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높은 전자방출 특성을 갖는 필드 에미터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014032957
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자방출 디스플레이를 구성하는 탄소 나노튜브를 이용한 필드 에미터에 관한 것으로, 특히 기판 상부에 탄소 나노튜브로 형성된 에미터의 전자방출 특성을 향상시키고, 물성을 단단하게 하기 위하여 탄소 나노 튜브 성장 조건에서 장시간 에미터를 성장시킴으로써 높은 전자방출 특성을 갖는 필드 에미터의 제조방법에 관한 것이다. 탄소나노튜브, 필드 에미터 제조방법, 전자방출 특성
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020080039606 (2008.04.28)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0992263-0000 (2010.10.29)
공개번호/일자 10-2009-0113725 (2009.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20101105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규창 대한민국 서울 광진구
2 장 진 대한민국 서울 서초구
3 유제황 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0306533-91
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0470892-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2009-0012164-72
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0134846-36
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0350763-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0350764-55
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0405292-21
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브 에미터를 갖는 필드 에미터의 제조방법에 있어서, 플라즈마 반응로 내부의 압력을 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 소결단계에서 기판의 온도는 550 내지 600℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 높은 전자방출 특성을 갖는 필드 에미터의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 성장단계에서 기판의 온도는 550 내지 600℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 높은 전자방출 특성을 갖는 필드 에미터의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 성장단계에서 플라즈마 반응로 내부의 압력을 2 내지 2
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 성장단계에서, 플라즈마 반응로의 매쉬 전극에는 200 내지 400V의 DC 전압을 인가하고, 기판에는 -500 내지 -700V의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 높은 전자방출 특성을 갖는 필드 에미터의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 경희대학교 서울시 산학연 협력사업 나노기반 차세대 방사선 진단기 연구단