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기판 상부에 형성된 절연층과;
상기 절연측 상부에 형성된 제1금속층, 촉매층, 그리고 제2금속층을 구비한 두개의 금속기둥과;
상기 금속기둥의 마주보는 면의 촉매층에 각각 접촉되지 않도록 형성된 다수개의 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 실리콘산화물(SiO2)인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자
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3
제 1 항에 있어서,
상기 제1금속층과 제2금속층은 몰리브덴 또는 티타늄인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 촉매층은 철, 코발트, 니켈 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 두 금속 기둥 사이의 절연층에는 게이트 전극이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자
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기판 상부에 절연층을 형성하는 단계와;
상기 절연층 상부에 제1금속층, 촉매층, 그리고 제2금속층을 순차적으로 형성하는 단계와;
상기 제2금속층 상부에 포토레지스트를 도포하고 리쏘그라피 방법으로 두개의 금속기둥을 형성하기 위한 패턴을 형성하고, 상기 절연층이 노출되도록 식각하는 단계와;
상기 식각에 의해 형성된 금속기둥 중 촉매층의 마주보는 면에 다수개의 탄소나노튜브를 바늘형태로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 절연층은 실리콘산화물(SiO2)인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 절연층을 형성한 후, 상기 절연층에 형성된 두개의 금속 기둥 사이에 포토리소그라피 방법으로 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브를 형성한 다음, 절연층을 건조이온식각장치를 이용하여 일정 높이로 식각하는 단계를 더 포함하여서 절연층으로부터 탄소나노튜브의 간격을 크게 하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자 제조방법
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10
기판 상부에 절연층을 형성하는 단계와;
상기 절연층 상부에 포토레지스트를 도포하고 두개의 금속기둥이 형성될 위치에 패턴을 형성하는 단계와;
상기 형성된 패턴에 의해 노출된 절연층 상부에 제1금속층, 촉매층, 그리고 제2금속층을 순차적으로 형성하여 두개의 금속기둥을 제조하는 단계와;
상기 도포된 포토레지스트를 제거하는 단계와;
상기 식각에 의해 형성된 금속기둥 중 촉매층의 마주보는 면에 다수개의 탄소나노튜브를 바늘형태로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,
상기 제1금속층, 촉매층, 제2금속층은 전자빔 증착장치를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자의 제조방법
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기판 상부에 절연층을 형성하는 단계와;
상기 절연층 상부에 포토레지스트를 도포하고 두개의 금속기둥이 형성될 위치에 패턴을 형성하는 단계와;
상기 형성된 패턴에 의해 노출된 절연층 상부에 제1금속층을 형성하는 단계와;
상기 제1금속층에 탄소나노튜브를 용액에 분산시켜 형성한 바늘형태의 탄소나노튜브를 위치시키는 단계와;
상기 탄소나노튜브가 위치한 제1금속층 상부에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 가시광 광소자의 제조방법
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