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다수개의 주기적인 줄무늬 패턴을 갖는 금형을 형성하는 단계와;
상기 형성된 금형에 경화제와 실리콘 탄소중합체를 혼합하여 붓는 단계와;
상기 혼합물이 부어진 금형을 진공 건조기에 넣어 진공 건조시키는 단계와;
상기 진공 건조된 혼합물을 상기 금형으로부터 분리하여 스탬프를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조에 사용되는 스탬프 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 혼합물을 구성하는 경화제와 실리콘 탄소 중합체의 혼합비율은 5 내지 15 : 85 내지 95 중량%인 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조에 사용되는 스탬프 제조방법
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제 2 항에 있어서,
상기 경화제는 백금 촉매 기반 교차 결합된 작용제이고, 상기 실리콘 탄소중합체는 Slygard184인 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조에 사용되는 스탬프 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 진공건조 단계는 온도는 약 40 내지 80℃로 유지하고, 약 40 내지 80분간 진공건조기 내에서 경화시키는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조에 사용되는 스탬프 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 형성된 스탬프에 자외선을 조사하여 소수성 표면을 친수성 표면으로 변환시키는 자외선 처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조에 사용되는 스탬프 제조방법
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제 5 항에 있어서,
상기 자외선 처리 단계는 172nm 파장의 자외선을 10 내지 20분간 조사하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조에 사용되는 스탬프 제조방법
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제 5 항에 있어서,
상기 형성된 스탬프 또는 자외선 처리된 스탬프에 오존처리를 실시하여 소수성 표면을 친수성 표면으로 변화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조에 사용되는 스탬프 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 오존처리 방법은 172 nm의 파장을 갖는 자외선 램프를 이용하여 공기중에 있는 산소를 분해시켜 오존으로 전환시키는 오존처리장치에 상기 스탬프를 장착하여 그 스탬프의 표면의 결합을 변화시켜 COOH기나 OH기 등의 친수기를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 전자방출 소자의 제조에 사용되는 스탬프 제조방법
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9
기판 상부에 촉매 금속층을 형성하는 단계와;
제1항의 방법으로 제조된 스탬프의 양각된 부분에 레지스트 용액을 도포하는 단계와;
상기 스탬프에 도포된 레지스트 용액을 상기 촉매금속층 상부에 찍어 레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
상기 레지스트 패턴이 형성된 기판을 소결하여 탄소나노튜브를 성장시키기 위한 씨앗을 성장시키는 단계와;
상기 씨앗이 형성된 기판 상부에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프를 이용한 전자방출 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 기판 상부에 형성된 촉매금속층을 자외선 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프를 이용한 전자방출 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,
상기 자외선 처리는 172nm 파장의 자외선을 3 내지 10분간 조사하는 것을 특징으로 하는 스탬프를 이용한 전자방출 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 스탬프에 도포되는 레지스트 용액은,
PGMEA(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)를 용매로 10 내지 20중량% 로 희석된 노볼락(novolak) 수지 용액인 것을 특징으로 하는 스탬프를 이용한 전자방출 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 레지스트 용액을 도포하는 단계는, 스핀코터를 이용하여 상기 레지스트 용액을 30 내지 40초 동안 4000 내지 5000rpm으로 회전시켜 도포하는 것을 특징으로 하는 스탬프를 이용한 전자방출 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 레지스트 용액이 도포된 다음, 상온에서 30초 내지 2분간 방치하여 용매를 증발시켜 점착력을 증가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프를 이용한 전자방출 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 촉매금속층 상부에 레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
상기 레지스트 용액을 찍은 스탬프를 가압없이 2 내지 3분간 방치한 후 상기 스탬프를 제거하는 것을 특징으로 하는 스탬프를 이용한 전자방출 소자의 제조방법
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