 10 kHz의 주파수와,1 usec ∼ 200 usec의 펄스폭과,-1 kv ∼ -100 kV의 음(-)의 고전압펄스를 갖는,귀금속 나노복합체 형성 방법
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제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 진공조는 내부의 가스 압력이 0
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