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전자방출 특성이 향상된 필드 에미터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014026166
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자방출 디스플레이를 구성하는 탄소 나노튜브를 이용한 필드 에미터에 관한 것으로, 특히 기판 상부에 탄소 나노튜브로 형성된 에미터를 갖는 필드 에미터를 일정한 농도의 불산에 일정시간 동안 처리함으로써 전자방출 특성을 향상시킨 필드 에미터의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020080010225 (2008.01.31)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0926218-0000 (2009.11.03)
공개번호/일자 10-2009-0084187 (2009.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20091109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.31)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규창 대한민국 서울 광진구
2 장 진 대한민국 서울 서초구
3 유제황 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0082936-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0069869-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0035361-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0182889-98
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0182891-80
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0318287-60
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.09.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0045128-32
10 등록결정서
Decision to grant
2009.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0417401-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소 나노튜브를 에미터로 갖는 필드 에미터의 제조 후, 상기 필드 에미터의 전자 방출 특성을 향상시키기 위한 공정에 있어서, 상기 탄소 나노튜브를 에미터로 갖는 필드 에미터를 불산 용액에 함침시키는 단계와; 상기 함침된 필드 에미터를 꺼내어 건조시키는 단계를 포함하며, 상기 불산 용액의 농도는 1 내지 50%이고, 상기 필드 에미터를 상기 불산 용액에 함침시키는 시간은 10 내지 40초인 것을 특징으로 하는 전자 방출 특성이 향상된 필드 에미터의 제조 방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 필드 에미터를 불산 용액에 함침시키는 단계 이전에, 상기 필드 에미터의 상부에 상기 에미터의 일부분이 함침되도록 포토 레지스트층을 형성하는 단계와, 상기 필드 에미터를 불산 용액에 함침시키는 단계 이후에, 상기 포토 레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하며, 상기 포토 레지스트층의 두께는 1 내지 3㎛인 것을 특징으로 하는 전자 방출 특성이 향상된 필드 에미터의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 경희대학교 서울시 산학연 협력사업 나노기반 차세대 방사선 진단기 연구단