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자기 정렬형 전자방출소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015167233
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그리드를 이용한 전자방출 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 공정 없이 그리드를 마스크로 이용하여 기판 상부에 에미터를 성장시키고, 에미터 성장에 사용한 상기 그리드를 게이트 전극으로 사용함으로써, 삼극구조 전자방출 소자의 제조공정을 단순화시키고, 필요 없는 부분에 에미터가 형성되는 것을 방지하며, 모서리 효과(Edge effect)를 제거할 수 있는 자기 정렬형 전자방출 소자의 제조방법을 제공한다. 자기정렬, 그리드, 전자방출소자
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01)
출원번호/일자 1020080110525 (2008.11.07)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0934838-0000 (2009.12.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20091231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규창 대한민국 서울 광진구
2 유제황 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 월드빔솔루션 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0773155-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0043096-81
4 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0490774-84
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 캐소드 전극을 형성하고, 그 상부에 에미터가 성장할 위치와 동일한 패턴홀을 갖는 그리드를 설치하는 단계와; 상기 그리드의 패턴홀을 통해 상기 캐소드 전극 상부에 촉매 금속패턴들을 형성하는 단계와; 상기 촉매 금속패턴들을 형성한 후 그리드를 제거하고 그 촉매 금속 패턴들 상부에 탄소나노튜브를 성장시켜 에미터를 형성하는 단계와; 상기 에미터가 형성된 기판 상부에 절연층을 형성하고 에미터가 성장한 부분이 노출되도록 패터닝하는 단계와; 상기 에미터가 노출된 절연층 상부에 에미터의 위치와 그리드의 패턴홀이 일치되도록 상기 그리드를 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬형 전자방출 소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 그리드를 설치하기 전에 상기 캐소드 전극 상부에 확산방지층을 더 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬형 전자방출 소자의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 그리드는 캐소드 전극과 밀착시키거나 일정거리 이격시켜 설치하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬형 전자방출 소자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 에미터는 탄소 나노튜브인 것을 특징으로 하는 자기 정렬형 전자방출 소자의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브는, 상기 기판을 어닐링하는 단계와; 상기 어닐링된 기판에 탄화수소 기체를 공급하면서 플라즈마 화학기상증착을 실시하여 제조하는 단계를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 정렬형 전자방출 소자의 제조방법
6 6
기판 상부에 캐소드 전극을 형성하고, 그 상부에 에미터가 성장할 위치와 동일한 패턴홀을 가지며 절연피막이 형성된 그리드를 설치하는 단계와; 상기 그리드의 패턴홀을 통해 상기 캐소드 전극 상부에 촉매 금속패턴들을 형성하는 단계와; 상기 촉매 금속패턴들을 형성한 후 그리드를 제거하고 그 촉매 금속패턴들 상부에 탄소나노튜브를 성장시켜 에미터를 형성하는 단계와; 상기 에미터가 노출되도록 캐소드 전극 상부에 상기 피막이 형성된 그리드를 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬형 전자방출 소자의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 그리드의 절연피막은 그리드의 저면 또는 전면에 형성된 것을 특징으로 하는 자기정렬형 전자방출 소자의 제조방법
8 8
제 1 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 그리드의 상부에 동일한 그리드를 더 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 전자방출 소자의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 경희대학교 서울시 산학연 협력사업 나노기반 차세대 방사선 진단기 연구단