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촉매없이 유리기판상에 그래핀을 증착하여 그래핀을 성장시키는 성장단계; 및상기 그래핀이 성장되면, 상기 성장된 그래핀상에 금속 촉매를 증착시키는 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 성장방법
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제1항에 있어서,상기 금속 촉매가 그래핀상에 증착되면, 화학기상증착(CVD) 장치를 이용하여 열처리하는 열처리단계; 및금속 식각 용액을 이용하여 상기 금속 촉매를 제거하기 위한 식각단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 성장방법
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제2항에 있어서,상기 성장단계는 750℃에서 60분 동안 처리되는 것을 특징으로 하는 그래핀 성장방법
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제2항에 있어서,상기 증착단계는 RF(Radio Frequency) 스퍼터를 이용하여 3-5분 동안 처리되는 것을 특징으로 하는 그래핀 성장방법
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제4항에 있어서,상기 증착단계에서, RF 스퍼터의 파워는 40W이고, 2
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제2항에 있어서,상기 열처리단계는 50sccm의 아르곤 가스분위기에서 300-500℃에서 30분 동안 처리되는 것을 특징으로 하는 그래핀 성장방법
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제2항에 있어서,상기 식각 단계는 니켈 금속을 제거하기 위해 니켈 식각 용액을 이용하여 30-80초 동안 처리되는 것을 특징으로 하는 그래핀 성장방법
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제2항에 있어서,상기 그래핀은 나노 그래핀 및 나노 그래피틱 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 성장방법
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유리기판상의 양면에 그래핀을 증착하여 그래핀을 성장시키는 성장단계;상기 그래핀이 성장되면, 상기 유리기판상의 일면에 증착된 그래핀상에 니켈 촉매를 증착시키는 증착단계; 상기 니켈 촉매가 그래핀상에 증착되면, 화학기상증착(CVD) 장치를 이용하여 상기 그래핀의 크기를 조절하도록 열처리하는 열처리단계; 및니켈 식각 용액을 이용하여 상기 니켈 촉매를 제거하기 위한 식각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 결정크기 조절방법
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제9항에 있어서,상기 성장단계는 750℃에서 60분 동안 처리되고, 상기 증착단계는 RF(Radio Frequency) 스퍼터를 이용하여 2
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제9항에 있어서,상기 열처리단계는 50sccm의 아르곤 가스분위기에서 300-500℃에서 30분 동안 처리되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 결정크기 조절방법
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제9항에 있어서,상기 그래핀은 나노 그래핀 및 나노 그래피틱 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 결정크기 조절방법
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